【研报】钙钛矿行业深度报告：下一代光伏电池新秀，产业化曙光初现---东吴证券.pdf-solarbe文库

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下一代光伏电池新秀，产业化曙光初现 -----钙钛矿行业深度报告证券研究报告 ·行业研究 ·电力设备与新能源行业 1 电新首席证券分析师曾朵红执业证书编号 S0600516080001 联系邮箱 zengdhdwzq.com.cn 新能源首席证券分析师陈瑶执业证书 S0600520070006 联系邮箱 chenyaodwzq.com.cn 2023年 02月 06日 2 摘要 ◆ 提效快、成本低，钙钛矿潜力十足钙钛矿为有机无机金属卤化物 ABX3，可由人工合成，配方达几十万种，且材料光电损失小。效率上晶硅电池理论效率极限 29.4，目前最高已达 26.8，而单结钙钛矿肖克利极限 33.7，可调整配方来靠近理论上限。钙钛矿叠层发展潜力更广成本上钙钛矿材料可人工合成、原材料成本低、不易受限， GW级别量产钙钛矿材料成本占比约 3，组件成本 150um 500nm 弱光效应差，阴雨天气和日出日落基本不工作好，阴雨天气和日出日落能工作温度效应高，受温度影响较大大 10倍低，适合极端低温和高温综合成本高，全口径平价上网还需努力低，可全口径实现平价上网柔性电池难以制备为柔性电池易制备为柔性电池 15 PART2 单结 /叠层多元发展，钙钛矿技术百花齐放 16 钙钛矿电池结构单结电池叠层电池各有特点 ◆ 钙钛矿电池目前研究进展主要分为单结电池和多结叠层电池。钙钛矿单结电池不需要依托 PN结就能产生光生伏特效应，结构简单，仅有五层；由于钙钛矿带隙可调节，因此可以搭配其他半导体材料进行叠层，叠层后的多结电池可以覆盖大部分带隙，实现光子全方位吸收，实现电池效率成倍增长。 ◆ 单结电池产业化生产主要为平面反式结构。单结钙钛矿电池结构可分为介孔结构和平面结构，平面结构又可分为正式结构和反式结构；透明导电电极、电子传输层、钙钛矿光电吸收层、空穴传输层、金属电极为主要结构要素；由于平面反式结构具备可低温制备、稳定性较高优势，目前广泛用于产业化生产。 ◆ 钙钛矿 /晶硅叠层研究进展领先，两端叠层方式具备产业化生产前景。目前主流钙钛矿叠层技术为钙钛矿 /晶硅叠层、钙钛矿 /钙钛矿叠层、钙钛矿 / CIGS叠层，由于钙钛矿 /晶硅叠层具备底电池（晶硅电池）技术成熟稳定的优势，在诸多叠层中研究进展最快，实验室效率领先。两端叠层方式，是指子电池通过互联界面串联，仅需一个透明电极，成本较低，在工艺方面具备发展前景。数据来源 Web of Science 、 HZB、东吴证券研究所图单结电池结构（平面正式结构为例）图叠层电池结构（钙钛矿 /晶硅叠层为例） 17 钙钛矿电池结构单结 ◆ 单结电池结构主要分为介孔结构和平面结构，平面结构又被分为正式结构 n-i-p和反式结构 p-i-n。根据有无介孔骨架电子传输层（ mesoscopic layer），区分介孔结构和平面结构；根据透明导电电极上先为电子传输层，还是先为空穴传输层，区分正式结构和反式结构。 ◆ 平面反式结构器件可低温制备、稳定性好，是产业化生产的主流结构。介孔结构的介孔层需要高温制备，工艺难度较大，平面结构没有介孔层，可低温制备，节省能源；反式结构采用无机金属氧化物替代有机物 Spiro- OMeTAD作为空穴传输层，稳定性较好。数据来源 Web of Science 、东吴证券研究所图单节钙钛矿电池结构介孔结构平面正式结构平面反式结构 mesoscopic layer 18 钙钛矿电池结构介孔结构 ◆ 介孔结构类似三明治层状结构，结构简单，主要分为 5层 1）透明导电电极主要作用是将收集到的电子传输到外电路，同时具备较高光透过率，目前主要采用 FTO玻璃。 2）介孔电子传输层将钙钛矿受光子激发后的电子提取出来，同时阻挡空穴向阴极方向迁徙；具备较高光透过率，便于更多光子照在钙钛矿吸收层上；介孔为钙钛矿吸收层提供骨架支撑的作用；主要材料是 TiO2。 3）钙钛矿吸收层受到光子激发，形成电子 -空穴对，产生光电效应。 4）空穴传输层传输空穴，阻止电子传输；主要材料是有机物 Spiro-OMeTAD。 5）金属电极传输电子，主要材料是银。 ◆ 介孔能够作为骨架支撑钙钛矿，但是高温制备，工艺难度大。介孔有钙钛矿支撑骨架作用，增大钙钛矿吸收层与电子传输层的接触面积，有效提高电子传输效率；介孔层的制备通常需要 400-500℃ 的高温退火处理，增加了工艺难度。数据来源 Web of Science 、东吴证券研究所图介孔结构 mesoscopic layer 19 钙钛矿电池结构平面结构 ◆ 平面结构相对于介孔结构少了介孔层，可低温制备。平面结构直接在致密 TiO2电子传输层上旋涂钙钛矿，结构相对介孔结构简单，能够用低温溶液法制备，更利于柔性电池、叠层电池和大面积电池的发展。 ◆ 正式结构和反式结构主要区别是，光先透过电子传输层还是空穴传输层。对正式结构而言，透明电极上为电子传输层，太阳光穿过透明电极后，透过电子传输层再到吸光层；对反式结构而言，透明电极上为空穴传输层，太阳光穿过透明电极后，透过空穴传输层再到吸光层。 ◆ 反式结构尽管效率不及正式结构，但迟滞较小、填充率较高、稳定性更好，适合量产。目前钙钛矿最高效率 25.7是正式结构，反式结构经过多年发展也达到了 24.3的效率，与正式结构差距减小。反式结构的主要优势在于，光先透过空穴传输层，可以使电池迟滞性较小，填充率较高。另外，正式结构空穴传输材料多为有机物 Spiro-OMeTAD，同时为了增加导电性通常需要添加对水氧敏感的 Li盐、 Co盐等，尽管获得了高效率但也牺牲了器件的稳定性；反式结构空穴传输层材料多为无机金属氧化物如 NiOx、 CuO等，器件稳定性好。数据来源 Web of Science 、东吴证券研究所图平面结构平面正式结构平面反式结构图反式结构效率 20 钙钛矿电池结构叠层 ◆ 叠层结构分为窄带隙底电池、互联结 /隧穿结、宽带隙顶电池三部分。宽带隙电池作为顶电池吸收较高能量光子，窄带隙电池作为底电池吸收较低能量光子，实现子电池对太阳光谱分段利用，从而避免高能光子的热化损失，提高太阳能利用率和电池光电转换效率。钙钛矿 ABX3通过改变 A、 B、 X组分可实现带隙宽度从 1.172.8 eV 调节，能够与其他中窄带隙底电池匹配。 ◆ 两结叠层电池为主要应用方向，钙钛矿 /晶硅叠层目前效率最高。叠层的结数越多，理论上可以获得更高的效率，但是考虑到成本，目前两结叠层电池为主要应用方向；钙钛矿 /晶硅叠层和钙钛矿 /钙钛矿叠层的电池效率较高，分别为 32.5和 28，成为目前叠层电池研究领域的焦点，钙钛矿 /CIGS 叠层电池效率也获得了很大提升，成为下一代光伏电池很有潜力的竞争者。数据来源中国知网、 Web of Science、东吴证券研究所图叠层电池结构（以钙钛矿 /晶硅叠层为例）图钙钛矿叠层实验室发展历程宽带隙顶电池窄带隙底电池互联层 /隧穿结 21 钙钛矿电池结构钙钛矿 /晶硅叠层 ◆ 钙钛矿 /晶硅叠层，是以晶硅作为底电池。晶硅电池带隙较窄，只有 1.12eV，作为叠层的底电池，宽带隙（ 1.67eV-1.75eV）的钙钛矿作为顶电池。 ◆ 晶硅电池作为底电池较为稳定， HJT与钙钛矿叠层最为适配。晶硅电池工艺成熟，作为底电池较为稳定，相比其他类型叠层具备潜在的低制造成本； HJT由于具备良好的非晶硅钝化层、对称结构以及透明导电氧化物（ TCO），与钙钛矿层最为适配。 ◆ 互联层结构和材质都会造成光电损失。 1）互联层结构方面，可以分为平面和陷光结构，平面结构光发射强，不利于透光；陷光结构，光反射弱，但表面凹凸不平，均匀涂抹钙钛矿是一大挑战。 2）互联层材质方面，多使用 TCO，其中最常见的 TCO是铟掺杂氧化锡（ ITO），具有优良的电导率和光透射率，然而 ITO 折射率与硅基底不匹配，造成 800nm 以上波段光反射损失。 ◆ 钙钛矿 /晶硅叠层拥有叠层结构最高效率 32.5 ，改善互联层材质和钙钛矿顶电池稳定性是突破口。缘于晶硅底电池的稳定性，钙钛矿 /晶硅整体稳定性最强，研究进展最快，实验室效率最高，德国 HZB研究中心 22年 12 月认证最高效率 32.5； a-SiH 和 nc-SiH 材料具有横向电导率、寄生损耗和反射损耗低的特点，成为叠层电池中互联层的理想材料；除此之外，和单结电池一样，提升钙钛矿电池本身光电性能，也是叠层电池的核心点，比如通过添加剂工程，降低非辐射复合。数据来源中国知网、东吴证券研究所图钙钛矿 /HJT叠层结构图、截面 SEM图 22 钙钛矿电池结构钙钛矿 /钙钛矿叠层 ◆ 钙钛矿 /钙钛矿叠层，是通过人工分别合成宽带隙和窄带隙钙钛矿。由于钙钛矿带隙可调节，将窄带隙（ 1.25eV左右）钙钛矿作为底电池，宽带隙（ 1.75eV左右）钙钛矿作为顶电池。 ◆ 钙钛矿 /钙钛矿叠层目前效率逐渐赶上钙钛矿 /晶硅叠层，度电成本更低，工艺更简单。钙钛矿 /钙钛矿叠层，两个子电池带隙均可以灵活调节，能够最大程度上实现太阳光谱高效利用，使得开路电压超过了钙钛矿 /晶硅叠层电池，目前钙钛矿 /钙钛矿叠层最高实验室效率为 29（南京大学谭海仁团队）。钙钛矿 /晶硅叠层度电成本为 5.22美分 /KWh，钙钛矿 /钙钛矿叠层度电成本为 4.22美分 /KWh ，低于晶硅叠层。钙钛矿 /钙钛矿叠层是在玻璃上涂抹顶电池，相比钙钛矿 /晶硅叠层在晶硅绒面上涂抹钙钛矿工艺简单。 ◆ 相比钙钛矿 /晶硅叠层，全钙钛矿叠层除了需提升宽带隙钙钛矿和互联层性能，还需解决窄带隙钙钛矿不稳定问题。窄带隙钙钛矿主要含锡，锡离子易氧化导致钙钛矿不稳定；窄带隙电池沉积过程中存在溶剂对宽带隙钙钛矿电池降解的风险。目前对窄带隙钙钛矿稳定性的提升，主要采用和宽带隙钙钛矿相似的添加剂工程。数据来源中国知网、 Web of Science 、东吴证券研究所图钙钛矿 /钙钛矿叠层结构图图度电成本对比 23 钙钛矿电池结构钙钛矿 /CIGS叠层 ◆ CIGS窄带隙宽度可调，具有较高光吸收系数。将窄带隙 CIGS作为底电池，宽带隙钙钛矿作为顶电池，因为 CIGS窄带隙宽度可调且具备高的光吸收系数，理论上可以获得比钙钛矿 /晶硅叠层结构更高的光电性能。 ◆ 钙钛矿 / CIGS 叠层工艺环节存在分流效应，影响电池效率。 CIGS 电池结构限制了顶部钙钛矿只能是 p-i-n（反式）结构； CIGS 电池结构通常通过真空方法沉积，如溅射或共蒸发，往往导致表面粗糙度较大，一般表面高度方均根最高可以达到 200 nm，尽管钙钛矿吸收层的厚度在 500-1000 nm 范围，但是空穴传输层厚度不超过 100 nm，不足以完全覆盖纳米粗糙表面，导致潜在的分流效应。 ◆ 钙钛矿 / CIGS 叠层目前最高实验室效率为 24.2（德国 HZB研究中心），在三种叠层技术中较为落后。数据来源中国知网、东吴证券研究所图钙钛矿 /CIGS叠层结构图、截面 SEM图 24 钙钛矿电池结构四端叠层两端叠层 ◆ 四端叠层和两端叠层主要差异双电路单电路四端叠层两个子电池独立制作，并且两子电池仅在光学上存在联系，电路相互独立。两端叠层在底层电池上直接沉积钙钛矿电池制成，通过互联层或隧道结将两个子电池串联连接。 ◆ 四端叠层子电池可以最大功率运行，但是总成本高。四端叠层可以分别设计两个子电池的最佳制造条件，且两个子电池可以相互独立的运行在它们的最大功率点上；但是需要三个电极使用透明电极，以减小寄生吸收，同时电池输出电路的复杂度加倍，总体成本较高。 ◆ 两端叠层成本低、寄生吸收少，但两个电池电流需严格匹配。两端叠层只需要一个透明电极，更少的沉积步骤，制造成本极大地降低；电极的减少使得非吸收层的寄生吸收减少，可以期望获得更高的光电流。因其子电池串联的特性工作时两子电池电流必须严格匹配，光线入射角度的变化容易造成电流失配，需要精巧的设计才能获得高效率。 ◆ 从产业化角度，两端叠层更有前景。数据来源中国知网、东吴证券研究所图四端叠层和两端端叠层结构 25 比较内容单结电池叠层（双结）钙钛矿 /晶硅钙钛矿 /钙钛矿带隙宽度（ eV）宽带隙 1.55-1.7 宽带隙 1.67-1.75，窄带隙 1.12-1.25 宽带隙 1.67-1.75，窄带隙 1.12 宽带隙 1.75，窄带隙 1.25 理论效率 Shockley-Queisser极限 33 突破 43 突破 43 比钙钛矿 /晶硅叠层高实验室最高效率 25.7 32.5 32.5 29.0 结构类似三明治 5层结构宽带隙 /窄带隙电池堆叠，存在互联界面宽带隙 /窄带隙电池堆叠，存在互联界面宽带隙 /窄带隙电池堆叠，存在互联界面光电损失钙钛矿电池非辐射复合钙钛矿电池非辐射复合、互联层光反射损失宽带隙钙钛矿电池非辐射复合、互联层光反射损失宽带隙和窄带隙钙钛矿电池非辐射复合、互联层光反射损失稳定性钙钛矿本身结构缺陷导致不稳定钙钛矿本身结构缺陷导致不稳定宽带隙钙钛矿结构缺陷导致不稳定宽带隙钙钛矿结构缺陷导致不稳定、窄带隙钙钛矿相比宽带隙更不稳定成本（ LCOE，美分 /KWh） 4,34 4.22-5.22 5.22 4.22 优势只需解决宽带隙钙钛矿问题，技术难度稍小，而且做叠层也需先解决单结钙钛矿电池存在的问题；度电成本低效率上限高效率上限高；底电池工艺成熟，稳定性好；充分发挥与晶硅产业链协同作用；目前科研进展最快效率上限高；度电成本最低；互联层技术难度相对钙钛矿 /晶硅叠层小；上下电池寿命一致；钙钛矿底电池工艺整体比晶硅电池简单劣势效率上限低需要解决钙钛矿电池和互联层两方面问题，技术难度大互联层技术难度大；度电成本高；晶硅和钙钛矿电池寿命不一致；晶硅电池工艺整体比钙钛矿底电池难额外需要解决窄带隙钙钛矿不稳定的问题，需要精细控制钙钛矿配方主要企业（量产 /中试线）协鑫光电、纤纳光电、极电光能牛津光伏、杭萧钢构、华晟新能源、仁烁光能牛津光伏、杭萧钢构、华晟新能源仁烁光能主要企业（战略规划阶段）曜能光电曜能光电、隆基绿能、天合光能、中来股份、黑晶光电、晶科能源隆基绿能、天合光能、中来股份、黑晶光电、晶科能源 - 量产路线选择单结 or叠层钙 /晶 or钙 /钙数据来源中国知网、 Web of Science 、东吴证券研究所表不同技术路线优劣势对比 ◆ 单结 or叠层、钙钛矿 /晶硅 or钙钛矿 /钙钛矿叠层，是当前量产技术路线主要区别。目前工业界出于稳定性、效率、成本的统一考虑，基本比较认同单结结构方面采用平面反式结构，叠层方式上采用两端叠层。在技术路线上的差异主要表现在做单结还是叠层电池，如果做叠层，是做钙钛矿 /晶硅叠层，还是全钙钛矿叠层。 ◆ 不同技术路线各有优劣，目前晶硅大厂倾向选择钙钛矿 /晶硅叠层的路线，全钙钛矿路线比较适合初创企业。 1）效率上，钙钛矿 /晶硅叠层发展最快，效率最高； 2）光电损失上，单结电池损失最小； 3）稳定性上，全钙钛矿电池稳定性最差； 4）成本上，全钙钛矿电池成本度电最低； 5）主流厂商选择路线量产阶段，单结和叠层电池厂商数量相近，战略规划阶段，大部分厂商选择叠层电池，在叠层电池中，晶硅大厂为发挥技术优势，首选钙钛矿 /晶硅叠层。仁烁光能独树一帜选择全钙钛矿叠层，为初创企业技术路线选择提供参考。 26 PART3 工艺铸就核心竞争力，设备国产化降本可期 27 钙钛矿生产设备镀膜、激光、涂布、封装 ◆ 钙钛矿电池组件生产共需要镀膜设备、激光设备、涂布设备、封装设备四种设备。钙钛矿组件生产中材料、工艺、设备互相配合铸就钙钛矿企业的核心竞争力。从工艺角度出发，钙钛矿电池组件在生产中需要用到 4类设备，已有部分国产化选择。数据来源协鑫光电、众能光电、东吴证券研究所钙钛矿组件结构（反式平面结构）透明导电层（顶电极）玻璃基板衬底电子传输层（ ETL）钙钛矿层空穴传输层（ HTL）金属对电极（背电极） P1层 P2层 P3层 P4激光清边封装 → 测试钙钛矿组件生产流程阳极缓冲层激光 P1 钙钛矿涂布阴极缓冲层激光 P2 背电极激光 P3 激光 P4 组件封装输入钙钛矿溶液输入 FTO玻璃，缓冲层靶材输入缓冲层靶材输入背电极靶材输入背板玻璃、 POE胶膜、接线盒生产线设备镀膜设备（ PVD）激光设备涂布设备镀膜设备（ PRD、 ALD、 PVD）激光设备镀膜设备（ PVD、 PRD）激光设备激光设备封装设备 28 镀膜设备价值最高，为未来降本主要途径 ◆ 镀膜设备价值量最高，占据设备投资绝大比例。百 MW级产线的核心总投资额约 1.2亿元，其中镀膜设备激光设备涂布设备封装设备投资比例为 50 25 15 10；生产百 MW级钙钛矿需要镀膜设备 3台（ 2台 PVD，单价 1000万 /台； 1台 PRD，单价 2000万 /台）、激光设备 3-4台大多数 4台，总价值量 1000-1500万；涂布设备单台 1000万 /台，湿法制备需 2台，钙钛矿层钝化层合计 2000万；封装设备 1台，单台价值 1200 万左右，连同后道设备价值量共 3000万。镀膜设备总投资额占比最高，未来镀膜设备国产化钙钛矿生产降本为主要途径，后续 GW级设备投资预计为 7-8亿元 /GW。数据来源各公司公告、东吴证券研究所镀膜设备激光设备涂布设备封装设备价格万 /台 1000-2000 250-3751000 1200 公司迈为股份市值 754.85亿元大族激光市值 277.64亿元帝尔激光市值 231.35亿元德龙激光市值 50.68亿元杰普特注册资本 0.94亿元上海德沪涂膜注册资本 0.13亿元众能光电注册资本 0.18亿元大正微纳注册资本 0.14亿元弗斯迈注册资本 0.10亿元捷佳伟创市值 410.60亿元晟成光伏注册资本 4.58亿元众能光电注册资本 0.18亿元科晶智达注册资本 0.05亿元弗斯迈注册资本 0.10亿元价值量万 4000 1000-15002000 1200 29 镀膜设备主要包括 PVD、 PRD、 ALD三种设备 ◆ 目前镀膜装备包括 PVD、 PRD、 ALD三种，而 PVD技术又分为真空蒸镀法、溅镀法和离子镀法。 ➢ 金属对电极（背电极）主要使用蒸镀 PVD，目前已经比较成熟，还可使用 PRD等离子反应设备制作； ➢ 电子传输层（ ETL）主流使用 RPD设备；或先用 RPD或 ALD设备制作阻隔层，再用溅镀 PVD做传输层； ➢ 空穴传输层（ HTL）主流使用溅射 PVD，也可使用蒸镀 PVD； ➢ 玻璃基板衬底使用溅射 PVD形成导电层，技术较为成熟。数据来源 PVD镀膜公众号、东吴证券研究所钙钛矿组件结构（反式平面结构）透明导电层（顶电极）玻璃基板衬底电子传输层（ ETL）钙钛矿层空穴传输层（ HTL）金属对电极（背电极） ①溅射 PVD ②蒸镀 PVD ① RPD ② RPDALD ①蒸镀 PVD ② RPD ①溅射 PVD 镀膜技术 PVD RPD ALD 沉积原理物理气象沉积等离子体沉积表面饱和式反应优点 1.沉积速度较快；2.镀膜具有单一方向。 1.离子能量低，对电池损伤小； 2.光透过率高，电导率高。 1.薄膜厚度较薄； 2.均匀性好； 3.阶梯覆盖率好。缺点 1.薄膜厚度较厚，精度控制差； 2.厚度均匀性差； 3.阶梯覆盖率差。 1.需多个靶平行放置，影响产能； 2.靶材利用率低，成本较高。 1.沉积速度较慢。应用 1.方案成熟、成本更优； 2.等离子轰击造成电池性能下降。 1.电池转化效率更高； 2.量产难度较大，生产效率较低。 1.能满足对薄膜厚度、精度的更高要求。图表主要镀膜方式比较 30 镀膜设备捷佳伟创晟成科技产业化进展领先 ◆ 目前国内生产镀膜设备的主要厂家有捷佳伟创、晟成光伏、科晶智达、弗斯迈、众能光电等。其中捷佳伟创及晟成光伏产业化进程最为靠前。 ➢ 捷佳伟创公司于 2022年 7月量产钙钛矿太阳能电池生产关键量产设备 RPD，并顺利出货了 GW级 HJT电池产线设备。 ➢ 晟成光伏公司于 2021年 5月与业内钙钛矿电池领先企业开展开发战略合作，目前公司研发的钙钛矿电池团簇型多腔式蒸镀设备现已量产 ,并成功应用于多个客户端。数据来源各公司公告、东吴证券研究所图表镀膜设备企业产业化进展图表 PVD设备示意图企业名称产业化进展捷佳伟创 122年 7月钙钛矿太阳能电池生产关键量产设备 “立式反应式等离子体镀膜设备 ”RPD通过厂内验收，将发运客户投入生产； 2） 22年 7月公司顺利出货了 GW级 HJT电池产线设备 ,并再次中标某领先公司的钙钛矿电池量产线镀膜设备订单。晟成光伏 1） 21年初，晟成光伏投资 10亿新建智能装备制造中心，项目用于新增高端光伏组件设备生产线以及建立制备异质结和钙钛矿叠层电池核心设备研发机构。 2） 21年 5月，晟成光伏与业内钙钛矿电池领先企业开展钙钛矿叠层电池技术开发战略合作。 3）公司研发的钙钛矿电池团簇型多腔式蒸镀设备现已量产 ,并成功应用于多个客户端。科晶智达可提供钙钛矿太阳能电池制备的全套方案，包括磁控溅射仪，蒸发镀膜，PECVD设备。弗斯迈提供钙钛矿组件自动化产线整体解决方案，针对钙钛矿电池组件的特殊工艺需求，为客户量身开发了核心设备及零部件，确保生产过程中的精度要求以及工艺要求。众能光电公司开发了一系列钙钛矿光电器件装备，包括喷雾热解镀膜机、玻璃切割机、高精度涂布机、激光刻蚀机、真空蒸镀机、磁控溅射机、 PECVD和 SALD等，拥有近 20项发明和实用新型专利，已通过 ISO9001国际质量管理体系认证。宏大真空宏大真空投资 2.5亿元建设的企业技术中心创新能力及真空镀膜成套装备产业化项目，集成了反应溅射和先溅射后氧化 ICP技术，实现超硬 ARDLCAF连续式生产。