硅片经过不同工序加工后-solarbe文库

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硅片经过不同工序加工后，其表面已受到严重沾污，一般讲硅片表面沾污大致可分在三类A. 有机杂质沾污可通过有机试剂的溶解作用，结合超声波清洗技术来去除。B. 颗粒沾污运用物理的方法可采机械擦洗或超声波清洗技术来去除粒径 ≥ 0.4 μ m颗粒，利用兆声波可去除 ≥ 0.2 μ m颗粒。C. 金属离子沾污必须采用化学的方法才能清洗其沾污。硅片表面金属杂质沾污有两大类a. 一类是沾污离子或原子通过吸附分散附着在硅片表面。b. 另一类是带正电的金属离子得到电子后面附着（尤如“电镀”）到硅片表面。硅抛光片的化学清洗目的就在于要去除这种沾污，一般可按下述办法进行清洗去除沾污。a. 使用强氧化剂使“电镀”附着到硅表面的金属离子、氧化成金属，溶解在清洗液中或吸附在硅片表面。b. 用无害的小直径强正离子（如 H）来替代吸附在硅片表面的金属离子，使之溶解于清洗液中。c. 用大量去离水进行超声波清洗，以排除溶液中的金属离子。自 1970 年美国 RCA实验室提出的浸泡式 RCA化学清洗工艺得到了广泛应用， 1978 年 RCA实验室又推出兆声清洗工艺，近几年来以 RCA清洗理论为基础的各种清洗技术不断被开发出来，例如 ⑴ 美国 FSI 公司推出离心喷淋式化学清洗技术。⑵ 美国原 CFM公司推出的 Full-Flow systems 封闭式溢流型清洗技术。⑶ 美国 VERTEQ公司推出的介于浸泡与封闭式之间的化学清洗技术（例 Goldfinger Mach2清洗系统）。⑷ 美国 SSEC公司的双面檫洗技术（例 M3304 DSS清洗系统）。⑸ 曰本提出无药液的电介离子水清洗技术（用电介超纯离子水清洗）使抛光片表面洁净技术达到了新的水平。⑹ 以 HF / O3 为基础的硅片化学清洗技术。目前常用 H2O2作强氧化剂，选用 HCL作为 H的来源用于清除金属离子。SC-1 是 H2O2和 NH4OH的碱性溶液，通过 H2O2的强氧化和 NH4OH的溶解作用，使有机物沾污变成水溶性化合物，随去离子水的冲洗而被排除。由于溶液具有强氧化性和络合性，能氧化 Cr、 Cu、 Zn、 Ag、 Ni 、 Co、 Ca、 Fe、 Mg等使其变成高价离子，然后进一步与碱作用，生成可溶性络合物而随去离子水的冲洗而被去除。为此用 SC-1 液清洗抛光片既能去除有机沾污，亦能去除某些金属沾污。SC-2 是 H2O2 和 HCL 的酸性溶液，它具有极强的氧化性和络合性，能与氧以前的金属作用生成盐随去离子水冲洗而被去除。被氧化的金属离子与 CL- 作用生成的可溶性络合物亦随去离子水冲洗而被去除在使用 SC-1 液时结合使用兆声波来清洗可获得更好的效果。

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