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文件编号 1/5 江苏宇兆能源科技有限公司Jiangsu ST Solar Co.,Ltd. 晶体硅多晶硅片检验作业指导书本文件由江苏宇兆能源科技有限公司版权所有，未经宇兆公司书面许可，不得将本文件之全部或部分内容透露予无权阅读本文件之机构或个人。1. 目的规范多晶硅片检验项目和判定准则，指导多晶硅片进料检验作业流程，控制多晶硅片的品质，提供符合生产需求的原材料。2. 范围适用于正常购入及代加工的多晶硅片的检验判定3. 职责3.1 电池技术部负责编制多晶硅片技术要求。3.2 电池质量部负责下发受控多晶硅片技术要求文件至相关部门3.3 电池质量部负责根据技术要求编制多晶硅片检验标准3.4 电池质量部硅料检验员负责根据多晶硅片检验标准的要求操作。4. 内容4.1 多晶硅片基本检验要求4.1.1 检验环境室温、有良好光照（光照度≧ 700lux 左右）4.1.2 运输 /储存要求4.1.2.1 产品应储存在清洁、干燥的环境中，避免酸碱腐蚀性气氛；避免油污、灰尘颗粒气氛。文件编号 2/5 江苏宇兆能源科技有限公司Jiangsu ST Solar Co.,Ltd. 4.1.2.2 产品运输过程中轻拿轻放、严禁抛掷，且采取防震、防潮措施4.1.3 核对相关信息4.1.3.1 收料凭证与供应商来料规格信息核对，外包装无破损。4.1.3.2报料信息需与实物料号一致，数量、规格准确无误。4.2 晶体硅多晶硅片检验项目、术语定义、测量仪器、测试方法、判定基准检验项目术语定义测量仪器测试方法判定基准外观碎片硅片受力后变为破碎或不完整现象目测目测硅片四周及表面合格无碎片不合格表现为硅片整体破裂，破碎面积接近整体的 1/2 微缺硅片边缘呈现微型缺口目测目测硅片四周及表面合格硅片边缘微型缺口 ,根据网版数据，判断微型缺口的深度不触及正电极栅线边缘，长度不超过 1mm 缺口上下贯穿硅片边缘的缺损，形状为“ V” 型或半圆形等目测目测硅片四周及表面合格无缺口不合格表现为硅片边缘某处呈三角形的缺口，尖端朝向硅片裂纹 /裂痕延伸到晶片表面，可能贯穿，也可能不贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕目测目测硅片四周及裂纹、裂痕的长度合格无裂纹 /裂痕不合格表现为硅片边缘，或对角有线形延伸裂开针孔由于单晶拉制过程中的气泡或回溶等原因，形成的贯穿硅片表面的孔洞目测目测硅片表面及发现孔上下两片洞硅片紧挨着的合格无针孔不合格表现为硅片表面大小不等的小孔，贯穿两面的孔文件编号 3/5 江苏宇兆能源科技有限公司Jiangsu ST Solar Co.,Ltd. 检验项目术语定义测量仪器测试方法判定基准外观沾污硅片表面肉眼可见的某种颜色的花样，如指纹、水渍、有机物、灰尘以及腐蚀氧化目测强光下目测硅片表面质量合格无沾污色差由于硅片切割过程中的异常情况，导致硅片表面出现两种不同的颜色目测强光下目测硅片表面质量合格无色差硅晶脱落硅片表面未贯穿硅片的局部区域缺损，成凹凸状目测目测硅片表面质量合格无硅晶脱落；有硅晶脱落根据网版数据，判断崩点的深度不触及正电极栅线边缘，长度不超过 1mm 划痕硅片边缘因硬物划伤等原因出现的微小崩边，在多片硅片放在一起会发现，单片难以发现目测目测多片硅片放在一起，在边缘形成的划痕合格无划痕边缘毛糙硅片边缘或侧面由于未抛光、抛光不充分或线切割等原因导致的硅片边缘连续锯齿状缺陷目测强光下目测硅片边缘质量合格硅片边沿是光亮的（切片前的锭要经化学腐蚀去除损伤层）不合格硅片边沿有连续锯齿状缺陷密集型线痕垂直于线痕的 1cm 长度上线痕的条数超过 5 条目测见便携式面粗度计作业指导书合格无密集型线痕文件编号 4/5 江苏宇兆能源科技有限公司Jiangsu ST Solar Co.,Ltd. 检验项目术语定义测量仪器测试方法判定基准外形尺寸梯形片梯形片是一边满足要求，另一边偏大或偏小。严重的梯形片是两边平行长度不等，另外两边不平行，长度可相等也可能不相等游标卡尺 /尺用尺测量四边判定合格≤ 0.50mm 不合格＞0.50mm 菱形片四条边长度相等，但是对角线长度不等，一般通过对角线突出和缩进的数值游标卡尺 /尺用尺测量四边判定合格≤ 0.50mm 不合格＞0.50mm 尺寸偏差由于硅片在切割过程中的异常情况，导致硅片的边或角超出要求范围游标卡尺 /尺用尺测量四边判定合格标称尺寸± 0.5mm 不合格超范围文件编号 5/5 江苏宇兆能源科技有限公司Jiangsu ST Solar Co.,Ltd. 检验项目术语定义测量仪器测试方法判定基准外观线痕由线切割造成的硅片表面的局部区域的高低起伏，其尺寸由双面同一位置叠加和不同位置最深的线痕深度或高度给出目测、手触目测硅片表面质量，手触硅片表面不合格有手感台阶硅片局部区域整体性的高低起伏，其尺寸由台阶深度或高度给出目测、手触目测硅片表面质量不合格台阶深度≥ 20um 崩边硅片边缘未贯穿硅片的局部区域缺损，其尺寸由缺损区域的长和宽给出目测、尺目测硅片边缘质量合格崩边长度≤ 0.5mm，深度≤ 0.3mm,每片崩边数量≤ 2个不合格崩边长度、深度、数量，只要有一项超出合格范围即判不合格翘曲度晶片中心面与基准平面之间的最大和最小距离的差值，翘曲度是晶片的体性质而不是表面特性目测、水平测试平台将硅片放置水平硬质平台上，采用尺进行测试不合格表现为晶片边缘微微上翘卷曲弯曲度晶片中心面凹凸形变的一种变量，它与晶片可能存在的任何厚度变化无关，弯曲度是晶片的一种体性质而不是表面性质目测、水平测试平台将硅片放置水平硬质平台上，采用尺进行测试不合格硅片呈现弯曲的现象，表现为硅片侧面有空隙。注部分完整不良硅片（例如色差硅片、崩点硅片、轻微线痕等）根据客户要求考量是否投料