硅片清洗过程-solarbe文库

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太阳能电池硅片清洗过程制绒 -扩散 -刻蚀 -清先去 PSG-沉积减反射膜 -丝网印刷 -烧结 -分选 -组装以下为制绒工艺1、去损伤层目的用高温 NaOH 或 KOH 去除硅表面的切割损伤层，划痕、手印、杂质等要求浓度 20，温度 80C，时间 5min 达到硅片表面减薄 10-20μ m 注意事项 1、浓度保证为 20，要求有补液槽，补充每次清洗的消耗。2、 80C 温度要有加热管。3、 30S 时间准确控制。4、有自动盖，减少挥发。2、温水隔离目的稀释硅表面或洗篮上残留的碱液。要求水 50C，时间 5min 达到浓碱被稀释注意事项 1、要有鼓泡2、鼓泡要均匀3、换水 a、溢流 1-2 方 /小时，快排 7S， 30S 上水，补水管口径 1 寸，水压 2kg。3、 A 单晶制绒面目的通过高温低浓度的 NaOH/KOH 将硅表面腐蚀出均匀的金字塔型表面，减少硅片对光的反射。要求在浓度为 3左右时，在 80C 上下的温度，约 25min 增加一定量的乙醇，加快溶液反应，起到消除气泡的作用。达到硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸 2-10μ m 之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。工艺要求有鼓泡，有加热管，循环泵，使溶液均匀，温度均匀，浓度均匀。注意事项 a、浓度、温度和清洗时间有一定的比例。b、在制绒过程中不能有鼓泡。c、测温点靠近硅片中部。d、从制绒槽到水洗槽的时间控制在 20s 以内。（否则在高温状态下残留的碱液会挥发留下硅表面。B 多晶制绒目的通过恒定温度，较高浓度的酸液制绒（ HNO3HF ）要求浓度 60左右温度 15-20C，时间 3-4min 达到硅片表面形成金字塔，大小均匀，单体尺寸 2-10μ m 之间，相邻金字塔之间没有空隙的完整绒面。注意事项 a、硅与酸反应是放热过程，需要降温，制冷。b、有循环泵和溢流，保证温度。工艺流程注酸放料排酸注水喷淋鼓泡提料排水注酸c、加自动盖和喷淋 HNO3HF 在高温下有很强的挥发性，有害酸气会会腐蚀设备和损害人体，加盖保护。d、喷淋在酸洗条件下，硅片容易干掉，排酸后要立刻喷淋，防止硅片干。e、不能让酸泄漏，洗槽材质先用 PVDF 。4、水洗目的洗掉留在硅片上的酸液或碱液要求纯水温度 50C，时间 5min（目的减少硅片速热速冷产生裂痕）达到硅片表面干净，稀释溶液。注意事项 a、增加鼓泡，鼓泡要均匀，减少槽内死角。b、增加速排，速进。工艺流程注水入料鼓泡排水注水鼓泡提料注水5、水漂洗目的二次清洗硅片或清洗篮残留溶液。要求常温、纯水、时间 5min 达到清洗干净注意事项 a、有鼓泡、溢流b、使水流至上一工位使用6、酸碱中和目的洗掉上一工位未能彻底清洗的溶液残留，酸碱中和要求较低浓度的酸 /碱，温度常温（加热一定温度更好）达到硅片表面 PH 值尽可能接近正常7、水洗目的洗掉上一工位残留的酸 /碱要求常温、时间 5min 8、 HF 清洗目的除去硅片上的重金属离子要求浓度 10左右，常温，时间 5min 达到硅片去除重金属离子，便于扩散9、水洗目的洗掉上一工位残留的酸 /碱要求常温、时间 5min 10、水漂洗目的二次清洗硅片或清洗篮残留溶液。要求常温、纯水、时间 5min 达到清洗干净注意事项 a、有鼓泡、溢流b、使水流至上一工位使用11、预脱水目的高洁净纯水（ 18ω超纯水）加热后的表面张力将硅片表面的水珠去除 ,再烘干 ,可减少水珠残留造成的水痕要求水温在 60-70C，提拉速度 1.5-2mm/s 达到硅片表面无白点和花点注意事项 a、提拉时水面静止b、水一定要干净，并且不能有气泡，热水在副槽加热。c、水温控制到没有蒸汽最好， 80C 时，水的表面张力最好，但 80C 水有蒸汽，硅片会再次被打湿。d、加热后工件表面预热晚脱水12、烘干目的通过高洁净的空气或氮气加热后对硅片与清洗篮之间的夹角，或脱水不到的地方进行干燥。要求 80C， 5min 达到硅片和篮子各处干燥制绒面有 4 个槽，是为了缩短工艺时间，循环作业方式。去 PSG 工艺1、 HF 清洗目的通过 HF 将扩散后在硅表面形成的一层磷硅玻璃腐蚀掉要求 10HF,5min 2、水洗目的洗掉 HF 要求常温、鼓泡3、水洗目的洗掉上一工位残留的酸 /碱要求常温、时间 5min 4、预脱水5、烘干