硅片检验标准2016-2-1-solarbe文库

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光为绿色新能源有限公司硅片检验标准编号 LW-BZ-009-A1 版本 A/1 版受控状态编制部门技术中心发放编号编制日期审核日期批准日期发布日期实施日期A/1 版文件更改申请单编号 LW-CX-001-A1-03 文件名称硅片检验标准文件编号 LW-BZ-009-A1 申请部门铸切技术部申请人王伟批准人批准日期更改原因1、明确断线移动或类似操作导致的硅片明暗区间判定标准2、变更硅片尺寸范围3、增加硅片表面洁净度要求4、修改崩边要求更改前内容及条款1、无2、 156-156.7 3、无4、 B片中崩边要求为 length ≤ 1.5mm； width ≤ 0.5mm个数不限更改后内容及条款1、增加硅片黑色带状区域要求2、 155.8-156.7 3、增加表面玷污定义4、 B片中崩边要求为 length ≤ 1.5mm； width ≤ 0.5mm，每片不得超过 4 处A/1 版硅片检验标准1 目的规范多晶硅片检测标准。2 适用范围本标准规定了多晶硅片的电性能、外观尺寸的检验项目、测量器具、判定依据，适用于正常生产的多晶硅片的质量检验。3 定义3.1 检测工具数显千分尺、 henneck分选机、直尺、三丰粗糙仪、 MS203电阻率测试、少子寿命测试 WT-2000。3.2 检测术语斑点定义在光强 430-650LUX下，距离眼睛 40cm，成 30- 45°角目视能看到颜色异于周围颜色的点即为斑点。翘曲度硅片的中面和参考面之间的最大距离和最小距离之差（即 a值）。弯曲度硅片中心凸起处于参考平面距离差值（即 z值）。硅落硅片表面有硅晶脱落现象且未穿透。崩边以硅片边缘为参考线向内部延伸深度≤ 0.5mm、长度≤ 1.5mm及不能崩透的缺损属于崩边。缺口光强 430-650LUX，目光与硅片成 30-45°，距离 25-35cm可以看到贯通硅片的称为缺口，看不到的不属于缺口。水印未充分烘干，水分蒸发后残留物。表面玷污硅片的表面或侧面沾有残胶或油污等杂物。游离碳黑线清洗后距离硅片上边缘 5mm以内的黑色区域。微晶每 1cm2长度上晶粒个数＞ 10个。A/1 版4 职责权限4.1 技术部负责制定硅片检验标准；4.2 质量部严格按照本文件中检验标准检验硅片。5 正文5.1 表面质量表面质量通过生产人员的分选判定，目测外观符合附表 1 相关要求。对整包硅片重点查看B4（崩边）， B7（线痕）、 B8（厚度差值）、缺口、碎片、油污等情况；整包里的 B4片在迎光侧表现为“亮点”背光侧较暗； B7、 B8片手感表现较重，不易区分或存在争议时，利用分选机重新分选。5.2 外型尺寸几何尺寸符合附表 1 相关要求，在研磨倒角处控制。如认为硅片尺寸存在问题使用分选机进行检验。5.3 电性能依据硅锭／硅块测试数据判定，必要时用相关测试仪器核实。硅片电阻率测量一点数值，当超出 B 级范围时，测量五个晶粒的电阻率，计算平均值 X，以 X值作为最终判定值。5.4 抽检方法（ 1）对硅片车间自检合格的包装硅片或直传片，采取一次抽检（抽检比例８％），不合格比例不高于 0.5。每次抽检不合格率大于 0.5时，通知清洗班长重新分选，对重新分选片抽检合格后可入库。（ 2）抽取８％硅片进行检测，其结果作为该批硅片合格的判定依据。6 相关文件无7 相关记录无A/1 版附表 1自检硅片检验项目及判定标准检验标准检验项目 A级品 B级品电性能指标Resistivity 电阻率（ Ω 2 cm） 0.7 ≤ ρ ≤ 3 Carrier Lifetime 少子寿命 μ s ≥ 1.2 Oxygen concentration 氧含量（ atoms/cm3） ≤ 1.0 *1018Carbon concentration 碳含量（ atoms/cm3） ≤ 8* 1017外形尺寸及外观Geometry 几何形状正方形Thickness 厚度（ μ m） 180± 20 TTV（ μ m） TTV≤ 30 30＜ TTV≤ 50 Size 尺寸（ mm） 155.8 ≤ size ≤ 156.7 Diagonal 对角线（ mm） 218.8-220.6 Rectangular angle 角度（ o） 90± 0.3 Chamfer angel 倒角（ o） 45± 10 Chamfer wide 倒角宽度（ mm） 0.5 ≤ wide≤ 2.5 Chip 崩边（宽度 *延伸深度）（ mm）不允许length ≤ 1.5mm； width ≤ 0.5mm 每片不得超过 4 处Break age 缺口（ mm2）不允许 0.2*0.2 Saw mark锯痕（ μ m） Saw mark≤ 15 15＜ Saw mark≤ 35 Warp翘曲度（ μ m） Warp≤ 50 50＜ Warp≤ 75 Bow弯曲度（ μ m） Bow≤ 50 50Bow≤ 75 Surface 表面无裂纹、孔洞、微晶；表面洁净无玷污、油污、手印；无裂纹、孔洞、微晶；表面洁净无玷污、油污、手印，砂浆斑点个数小于 5 个，黑线向内延伸小于 5mm。A/1 版附件 1 B级硅片分类及标识方法按优先级 B2 至 B9 无重复排序标示如下B2 晶粒小，其它检验参数符合 A级品标准。B3 少子寿命以硅块少子寿命为标准。B4 小崩边，其它检验参数符合 A级品标准。B5 电阻率标准以硅块电阻率为标准。B6 156mm*156mm硅片划片后的 125mm*125mm硅片（以后存在划片可能）。B7 锯痕 15～ 35μ ｍ或亮线 B 级（参考亮线判定标准。），其它检验参数符合 A级品标准。B8 30 μ ｍ TTV≤ 50μ ｍ , 其它检验参数符合 A 级品标准。B9 表面沾污如果存在两种以上的 B 级缺陷，以级别较高的等级作为归类依据，优先级别排列如下附件 2 硅片“亮线”的判定标准2.1 亮线片硅片表面存在由于钢线直接和硅片摩擦出现的类似抛光的硅片。2.1.1 亮线处，测试深度小于 10μm 的硅片2.1.1.1 单面亮线亮线面积大于硅片面积的 1/2 ，为 B7 亮线面积小于硅片面积的 1/2 ，为 A 级2.1.1.2 双面亮线亮线面积大于硅片面积的 1/4 ，为 B7 亮线面积小于硅片面积的 1/4 ，为 A 级2.1.2 亮线处，测试深度 10～ 20μm 的硅片2.1.2.1 单面亮线亮线面积大于硅片面积的 1/4 ，为 B7 亮线面积小于硅片面积的 1/4 ，为 A 级2.1.2.2 双面亮线第一级第二级第三级第四级第五级第六级第七级第八级第九级B1 B2 B5 B3 B8 B7 B4 B9 B6 A/1 版亮线面积大于硅片面积的 1/2 ，为不合格亮线面积小于硅片面积的 1/2 ，为 B7 2.2 黑色带状区断线处理往复升降工作台或类似操作导致钢线带着砂浆将硅片表面摩擦，清洗后出现黑色矩形区域。2.2.1 带状区小于 20mm硅片，按照附表 1 内检验标准判定；2.2.2 带状区大于 20mm硅片，若满足附表 1 内 A、 B 级标准，则判定为 B；不满足 B级标准的，判定为不合格；注检测亮线及黑色带状区域线痕深度使用自动分选设备。附件 3 TTV 测试点选取TTV测试 5 点，分别为硅片中心点和边角处距离边角各边 10-15mm处硅片厚度。见下图附件 4 崩边崩边硅片分选机在测量边缘崩边时受硅片厚度、光学衍射、成像精度限制，容易出现误判。针对 B4 档硅片需要人工搓开硅片进行检测。此点测定电阻率此点中心距边 10-15mm A/1 版微晶硅片上细小晶粒连续密集分布区域，使用带刻度光学放大镜进行检测。此类硅片属于不合格硅片。杂质片硬点杂质表现为硅片表面有凸起线痕，线痕上能够发现黑点。硅片清洗后表面有絮状黑斑或者密集小黑点的，使用无水乙醇擦拭不能够去除为不合格硅片，此类硅片为不合格硅片。孔洞片检测方法眼睛与硅片平面及光源成直线，距硅片 40cm观察有无光线透过或者发现亮点。若存在以上情况，挑选出来硅片为不合格产品。