电源设备行业光伏电池深度研究（一）：光伏牛市下一个风口，N型异质结电池-20190125-中信建投-26页-solarbe文库

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请参阅最后一页的重要声明证券研究报告·行业深度研究光伏电池研究一光伏牛市下一个风口N 型异质结电池异质结电池是光伏行业的下一个大风口光伏产业链近年来快速发展的本质是技术驱动降本提效。目前单晶趋势已经确立，P 型电池提效进度放缓，N 型电池效率提升潜力大。展望未来，我们认为光伏行业最值得期待的变革在于电池环节将由 P 型电池转向 N 型电池，其中异质结电池以其效率高、降本潜力大最有潜力成为光伏行业下一个大风口。核心优势效率高根本原因在于异质结结构禁带宽度大太阳电池转换效率可以表示为开路电压、短路电流和填充因子三个参数的乘积。其中开路电压取决于内建电场强度，继而最终取决于电池材料本身的禁带宽度。异质结电池禁带宽度为 1.7-1.9 eV ，远高于晶硅同质节电池的 1.12 eV ，因而异质结电池具有较高的开路电压，从而具有较高的电池效率。工艺核心工艺与 PERC 完全不同异质结电池四步核心工艺为清洗制绒、非晶硅薄膜沉积、导电膜沉积、印刷电极与烧结。与 PERC 工艺的区别在于 1 ）非晶硅薄膜沉积环节，使用 PECVD 或 RPD 沉积本征氢化非晶硅层和 P 型 /N 型氢化非晶硅层；2 ）镀膜环节使用 PVD 沉积 TCO 导电膜； 3 ）印刷电极方面需使用低温银浆； 4 ）烧结过程需控制低温烧结。成本设备与耗材未来降本空间大目前异质结电池成本主要来自硅（47 ）、浆料（24 ）、折旧（6）、靶材（5）。具体来看 1 ）硅成本降低空间主要来自硅片减薄，未来减薄空间 45 ；2 ）浆料成本降低空间主要来自减量和降价，未来减量空间 40 、降价空间 30 ；3 ）折旧方面，目前单位产能的设备投资是 PERC 的 2 倍，未来可降至与 PERC 持平。度电成本已与 PERC 基本相同在组件投资方面 HJT 高于 PERC ，但由于 HJT 效率较高，所需组件个数较少，支架和逆变器等非组件投资低于 PERC ，最终总的初始投资比 PERC 高 10 。同时由于高效低衰，HJT 全生命周期发电量高于 PERC ，使得最终二者的平准化度电成本已基本相同。大规模量产计划 2-3 年内落地，产业化进度超预期目前已经量产或计划量产 HJT 电池的企业有近 20 家，大多尚处于中试阶段。目前全球规划产能超 10GW ，实际产能约 2GW 。预计规划产能在未来 2-3 年内逐步落地，HJT 产业链成熟度会快速提高，从而推动设备及材料价格下降，使 HJT 经济性占优。关注布局 N-HJT 的电池企业。推荐标的捷佳伟创、迈为股份。风险提示 1 ）光伏下游装机需求不及预期；2 ）HJT 效率提高进度不及预期以及成本下降速度不及预期； 3 ） HJT 设备、材料国产化进度不及预期；4 ）PERC 与 Topcon 技术进步超预期。维持买入王革 wanggezgscsc.com.cn 010-86451496 执业证书编号S1440518090003 发布日期 2019 年 01 月 25 日市场表现相关研究报告 -42 -32 -22 -12 -2 8 2018/1/25 2018/2/25 2018/3/25 2018/4/25 2018/5/25 2018/6/25 2018/7/25 2018/8/25 2018/9/25 2018/10/25 2018/11/25 2018/12/25 电源设备上证指数电源设备每日免费获取报告 1、每日微信群内分享 7 最新重磅报告； 2、每日分享当日华尔街日报、金融时报； 3、每周分享经济学人 4、行研报告均为公开版，权利归原作者所有，起点财经仅分发做内部学习。扫一扫二维码关注公号回复研究报告加入“起点财经” 微信群。。行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明目录 1. HJT 电池是光伏行业的下一个大风口 1 1.1 光伏牛市、牛股复盘 1 1.1.1 光伏牛市来自于需求阶段性超预期 1 1.1.2 光伏牛股来自光伏牛市下的技术优势企业 2 1.2 光伏技术变革从硅片转移到电池 3 2. HJT 电池原理 . 5 2.1 太阳电池的原理是什么 5 2.2 太阳电池的转换效率由谁决定 6 2.3 太阳电池如何分类 6 2.4 太阳电池结构 7 3. 为什么 HJT 转化效率高 . 9 4. HJT 电池如何制造 11 4.1 工艺设备材料拆解常规单晶铝背场电池. 12 4.2 工艺设备材料拆解单晶 PERC 双面电池. 14 4.3 工艺设备材料拆解HJT 电池. 16 5. HJT 经济性如何 . 18 5.1 HJT 的平准化度电成本已与 PERC 基本相同 18 5.2 HJT 的平准化度电成本还有较大下降空间 19 6. HJT 量产进度如何 . 20 7. 投资建议 21 8. 风险分析 21 图表目录图表 1 中国月度光伏并网量GW . 2 图表 2 2017 年光伏牛股成长逻辑 . 3 图表 3 HJT 电池是光伏行业下一个大风口. 4 图表 4 光伏行业震源从硅片转向电池 4 图表 5 太阳电池原理示意图 5 图表 6 太阳电池等效电路 5 图表 7 太阳电池伏安特性曲线 6 图表 8 太阳电池分类 7 图表 9 P 型单晶铝背场电池结构 . 8 图表 10 P 型单晶 PERC 电池结构 . 8 图表 11 P 型单晶 PERC 双面电池结构 . 8 图表 12 P 型单晶 PERCSE 电池结构 8 图表 13 N 型 PERT 电池结构 . 8 图表 14 N 型 TopCon 电池结构 8 图表 15 HJT 电池结构 9 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表 16 异质结电池通过增加禁带宽度来提高电池效率，从而降低度电成本 . 9 图表 17 两半导体材料紧密接触前的能带图 10 图表 18 两半导体材料紧密接触后的能带图 10 图表 19 半导体形成 PN 结之前的能带图 a 同质结电池；b N 型异质结电池；c P 型异质结电池 . 10 图表 20 N 型异质结电池内建电场强度高于 P 型异质结电池和同质结电池 11 图表 21 不同掺杂下晶硅的激活能 . 11 图表 22 各电池技术路线的工艺流程 12 图表 23 单晶铝背场电池的生产工艺、设备与原材料 13 图表 24 清洗制绒机 13 图表 25 湿法刻蚀机 13 图表 26 扩散炉 14 图表 27 PECVD . 14 图表 28 单晶铝背场电池设备成本拆分 14 图表 29 单晶 PERC 双面电池的生产工艺、设备与原材料. 15 图表 30 激光开槽设备 15 图表 31 原子层沉积设备 15 图表 32 单晶 PERC 电池产线布置 16 图表 33 单晶 PERC 电池设备成本拆分 16 图表 34 HJT 电池的生产工艺、设备与原材料 . 17 图表 35 HJT 电池的生产设备 17 图表 36 HJT 电池成本构成 18 图表 37 HJT 电池成本下降空间（元/W ） 18 图表 38 PERC 和 HJT 平准化度电成本测算. 18 图表 39 HJT 电池电站的 LCOE 对电池效率的敏感性 19 图表 40 HJT 电池电站的 LCOE 对年均衰减率的敏感性 19 图表 41 HJT 电池电站的 LCOE 对组件价格的敏感性 19 图表 42 HJT 电池成本下降空间（元/W ） 19 图表 43 给定未来 HJT 技术参数下的 LCOE 估算 . 20 图表 44 HJT 厂商效率和规模 20 1 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明 1. HJT 电池是光伏行业的下一个大风口通过分析光伏行业上一轮行情，我们发现光伏行业性牛市主要来源于供需的阶段性失衡，以及由此带来的价格超预期稳定甚至上涨。在光伏行业性牛市的大背景下，光伏牛股出现在具备技术领先优势从而导致成本优势明显的企业当中。 1.1 光伏牛市、牛股复盘 1.1.1 光伏牛市来自于需求阶段性超预期回顾 2017 下半年的光伏行业，可以发现光伏牛市来源于下游需求（装机）的阶段性超预期。对比 2016 年和 2017 年  2016 年装机由于光伏标杆电价在 6.30 下调，使得 6.30 前的 6 月出现明显的抢装并网潮， 6 月单月装机近 10GW ，而 5 月只有 2GW 。但 6.30 后的 7 月、8 月，装机则断崖式下跌到单月不足 1GW ，持续到 11 月。2016 年 Q3 装机下滑严重。  2016 年价格 6.30 后，硅料价格在 7 月、8 月小幅下降，9 月断崖式下跌。硅片价格在 7 月小幅下降，8 月、9 月大幅下跌。2016 年 Q3 产业链价格下滑严重。  2017 年装机同样由于光伏标杆电价在 6.30 下调，使得 6.30 前的 6 月出现明显的抢装并网潮，6 月单月装机近 12GW ，而 5 月只有接近 3GW 。但 7 月、8 月的装机出现了超预期。由于已确定电价的领跑者项目并网截止日期为 9.30 ，且分布式需求强劲，导致 7 月装机 11.3GW 几乎和 6 月持平，而 2016 年 7 月则是断崖式下跌。8 月、9 月装机仍然接近 4GW，而 2016 年的 8 月、9 月只有不到 1GW 。从同比数据看， 2017 年 7-9 月光伏月度并网容量同比增长率均在 200 以上。 2017 年 Q3 装机超预期地好，而且持续到 Q4 。  2017 年价格 6.30 后，硅料价格并未像 2016 年一样走弱，反而平稳，更让市场兴奋的是 8 月国产硅料由于停产检修后产能无法匹配旺盛需求，出现一波强势涨价，从 11 万到 13 万，涨幅 10-20 ，而 9 月则再上一个台阶直逼 14 万元/ 吨，强势行情持续到 2017Q4 和 2018 年 1 月，最终突破 14 万/吨。 6.30 后，硅片价格也并未像 2016 年一样走弱，同样是平稳，而且持续了整个 Q3 。2017 年 Q3 产业链价格超预期的好。 2 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表1 中国月度光伏并网量GW 资料来源中电联，中信建投证券研究发展部从硅料价格上来看， 2016 年第三季度价格下滑严重，而 2017 年第三季度价格不降反升，从而大幅推高硅料企业毛利率。从硅片价格上来看， 2016 年第三季度价格同样大幅下滑，而 2017 年第三季度价格基本稳定，从而使得硅片企业盈利状况超预期。 1.1.2 光伏牛股来自光伏牛市下的技术优势企业我们认为光伏牛股的出现有两个必备条件 1 ）光伏行业处于牛市阶段；2 ）该企业具备技术优势以及由此带来的成本优势。以此来审视光伏牛股的股价，我们发现其成长需经历两个阶段 1 ）技术变革沉淀优势期； 2 ）行业爆发利润显现期。以某单晶硅片龙头企业为例，其核心优势为掌握了多次装料拉晶技术和金刚线切割技术，从而使得单晶硅片生产成本大幅降低，公司竞争优势明显。其技术积累在 2017 上半年之前早已完成，单季度毛利率在 17Q2 前连续 7 个季度逐季上升，奠定了其成为光伏牛股的基础。2017Q3 光伏下游需求超预期，使得硅料涨价、硅片价格稳定，从而开启了行业牛市。该公司股价一路成长，6 个月涨幅达 150 。 3 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表2 2017 年光伏牛股成长逻辑资料来源wind ，中信建投证券研究发展部 1.2 光伏技术变革从硅片转移到电池光伏产业链近年来快速发展的本质是技术驱动降本提效。把握这一主线，我们可以发现上一轮的技术变革主要由以下两因素驱动（1 ）拉棒环节由 Cz 向 RCz 过渡，通过多次装料拉晶以及高拉速提高了单炉投料量和拉晶效率，进而降低了拉棒成本；（2 ）切片环节由砂浆切割向金刚线切割转换，通过减少损耗、减薄硅片来提高出片率，从而降低切片成本。目前正在发生的变化亦有二（1 ）硅料环节高技术的新产能向低电价区转移，从而降低硅料成本；（2）电池环节 PERC 技术快速推广，通过提高电池效率来降低单瓦成本。在目前的时点上来看，单晶趋势已经确立， P 型电池提效进度放缓， N 型电池效率提升潜力大。展望未来，我们认为光伏行业最值得期待的变革在于电池环节将由 P 型电池转向 N 型电池，其中 N-PERT 电池已经不通， 4 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明 Topcon 电池只是过渡技术，我们认为 HJT 电池最有潜力成为光伏行业下一个大风口。图表3 HJT 电池是光伏行业下一个大风口资料来源中信建投证券研究发展部图表4 光伏行业震源从硅片转向电池资料来源中信建投证券研究发展部 5 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明 2. HJT 电池原理 HJT （heterojunction 异质结）电池是太阳电池中的一种，其基本原理与一般太阳电池相同。 2.1 太阳电池的原理是什么太阳电池是利用半导体的光生伏特效应将太阳能转化为电能的装置，其核心为半导体 PN 结。 P 型半导体中多数载流子（多子）空穴的浓度远大于少数载流子（少子）电子的浓度，而 N 型半导体中电子的浓度远大于空穴的浓度，因而在二者的交界面处 N 型半导体中的电子将向 P 型半导体扩散，P 型半导体中的空穴将向 N 型半导体扩散，从而在交界面的 P 型侧留下带负电荷的受主离子，形成负电荷区域；在 N 型侧留下带正电荷的施主离子，形成正电荷区域，由此形成空间电荷区，即 PN 结，由此产生的由 N 型区指向 P 型区的电场即为内建电场。当太阳光照射到太阳电池表面时， PN 结附近的电子吸收光子能量从而跃迁成为自由电子，并产生对应的空穴。在内建电场作用下，电子向 N 区漂移，空穴向 P 区漂移。此时用导线将电池正负极与负载相连，即有光电流流过负载，此即太阳能电池原理。图表5 太阳电池原理示意图图表6 太阳电池等效电路资料来源网络资料，中信建投证券研究发展部资料来源网络资料，中信建投证券研究发展部太阳电池的等效电路包括以下元器件产生光电流 I L 的恒流源、与之并联的处于正偏置下的二极管（暗电流 I bk ）、串联电阻 Rs 、并联电阻 R Sh 、负载 R L 。由此则工作电流 I 与工作电压 V 之间的关系如下，二者近似为指数关系。 6 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表7 太阳电池伏安特性曲线资料来源网络资料，中信建投证券研究发展部 2.2 太阳电池的转换效率由谁决定太阳电池的转换效率是指其最大输出功率与入射到其上的光功率的比值。通过改变负载大小可以得到太阳电池的伏安特性曲线，从而找到最大功率点。最大功率点对应的功率为 P m ，对应的电压为 V m ，电流为 I m 。在工程实际中，太阳电池转换效率可以表示为 VOC 、ISC 和 FF 三个参数的乘积与入射光功率的比值，亦即 V OC 、短路电流密度 J SC 、FF 三个参数的乘积与入射光功率密度 P in 的比值。 1 ）开路电压 VOC 。开路电压是指太阳电池处于开路状态时的电压。 2 ）短路电流 ISC 。短路电流是指太阳电池处于短路状态时的电流。此时工作电压为 0 ，可得 I SC I L 。 3 ）填充因子 FF 。填充因子定义为太阳电池最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比，即 FF I mV m/I SCV OC 。在伏安特性曲线图上，I mV m 为最大功率点所对应的矩形面积，而 I SCV OC 为开路电压与短路电流对应的矩形面积，因此填充因子可以理解为衡量伏安特性曲线矩形度的一个指标。 2.3 太阳电池如何分类根据基体材料可以分为有机太阳电池和无机太阳电池；无机太阳电池可分为晶体硅太阳电池和薄膜太阳电池；晶体硅太阳电池可分为单晶硅太阳电池和多晶硅太阳电池。目前晶硅太阳电池，特别是单晶硅太阳电池已因其效率高、可靠性强、成本下降潜力大而成为市场主流。根据基体硅片的掺杂种类，可以将单晶硅太阳电池细分为 P 型电池和 N 型电池。P 型电池的基体材料为掺杂硼的 P 型硅片，其空穴为多子，电子是少子； N 型电池的基体材料为掺杂磷形成的 N 型硅片，其电子是多子，空穴为少子。 7 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表8 太阳电池分类资料来源公开资料，中信建投证券研究发展部 2.4 太阳电池结构目前常见的电池类型有单晶铝背场电池、PERC 电池、PERC 双面电池、PERCSE 电池、N-PERT 电池、 TopCon 电池、HIT 电池等。 a Al-BSF （Aluminum Back Surface Fields, 铝背场）电池。其基本结构包括 1 ）P 型硅片衬底；2 ）N 型发射极；3 ）氮化硅减反膜；4 ）正面银电极；5 ）背面铝膜。同时基板正面为金字塔绒面结构以增加陷光。 b PERC （Passivated Emitter and Rear Cell, 钝化发射极与背面）电池是目前的主流技术。与常规单晶铝背场电池相比，其不同之处主要是在硅片与背铝之间加入钝化层，同时通过在钝化层上激光刻蚀来实现背铝与硅片的接触。背表面钝化带来的好处有以下两点 1 ）背面的金属- 半导体接触面积大大减少，从而降低了少子复合速率；2 ）提高了背面对入射到电池内的红外光的反射率。太阳电池无机太阳电池有机太阳电池晶体硅太阳电池薄膜太阳电池单晶硅太阳电池多晶硅太阳电池硅基薄膜太阳电池化合物薄膜太阳电池非晶硅薄膜太阳电池微晶硅薄膜太阳电池多晶硅薄膜太阳电池砷化镓电池碲化镉电池铜铟镓硒电池 P 型 N 型铝背场电池 PERC电池 N-PERT HJT 8 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表9 P 型单晶铝背场电池结构图表10 P 型单晶 PERC 电池结构资料来源公开资料，中信建投证券研究发展部资料来源公开资料，中信建投证券研究发展部 c PERC 双面电池是 PERC 电池的改良版。与 PERC 电池相比，其背面由铝背场（金属层）改为铝栅线，从而使光可以从背面透过进入电池，从而带来发电增益。但由于 PN 结仍只在电池正面，即发电能力在正面产生，所以此双面为 “ 伪双面 ” 。 d PERCSE （Selective Emitter, 选择性发射极）电池亦为 PERC 电池的改良版。通过在正面栅线电极下制作重掺深扩散区，在电极以外的区域进行低浓度掺杂，降低了串联电阻进而提高了填充因子。图表11 P 型单晶 PERC 双面电池结构图表12 P 型单晶 PERCSE 电池结构资料来源中信建投证券研究发展部资料来源中信建投证券研究发展部 e N-PERT （Passivated Emitter Rear Totally-Diffused Cell, 钝化发射极背表面全扩散）电池在背表面全扩散以降低接触电阻和复合速率。 f TOPCon （隧穿氧化物钝化接触）电池改用超薄隧道氧化物（一般为 SiO 2 ）作为钝化膜材料。图表13 N 型 PERT 电池结构图表14 N 型 TopCon 电池结构资料来源中信建投证券研究发展部资料来源中信建投证券研究发展部 9 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明 g HJT 电池结构与前几种完全不同，它由 N 型硅片、双面非晶硅层、双面 TCO 膜和双面金属化组成。图表15 HJT 电池结构资料来源中信建投证券研究发展部 3. 为什么 HJT 转化效率高异质结电池结构中，P 型非晶硅薄膜拥有更宽的禁带宽度，导致了更高的开路电压。图表16 异质结电池通过增加禁带宽度来提高电池效率，从而降低度电成本资料来源中信建投证券研究发展部 V OC 与内建电场的电势差 V D 正相关。内建电场越强，光生载流子能更有效地分离，载流子复合越小。 V D 是 V OC 的上限，V D 越高，V OC 才有高的可能性。由于内建电场的存在，电子在空间电荷区有附加的电势能，使能带在空间电荷区发生弯曲，能带总的弯曲量就是真空电子能级的弯曲量。同时，当两块半导体材料紧密接触时，电子将从费米能级高的材料流向费米能级低的材料，直到两半导体的费米能级相等为止。因而（V D 为内建电场电势差，E F 为费米能级，q 为电子电荷） 10 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表17 两半导体材料紧密接触前的能带图图表18 两半导体材料紧密接触后的能带图资料来源异质结电池物理与器件，中信建投证券研究发展部资料来源异质结电池物理与器件，中信建投证券研究发展部对于 P 型或 N 型同质结电池（图 a ），。对于 P 型异质结电池（图 c ），。对于 N 型异质结电池（图b ），。（V D 为内建电场电势差，E F 为费米能级，Eg 为禁带宽度， δ V 为费米能级与价带顶的能量差， δC 为费米能级与导带底的能量差，ΔE C 为导带带阶， ΔE V 为价带带阶，q 为电子电荷）图表19 半导体形成 PN 结之前的能带图 a 同质结电池；b N 型异质结电池；c P 型异质结电池资料来源异质结电池物理与器件，中信建投证券研究发展部内建电场强度取决于禁带宽度，相比之下激活能项大小约 0.1 eV ，基本可以忽略。晶硅晶硅同质结电池中， P 型和 N 型单晶硅的禁带宽度为 1.12 eV ，此为其内建电场强度上限。P 型异质结电池中的 N 型非晶硅、N 型异质结电池中的 P 型非晶硅的禁带宽度均为 1.7-1.9 eV 。P 型异质结电池价带带阶 0.45 eV ，因而其内建电场强度上限约为 1.35 eV ；N 型异质结电池导带带阶 0.15 eV ，因而其内建电场强度上限约为 1.65 eV 。由此可见 N 型异质结电池的内建电场强度上限远高于 P 型异质结电池和晶硅同质结电池，即有 VD N 型异质结电池＞P 型异质结电池＞同质结电池。因而 N 型异质结电池的开路电压和转换效率高于 P 型异质结电池和晶硅同质结电池。 11 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表20 N 型异质结电池内建电场强度高于 P 型异质结电池和同质结电池资料来源中信建投证券研究发展部图表21 不同掺杂下晶硅的激活能资料来源异质结电池物理与器件，中信建投证券研究发展部 4. HJT 电池如何制造光伏电池的制备一般可以分为衬底准备、制 PN 结、镀膜、印刷电极、烧结等步骤。常规单晶铝背场电池结构最为简单，其工艺过程亦最简单。除 HJT 电池外，其它技术路线主要是在铝背场电池的生产工艺中增加或改变相应设备而来。 12 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表22 各电池技术路线的工艺流程资料来源中信建投证券研究发展部 4.1 工艺设备材料拆解常规单晶铝背场电池常规 P 型单晶铝背场电池使用 P 型硅片做衬底，在槽式制绒清洗机中完成清洗制绒，在扩散炉中进行扩散制 PN 结，使用湿法刻蚀清洗机或等离子体刻蚀机与去 PSG 清洗机完成刻蚀和去磷硅玻璃，使用 PECVD （等离子体增强化学气相沉积）来沉积正面的氮化硅减反膜，使用丝网印刷机印刷背面铝膜和正面银栅线，最后在烧结炉中完成高温烧结。 13 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表23 单晶铝背场电池的生产工艺、设备与原材料资料来源中信建投证券研究发展部图表24 清洗制绒机图表25 湿法刻蚀机资料来源捷佳伟创官网，中信建投证券研究发展部资料来源捷佳伟创官网，中信建投证券研究发展部 / PSG PSG PECVD P 14 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明图表26 扩散炉图表27 PECVD 资料来源捷佳伟创官网，中信建投证券研究发展部资料来源捷佳伟创官网，中信建投证券研究发展部在单晶铝背场电池产线的设备投资中，丝网印刷机、减反膜 PECVD 和自动化设备占比较高，分别可达总投资的 39 、18 和 13 。图表28 单晶铝背场电池设备成本拆分资料来源中信建投证券研究发展部 4.2 工艺设备材料拆解单晶 PERC 双面电池在结构上，PERC 双面电池比铝背场电池多了一层背面钝化膜，另外背面的铝膜改为了铝栅线。在工艺上的改动有 3 点1 ）在刻蚀/ 去 PSG 之后增加背面沉积钝化膜这一工序；2）在印刷电极之前增加背面刻划接触区这一工序，使背电极得以与硅片产生接触；3 ）印刷电极时，背面印刷铝膜改为印刷铝栅线。 4 9 8 PECVD 18 39 9 13 15 行业深度研究报告电源设备请参阅最后一页的重要声明在设备上，PERC 产线需要增加以下两种设备 1 ）镀膜设备，主流的有 PECVDPECVD 和 PECVDALD （原子层沉积）两种路线。钝化膜主要是氧化铝（Al 2O 3 ）膜，使用 PECVD 或 ALD 完成沉积，其原料均为三甲基铝（TMA ）。在氧化铝膜上还需使用 PECVD 覆盖一层氮化硅覆膜，一方面使其与金属浆料隔离，避免烧结过程中金属铝渗入钝化膜造成破坏，另一方面增大膜厚至 100-120 nm 从而起到内反射作用。2 ）开槽设备，主要是激光消融机。图表29 单晶 PERC 双面电池的生产工艺、设备与原材料资料来源中信建投证券研究发展部图表30 激光开槽设备图表31 原子层沉积设备资料来源帝尔激光官网，中信建投证券研究发展部资料来源江苏微导官网，中信建投证券研究发展部 / PSG /