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1 重 要 提 示 请 务 必 阅读尾 页 分 析师承 诺 、 公司业 务 资 格说明 和 免 责条款 。  投 资 摘要 ● 光 伏 行业平 稳 增 长, 平价 上 网 带来行 业 持 续向上 。 2020 年之前全球光 伏行业有望平稳增长,2019 、2020 年新增装机为 112GW 、124GW,同 比增长 9 、11 。2020 年后平价上网有望驱动行业持续向上,而各个 环节的降本增效是行业平价上网的源动力。 ● 电 池 技术迭 代 是 促进行 业 降 本增效 的 动 力 。PERC 技术成熟、设备国 产化率高,预计到 2020 年前依然是高效电池扩产的主流技术,叠加 SE (选择性发射极)进一步提升效率。N 型电池是未来高效电池的发展方 向,其中 N-PERT 技术与双面 PERC 电池对不性价比不明显,TOPcon 量产难度高,而 IBC 技术虽然转换效率较高,但是未有量产实绩,HJT 由于工序少、 国内已有企业量产, 成为高效电池未来的发展方向, 但是 其目前的阻碍是设备投资较贵。 从以上的对比 来看,PERC 和 HJT 技术 将是未来光伏电池 发展的主要方向。 ●PERC 电 池 设 备 企 业国内 竞 争 力强 , HJT 设 备 国 产化 弱 。 目前国 内 PERC 电 池 设 备 国 产 化 率 较 高 , 除 了 技 术 要 求 极 高 的 板 式 PECVD 、 以 及 国 外 性价 比较高的烧结炉需要进口外, 其他国内设备厂家已经具有很强的竞 争力 。在下游客户降本增效的需求下,市场占有率持续提高。HJT 设备 主要由 Meyer Burger 、日本住友、精曜 等厂家掌握,国产率较低。根据 测算,2019-2021 年高效电池设备累计市场空间 合计达到 315 亿元。 ● 从 梅 耶博格 看 光 伏电池 设 备 企业的 成 长 动力 。 光伏电池 设备龙头企 业 梅 耶 博 格 的 成 长 动 力 来 源 于 行 业 发 展 和 不 断 推 出 满 足 下 游 技 术 迭 代 需 求的设备。 公司目前重点发展 HJT 电池设备、SWCT 组件设备。 从梅耶 博格的成长来看, 我们认为电池设备企业的成长遵循以下成长路径 主 流工艺设备下游客户市场占有率的提高 , 多品类电池设备的拓展, 下一 代电池技术设备的国产化推动。  投 资 建议 光伏平价上网带来光伏行业新一轮向上周期,平价上网要求行业降本增 效,光伏电池设备 在促进技术进步发挥中坚力量。PERC 电池新建产能 有望持续维持高位,国产化设备市场占有率持续提升。HJT 等新型电池 技术产业化加快,国产设备逐 步布局。光伏设备企业正迎来下游需求、 自身竞争力增强、未来新技术设备突破 等多重因素叠加,设备企业有望 迎来持续 高增长。建议重点关注光伏设备中具有长期成长动力的企业。  风 险 提示 。1 ) 、 光 伏行业需求不及预期;2 ) 、 新技术产 业化推进速 度慢。 增持 首次 日期2019 年 3 月 8 日 行业机械设 备- 光伏设备 分 析师 倪瑞超 Tel 021-53686179 E-mail niruichaoshzq.com SAC 证书编号 S0870518070003 报 告 编 号NRC19-IR02 首 次 报 告日期 2019 年 3 月 8 日 相 关 报 告 无 证 券 研 究 报 告 / 行 业 研 究/ 行 业 深 度 每 日 免 费 获 取 报 告 1、每日微信群内分享 7 最新重磅报告; 2、每日分享当日华尔街日报、金融时报; 3、每周分享经济学人 4、行研报告均为公开版,权利归原作者 所有,起点财经仅分发做内部学习。 扫一扫二维码 关注公号 回复研究报告 加入“起点财经” 微信群。。 行业深度 2 2019 年 3 月 8 日 目录 . 4 1 、光伏的定 义. 4 2 、光伏行业 需求展望 . 5 3 、平价上网 是行业持 续发 展的根本 . 6 . 8 1 、传统光伏 电池工艺 . 8 2 、PERCSE 成为 P 型电池 标配 9 3 、N 型电池 是下一步 方向 . 12 4 、各种技术 对比,谁 将胜 出 . 15 PERC HJT . 16 1 、PERC 电池 设备企业 国内 竞争力强 16 2 、HJT 电池 设备国产 化弱 20 3 、设备市场 空间测算 . 21 . 23 . 25 . 25 图表目录 图 1 太阳能 电池结构 和工 作原理 4 图 2 光伏产 业链 4 图 3 全球光 伏新增装 机排 名前列的 国家 5 图 4 新增装 机达到 GW 级 的国家数 5 图 5 全球光 伏装机 5 图 6 中国光 伏装机 5 图 7 国内光 伏度电成 本测 算 7 图 8 国际光 伏度电成 本测 算 7 图 9 光伏项 目总成本 7 图 10 某光伏 电站初始 投资 成本构成 7 图 11 电池生 产流程 9 图 12 降低电 池片损失 的技 术 9 图 13 电池技 术路线 10 图 14 PERC 工 艺流程 . 11 图 15 N-PERT 电池结构 . 12 图 16 N-PERT 电池工艺 . 12 图 17 HJT 电池结构 . 13 图 18 HJT 电池工艺 . 14 图 19 TOPCON 电池结构 14 图 20 IBC 电池结构 . 15 图 21 光伏电 池各种技 术路 线对比 16 行业深度 3 2019 年 3 月 8 日 图 22 各种电 池片转换 效率 对比 16 图 23 各种技 术电池片 占比 16 图 24 丝网印 刷线 20 图 25 HJT 电池结构 . 21 图 26 全球光 伏新增装 机 21 图 27 全球 PERC 和 N 型产 能 21 图 28 梅耶博 格收入及 增速 24 图 29 梅耶博 格 EBITDA . 24 图 30 梅耶博 格的收入 地区 占比 24 图 31 公司 PERC 的订单 24 图 32 电池设 备企业的 分析 框架 25 表 1 电池设 备竞争格 局 17 表 2 不同厂 家制绒设 备技 术指标对 比 18 表 3 不同厂 家扩散设 备技 术指标对 比 18 表 4 不同 PERC 设备对比 19 表 5 HJT 设 备竞争格 局 . 21 表 6 高效电 池设备投 资情 况 22 表 7 PERC 电池设备市 场空 间测算 . 23 行业深度 4 2019 年 3 月 8 日 1、 光 伏 的定 义 光 伏 的 本 质 是 光 生 伏 特 效 应 。 当 光线 照 射 在 太 阳 能 电 池 上 时 , 光线中具有足够能量的光子包会在电池内部被吸收, 并将电子从硅材 料的共价键中激发出来、 产生电子-空穴对。 界面层附近的电子和空 穴在复合之前, 将因为空间电荷电场的作用而作定向运动, 电子向带 正电的 N 区,空穴向带负电的 P 区运动,其结果在 P 区和 N 区之间 产 生 一 个 可 测 试 到 的 光 生 电 压 并 通 过 电 池 的 前 后 电 极 向 外 电 路 输 送 电流。 图 1 太 阳能 电池 结 构和 工作原 理 数据来源GCL SOLAR 上海证券研究所 光 伏 的 产业链 。 光伏产业链的上游是晶体硅原料的采集和硅棒、 硅锭、 硅片的加工制作, 产业链的中游是光伏电池和光伏电池组件的 制作,产业链的下游是电站系统的集成和运营。 图 2 光伏 产业链 数据来源爱旭科技 上海证券研究所 行业深度 5 2019 年 3 月 8 日 2、 光 伏 行业 需 求 展 望 光伏行业 全球 多 点 开花 。2018 年中国光伏行业经历 531 新政以 后, 整体需求不佳, 拖累全年装机, 从而导致全球装机不及预期。 根 据光伏行业协会的数据统计, 2018 年中国光伏装机为 43GW , 同比下 降 18 。 而海外市场成为新亮点, 海外市场全球装机为 60GW , 同比 大增 。2018 年全球光伏新增装机达到 GW 级的国家增加到 15 个, 而 2016 、2017 年分别是 6 个、9 个。 图 3 全球 光伏新 增 装机 排名前 列 的国 家 图 4 新增 装机达 到 GW 级 的国家 数 数据来源PV InfoLink 上海证 券研究所 数据来源PV InfoLink 上海证 券研究所 全 球 平 稳 增 长 ; 中 国 平 稳 过 渡 。 由 于 全 球新 兴 国 家 光伏 装 机的旺盛,全球光伏装机预计保持平稳增长,根据 PV InfoLink 的数 据,2019、2020 年全球光伏新增装机为 112GW 、124GW , 同比增长 9 、 11 。 而中国在 2018 年 531 新政以后, 行业也 将迎来平稳发展, 预计中国 2019 、2020 年光伏新增装机为 43GW 、45GW ,同比增长 0 、5 。由于众多市场的兴起,中国的比重逐步降低。 图 5 全 球光 伏装 机 图 6 中国 光伏装 机 数据来源PV InfoLink 上海证 券研究所 数据来源PV InfoLink 上海证 券研究所 0 10 20 30 40 50 GW 6 9 15 0 2 4 6 8 10 12 14 16 2016 2017 2018 GW 0 10 20 30 40 50 60 0 20 40 60 80 100 120 140 2015 2016 2017 2018 2019E 2020E GW yoy -50 0 50 100 150 0 10 20 30 40 50 60 2015 2016 2017 2018 2019E 2020E GW yoy行业深度 6 2019 年 3 月 8 日 3、 平 价 上网 是 行 业 持续 发 展 的 根本 平 价 上 网 是 光 伏 行 业 的 未来。 光 伏平 价 上 网 , 分别对标传统能 源 发 电 成 本 与 用 户 购 电 成 本 , 即 通 常 说 的 发 电 侧 平 价 与 用 户 侧 平 价 。 发电侧平价 光伏发电即使按照传统能源的上网电价收购也能实现合 理利润。 用户侧平价 光伏发电成本低于售电价格, 根据用户类型及 其购电成本的不同, 又可分为工商业、 居民用户侧平价。 光伏实现平 价上网的终极目标 ,是能在发电侧实现平价上网。 2018 年 12 月 29 日,三峡集团新能源公司联合阳光电源建设的 中国首个大型平价上网光伏项目在青海格尔木正式并网发电, 标志着 替代煤电的平价清洁能源正式走进千家万户。 据介绍, 该项目总装机 规模 500MW , 占地 771 公顷, 总投资约 21 亿元, 是国内一次性建 成 规模最大的 “光伏领跑者” 项目, 也是国内首个大型平价上网光伏项 目。 该项目的平均电价为 0.316 元/ 千瓦时, 比青海省火电脱硫 标杆上 网电价0.3247 元/ 千瓦时 低 2.68 光 伏 平 价 上 网 的 好 处 行 业 真 正 实 现 市 场 化 , 降 低 行 业 的 投 资 成本。 光伏行业只有真正的实现平价上网, 才能步入良性的市场化发 展阶段,步入稳定增长的渠道。 根据目前的测算,到 2020 年前后有 望实现真正的平价上网。 从 光 伏 度 电 成 本 来 看 平 价 上 网 路 径 。 目 前 计 算光 伏 发 电 度电 成 本 (LCOE )的 公 式包 括两 个 国 内和 国 际。 以国 内 的光 伏发 电 度 电 成本测算公司来看, 计算度电成本的变量 有 6 个。 其中固定资产残值 VR 、第 n 年的折旧 Dn 基本是按比例取 ,第 n 年的运营成本 An 变 化也相对较少 。变化最大的是三个变量项目初始投资成本 I0 、第 n 年的利息 Pn 、第 n 量的发电量 Yn 。 发电量的变化对度电成本影 响 最 大 , 其次为 初始投资 、 贷 款 利 率 。 采 用 提 高 发 电 量 的 技 术 , 如 跟 踪 技 术 等 , 是 降 低 度 电 成 本 的 最 有 效 措 施 ; 获 得 较 低 的 贷 款 利 率 , 是降低度电成本最直接的措施 ; 降低初始投资 、 提高系统效率、 降低 组件衰减带来根本性的变化 。 行业深度 7 2019 年 3 月 8 日 图 7 国 内光 伏度 电 成本 测算 图 8 国际 光伏度 电 成本 测算 数据来源 智汇光伏 上海证券研究所 数据来源智汇光伏 上海证券研究所 光伏电站初始投资成本主要包括开发费用、 勘察设计费用、 施工 费用, 以及主材设备如光伏组件、 逆变器、 支架等。 其中组件成本占 初始投资成本达 57 ,光伏成本能否下降主要来源于组件成本。 图 9 光 伏项 目总 成 本 图 10 某 光伏 电站 初 始投 资成本 构 成 数据来源 中国电力企业管理 上海证券研究所 数据来源GCL SOLAR 上海证券研究所 光 伏 各 个环节 降 本 增效带 来 平 价上网 。 技术创新推动转换效率提 升,并降低度电成本LCE是光伏走向平价上网时代的根本保证。其 主要通过光伏系统制造的各个环节降低成本。 其中, 硅片环节主要通 过改良拉晶方法来实现更低的单位能耗和更高的产率, 通过降低硅片 的 厚 度 (薄片) 和 改 进 切 割 技 术 ( 金 刚 线 切 割 ) 以 节 省 硅 料 的 使 用 。 电池片环节主要通过不断研发、 应用更为高效的技术路线, 例如目前 正在进行的常规电池向高效 PERC 电池的升级, 未来向更高效的 N 型 HJT 等技术发展。组件环节则通过各种不同的封装工艺在既有的 电池片效率前提下, 尽量提升组件的输出功率或增加组件全生命周期 内的 单瓦发电量, 此外还有通过产线的自动化、 智能化改造以降低生 产成本 ,目前成熟的技术包括半片、叠瓦等。 行业深度 8 2019 年 3 月 8 日 1、 传统光伏 电 池 工艺 传 统 光 伏 电 池 的 生 产 工 艺 。 太 阳 能电 池 分 为 晶硅 类 和 非 晶硅 类 , 其中晶硅类电池又可以分为单晶电池和多晶电池 。 目前常规的电池是 P 型电池 。 传统的电池生产流程, 包 括从硅片出发经历清洗制绒、 扩 散制结、刻蚀、去除磷硅玻璃、PECVD 镀 反射膜、丝网印刷、烘干 烧结、分类检测 等工艺,完成电池的制造 。 ①清洗制绒 清除硅片表面油污和金属杂质 , 去除硅片表面的切割损 坏层 ; 在硅片表面制作绒面, 形成减反射 机构, 降低表面反射率 。 制 绒是利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀, 形成的半球状的绒面。 扩散制结 POCl3 液态分子在 N2 载 气 的 携 带 下 进 入 炉 管 , 在 高 温 下 经 过 一 系 列 化 学 反 应 磷 原 子 被 置 换 在 高 温 下 经 过 一 系 列 化 学 反 应磷原子被置换,并扩散进入硅片表面,激活形成 N 型掺杂,与 P 型衬底形成 PN 结。 刻蚀 去除扩散后硅片周边形成的短路环 。 去除磷硅玻璃去除硅片表面氧化层及扩散时形成的磷硅玻璃 。 PECVD 镀反射膜制作减少硅片表面反射的 SiN 薄膜。 丝网印刷 用丝网印刷的方法, 完成背场、 背电极、 正栅线电极的 制作,以便引出产生的光生电流 。 ⑦烘干烧结 烘干金属浆料,并将其中的添加料挥发 。 ⑧分类检测 通过模拟太阳光脉冲照射 PV 电池表面产生光电流,光 电流流过模拟负载, 在负载两端产生电压, 负载装置将采样到的电流、 电压传送给 SCLoad 计算, 得到 IV 曲线及其它指标。 SCLoad 根据测试 结果,按照给定的分类规则分类 行业深度 9 2019 年 3 月 8 日 图 11 电池 生 产流 程 数据来源百度文库 上海证券研究所 2、PERCSE 成为 P 型电池标配 通 过 降 低光学 和 电 学损失 提 升 电池光 电 转 换效率 。 影响晶硅 电 池 光电转换效率的原因主要来自两个方面 光学损失和电学损失。 光学 损失 包括电池前表面反射损失、 正面电极的遮光损失以及长波段的 非吸收透射损失。 在减少其损失方面, 有 表面制绒、 减反射膜、 减小 正面电极面积等方式 。 电学损失 包括硅片表面及体内的光生载流子 复合、 硅片体电阻、 扩散层横向电阻和金属电极 电阻, 以及金属和硅 片的接触电阻等造成的损失, 其中 光生载流子的复合 最大。 在减小 其 损失方面, 有增加钝化层、选择性发射极、异质结等 方式。 图 12 降低 电池 片 损失 的技术 数据来源 帝尔激光招股说明书 上海证券研究所 行业深度 10 2019 年 3 月 8 日 光 伏 电 池技术 路 线 。 目前 晶硅类电池的技术方向包括单晶和多晶。 多晶电池 逐渐向黑硅方向升级。单晶包括 P 型和 N 型。P 型电池中 PERC 技术逐渐成为主流, 叠加 SE (选择性发射极 ) 技术 , 电池效率 逐渐提升。但是 P 型电池有其转换效率的极限,而 N 型电池成为未 来高转换效率的方向, 目前包括 PERT 、 TOPCon (隧穿氧化钝化接触)、 IBC (全背电极接触)、 HJT (异质结) 四种技术路径。 下面将分别对 各 种 技 术 路 径 进 行 讲 解 , 对 各 种 技 术 路 径 的 讲 解 主 要 分 为 工 艺 特 点 、 优点、缺点、 工艺设备以及相应的厂家。 图 13 电池 技术 路 线 数据来源PV InfoLink 上海证 券研究所 1 )PERC 硅 片 内 部 和 硅 片 表 面 的 杂 质 及 缺 陷 会 对 光 伏 电 池 的 性 能 造 成 负 面影响, 钝化工序就是通过降低表面载流子的复合来减小缺陷带来的 影响, 从而保证电池的效率。 与常规单晶电池工艺相比,PERC 单晶 电池主要增加了 背面钝化和激光打孔两道工艺。 背面钝化工艺在硅片 背面沉积三氧化二铝和氮化硅, 对硅片背面进行钝化。 三氧化二铝由 于具备较高的电荷密度, 可以对 P 型表面提供良好的钝化 ; 氮化硅主 要作用是 保护背部钝化膜, 并保证电池背面的光学性能。 激光打孔工 艺 是 利 用 一 定 脉 冲 宽 度 的 激 光 去 除 部 分 覆 盖 在 电 池 背 面 的 钝 化 层 和 氮化硅 覆盖层, 以使丝网印刷的铝浆可以与电池背面的硅片形成有效 接触,从而使光生电流可以通过 Al 背场 导出。 PERC 目前成为电池升级的主流方向, 主要在于以下优点 升级 方便 在传统电池工艺基础上增加两个工序即可升级; 电池效率提升 明显多晶 1.0-1.2 ;单晶 1.2-1.5 。但是其缺点是其效率提升 存在极限。 行业深度 11 2019 年 3 月 8 日 图 14 PERC 工艺 流 程 数据来源爱旭科技 上海证券研究所 2 )SE ( 选 择性 发 射 极 ) SE (选择性发射极) 的原理主要是在 电极与硅片接触部位进行重 掺杂, 在 电极之间位置进行轻掺杂。 这样 既降低了硅片和电极之间的 接触电阻, 又降低了表面的复合, 提高了少子寿命。SE (选择性发射 极) 工艺有氧化物掩膜法、 丝网印刷硅墨水法、 离子注入法和激光掺 杂法 , 目前普遍使用的是 激光掺杂法, 激光掺杂法是采用扩散时产生 的磷硅玻璃层作为掺杂源进行激光扫描, 形成重掺杂区。 常规产线升 级成激光掺杂选择性发射极生产线, 工艺上只需增加激光掺杂一个步 骤, 从设备上来说, 只需增加掺杂用激光设备, 与常规产线的工艺及 设备兼容性很高 。由于工艺相对简单而且投资较少, 进入 2019 年, PERC 多数都采用了激光 SE 工艺。 行业深度 12 2019 年 3 月 8 日 3、N 型 电 池 是 下 一 步方 向 1 )N-PERT 电池 N 型电池由于结构的原因相对于 P 型具有较大的优势P 型的 少子是电子, N 型少子是空穴, 硅锭中的杂质和位错对电子的捕获原 大于空穴。N 型硅对铁等重金属杂质有较高的容忍 度,N 型硅在相同 重金属杂质浓度下有比 P 型电池更高的效率 , N 型硅电池和组件的初 始光诱导衰减几乎为零等。 以上各项优点导致其转换效率的上限比 P 型的高的多。 N-PERT 电 池工艺包括 ①双面制绒 ②上表面扩散硼制成 PN 结③ 背面扩散磷制成 NN 结④双面钝化薄膜 ⑤双面金属化。在 N 背表面场上, 采用 SiO2/SiNx 叠层钝化膜,SiO2 膜可以很好的对 N 面进行表面钝化,加上 SiNx 膜的带正电荷特性,可以同时获得较好 的 表 面 钝 化 和 场 钝 化 的 效 果 , 而 且 还 能 起 到 很 好 的 减 反 射 作 用 。P 掺杂面使用 Al2O3 薄膜钝化技术。 N 型用到双面掺杂、 双面钝化技术, 工艺难度增加, 与 P-PERC 双面电池对比以后,性价比不明显,目前已经证明为不 经济 的路线。 图 15 N-PERT 电 池 结构 图 16 N-PERT 电 池 工艺 数据来源N-PERT 高效电池工艺介绍 上海证券研究所 数据来源YINGLI SOLAR 上海证券研究所 2 )HJT ( 异质 结 ) 电池 以 N 型单晶硅c-Si 为衬底光吸收区,经过制绒清洗后,其正面 依次沉积厚度为 5-10nm 的本征非晶硅薄膜i-a-SiH 和 掺杂的 P 型非 晶硅p-a-SiH , 和硅衬底形成 p-n 异质结。 硅片的背面又通过沉积厚 度为 5-10nm 的 本 征 非 晶 硅 薄 膜i-a-SiH 和 掺 杂 的 N 型 非 晶 硅 n-a-SiH 形成背表面场。最后电池的两面沉积透明氧化物导电薄膜 (TCO), 然后 用丝网印刷的方法在 TCO 上制作 Ag 电极。 HJT 电池有如下优点 行业深度 13 2019 年 3 月 8 日 ①结构对称、 工艺简单、 设备较少。HJT 电池是在单晶硅片的两面分 别沉积本征层、掺杂层和 TCO 以及双面印刷电极。 其结构对称、工 艺相对简单。 ②低温制造工艺。HJT 电池采用硅基薄膜工艺形成 p-n 结发射区, 制 程中的最高温度就是非晶硅薄膜的形成温度200 ℃ , 避免了传统晶体 硅电池形成 p-n 结的高温950 ℃ 。 可以降低能耗、 减少对硅片的热损 伤。 获得较高的转换效率。 HJT 电池中的本征薄膜能有效钝化晶体硅和 掺杂非晶硅的界面缺陷, 形成较高的开路电压。 HJT 电池由于其较高的转换效率 (22.5-23.5 ) , 工序 少以及已 经有量产实绩, 成为下一代高效电池的主要发展方向。 但是其目前的 阻 碍 主 要 在 于 工 艺 要 求 严 格 、 需 要 低 温 组 件 封 装 工 艺 、 设 备 投 资 高 、 透明导电薄膜成本高。 图 17 HJT 电池结 构 数据来源 摩尔光伏 上海证券研究所 HJT 电池工艺主要包括制绒、非晶硅沉积、TCO 沉 积、丝 网印 刷。 非晶硅沉积主要使用 PECVD 。 TCO 薄膜沉积目前有两种方法 RPD 反 应 等离 子 体沉 积 和 PVD ( 物 理 化 学气 象沉 积 ) 。住 友重 工 拥 有 RPD 的专利,而 PVD 技术发展成熟,提供给设备的厂家较多 。 行业深度 14 2019 年 3 月 8 日 图 18 HJT 电池工 艺 数据来源 超高效 HJT 电池 概述 上海证券研究所 3 )TOPCon ( 隧 穿 氧化钝 化 接 触 )电池 TOPCon ( 隧 穿 氧 化 钝 化 接 触 ) 电 池 通 过 再 光 伏 电 池 背 面 制 备 一 层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层, 二者共同形成了钝 化接触结构, 为硅片的背面提供了良好的表面钝化。 由于氧化层很薄, 硅薄层有掺杂, 多子可以穿透这两层钝化层, 而少子则被阻挡, 如果 在其上再沉积金属, 就可以得到无需开孔的钝化接触。 实现了背面整 面钝化,且无需开孔接触 。 TOPCon 技术只需要增加薄膜沉积设备, 能很好地与目前量产工 艺兼容,便于产线升级。 但是其背面收光较差, 量产难度很高 图 19 TOPCon 电 池 结构 数据来源 摩尔光伏 上海证券研究所 行业深度 15 2019 年 3 月 8 日 4 IBC ( 全 背 电 极 接触) 电池 IBC (全背 电极接 触)电池 是 将正负两极 金属接触均 移到电池片 背面的技术, 使面朝太阳的电池片正面呈全黑色, 完全看不到多数光 伏电池正面呈现的金属线 。PN 结和金属接触都处于电池的背面 ,带 来更多有效发电面积, 也有利于提升发电效率 。IBC 效率最 高, 可以 达到 23.5-24.5 , 技术 难度极高, 设备投资高, 成本高, 国内尚未 实现量产。 图 20 IBC 电池结 构 数据来源360doc 上海证券研究所 4、 各种技术 对 比 , 谁将 胜 出 1 )PERC 目 前 技 术 比 较 成 熟 、 性 价 比 比 较 高 , 技 术 相 对 容 易 , 设 备 完成了国产化, 最高效率达到 22 , 成为这两年高效电池主要扩产的 技术,叠加 SE (选择性发射极 技术,预计到 2020 年前依然是光伏 电池 主流技术。 2 )N-PERT 可实现量产, 技术难度容易, 设备投资较少 。 但是与 双面 P-PERC 相比没有性价比优势,已经证明为不经济的技术路线。 3 )HJT 效率可达 22.5-23.5 ,工序少、可实现量产 ,目前已经有 Panasonic 、 上澎、 晋能 、 中智、 钧 石 等公司布局。 但是其 设备贵、投 资成本高,成为阻碍其大规模产业化的一点 。 4 ) TOPCon 背面收光较差, 量产难度很高, 目前有布局的企业包括 LG 、REC 、中来等。 5 )IBC 效率最高, 可以达到 23.5-24.5 , 技术难度极高, 设备投资 高,成本高,国内尚未实现量产,目前布局的企业包括 LG 、中来、 sunpower 。 从以上的对比来看, PERC 和 HJT 技术将是未来 光伏电池产能布行业深度 16 2019 年 3 月 8 日 局的主要方向。 图 21 光伏 电池 各种 技 术路线 对比 数据来源PV InfoLink 上海证 券研究所 图 22 各种 电池 片 转换 效率对 比 图 23 各种 技术 电 池片 占比 数据来源CPIA 上海证券研究所 数据来源CPIA 上海证券研究所 PERC HJT 1、PERC 电 池 设 备 企业 国 内 竞 争力 强 P 型 电 池 设 备国 产 化 率高 。 目前国内 P 型电池设备国产化率较高, 除了技术要求极高的板式 PECVD 、以及国外性价 较高的快速烧结炉行业深度 17 2019 年 3 月 8 日 需要进口外, 其他国内设备厂家已经具有很强的竞争力, 在下游客户 降本增效的需求下,市场占有率持续提高。 根据通威的公告通威合肥太阳能二期 2.3GW 高效晶硅电池片 项目, 在前期成都一期项目、 合肥技改项目大量引入了国产设备免费 试 用 , 如 印 刷 线 试 用 迈 为 、 科 隆 威 设 备 ,PECVD 、制绒工序试用 捷佳创设备。 在经过一段时间验证国产设备可靠性后, 为充分降低投 资 成 本 、 提 高 收 益 , 公 司 在 招 标 中 大 量 选 购 国 产 设 备 , “ 合 肥 太 阳 能 二期 2.3GW 高效晶硅电池片项目” 原主要设备约 90 需要 进口, 现 该比例已降至约 20 。 表 1 电池 设 备竞 争 格局 生 产 工序 生 产 设备 厂家 硅片清洗,制绒 清洗机 捷佳伟创 张家港超声 制绒设备 捷佳伟创 RENA 施密德 晶洲装备 扩散/制结 扩散炉 捷佳伟创 Tempress 丰盛装备 Centrotherm 北方华 创 电科48 所 激光掺杂 激光掺杂设备 帝尔激光 迈为股份 刻蚀 等离子刻边 等离子体刻蚀 机 捷佳伟创 RENA 施密德 退火 PERC PECVD板式) Meyer Burger PECVD管式) Centrotherm 丰盛装备 捷佳伟创 ALD solay tec 江苏微导 理想能源 PECVD PECVD 设备 捷佳伟创 Centrotherm Meyer Burger 激光开槽 激光设备 帝尔激光 迈为股份 大族激光 丝网印刷 丝网印刷机 迈为股份 Baccini 科隆威 烘干和烧结 快速烧结炉 despatch 分类检测 自动分选机 halm 数据来源 上海证券研究所综合整理 1 ) 制绒设备 制绒是利用碱对单晶硅表面的各向异性腐蚀, 工业生产中一般采 用成本较低的氢氧化钠或氢氧化钾稀溶液来制备绒面 。利用 Si 在稀 NaOH 溶 液中的各向异性腐蚀, 在硅片表面形成 3-6 微米的金字塔结 构。 理想的绒面效果 金字塔大小均匀, 覆盖整个表面 , 相邻金字塔 之间没有空隙, 具有较低的表面反射率 。 单晶硅的绒面制备, 能够有 效地提高电池转换效率, 由于市场的变化, 对绒面质量的要求也变的 越来越高 。 如何做出高质量的绒面, 不仅仅是工艺技术的问题, 还需 要 与 优 异 的 设 备 进 行 配 合 , 而 设 备 的 相 关 性 能 也 决 定 了 工 艺 的 效 果 。 目前制绒设备 技术指标控制严格的包括 工艺温度、 溶液均匀性、 产行业深度 18 2019 年 3 月 8 日 能等。 为了保证反应条件的一致性, 温控精度要在±1 ℃; 溶液均匀 性 和 产 能 也 是 重 要 的 考 察 点 。 目 前 国 内 外 的 设 备 厂 家 包 括 RENA 、 施 密德 、 捷佳伟创、 晶洲装备等。 国内以捷佳伟创为代表的设备企业在 产能、 控温精度、 自动配补液精度等方面的性能已经达到世界先进水 平。 表 2 不 同厂 家制 绒 设备 技术指 标 对比 关 键 性能 指标 国 际 同类 设备商 捷 佳 伟创 国 内 同类 设备商 产能(片 /h ) 6000 6500 2400-3300 控温精度(℃ ±1 ±1 ±2 碎片率≤ 0.05 0.05 0.10 单晶制绒及反射率 ≤8 ≤11 12.5 自动配补液精度 ± 1 ± 1 5 机械手方式移动速度mm/s 1500 1500 700-1500 机械手方式定位精度(mm ±1 ±1 ±1 -5 数据来源捷佳伟创招股说明书 上海证券研究所 2 ) 扩散设备 扩散主要是电池片制 PN 结的过程, 扩散工艺的好坏直接影响电 池片效率的多少。扩散的方法包括 三氯氧磷POCl3 液态源扩散、 喷 涂 磷 酸 水 溶 液 后 链 式 扩 散 、 丝 网 印 刷 磷 浆 料 后 链 式 扩 散 。 目 前 国 内多采用第一种方法 三氯氧磷POCl3 液态源扩散,其具有稳 定 、 可控性强 等 优 点 。POCl3 液 态 分 子 在 N2 载 气 的 携 带 下 进 入 炉 管 , 在高温下经过一系列化学反应磷原子被置换。POCl3 在高温下 600 ℃分解生成五氯化磷PCl5 和五氧化二磷P2O5 ,POCl3 分解 产生的 P2O5 淀积在硅片表面,P2O5 与硅反应生成 SiO2 和磷原子, 并 在 硅 片 表 面 形 成 一 层 磷- 硅 玻 璃 , 然 后 磷 原 子 再 向 硅 中 进 行 扩 散 。 扩散设备的核心 技术指标是扩散方阻均匀性, 其他指标包括控温精度 和稳定性、 工艺时间等。 扩散炉的提供厂家包括 Tempress 、 Centrotherm 、 捷佳伟创、丰盛装备、北方华创 、电科 48 所等。 表 3 不同 厂家扩散 设备 技术指 标 对比 关 键 性能 指标 国 际 同类 设备商 捷 佳 伟创 国 内 同类 设备商 电池片进炉吹扫除尘及出炉快速冷却 无 有 无 恒温区长度 mm 1600 1600 1300-1600 工艺时间(分钟) 60-80 60-80 80-90 控温精度(℃ ± 0.5 ± 0.5 ± 0.5 温度稳定性(℃/24h ± 0.5 ± 0.5 ± 0.5-1 方阻均匀性 3 4 4 数据来源捷佳伟创招股说明书 上海证券研究所 3 钝化 和 PECVD 设备 行业深度 19 2019 年 3 月 8 日 传统 PECVD 工 艺主要是 镀反射膜 制作减少硅片表面反射的 SiN 薄膜。 高效 PERC 电池工艺中增加了背面钝化工艺, 背面钝化工 艺在硅片背面沉积三氧化二铝和氮化硅,对硅片背面进行钝化。 目前 PERC 电池中钝化工艺包括两种方式一种是使用 PECVD (等离子体化学气相沉积) 设备一次性完成 三氧化二铝和氮化硅膜的 层叠; 二是使用 ALD (原子层沉积) 设备完成 三氧化二铝镀膜; PECVD 完成 氮化硅镀膜。 ALD ( 原 子层 沉 积) 设备 独 立完 成 三 氧 化二 铝镀膜,ALD 镀膜 具有 低温沉积、 速度慢、 膜质好 等优点, 但是稳定性待检验; 设备厂 家包括solay tec 、理想能源、江苏微导 等。 目前 PECVD 分为板式 PECVD 和管式 PECVD 。 板式 PECVD 钝 化膜生长及氮化硅覆膜集成一体, 设备及工艺相对稳定, 市场暂时领 先,Meyer Burger 公司优势突出。 管式 PECVD 用石英管作为沉积腔室, 使用电阻炉作为加热体, 将一个可以放置多片硅片的石墨舟插进石英管中进行沉积。 其膜质较 好, 有增加氧化硅提升钝化效果潜力, 少量试产, 损伤及绕镀现象待 检验 ,设备厂家包括 Centrotherm 、 捷佳伟创、
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