硅片规格说明书-solarbe文库

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硅片产品规格说明书一、目的和用途加强对硅片的供方管理和质量管理二、适用范围适用于 125 125 单晶， 156 156 多晶硅片三、各项指标项目方法标准工具外包装SF/03-JY-026 外包装完整，防摔、污、潮的措施完备目测外形尺寸125 125 或 156 156 见方尺寸允许误差± 0.5mm 硅片对角线误差± 0.5mm 所检每片硅片的平均厚度 ≥ 170μ m MS-203 所检每片硅片的平均厚度值基本尺寸± 20μ m 所检硅片总体平均值允许误差± 10μ m 硅片（同一片厚度） TTV≤ 30μ m MS-203 两个边的垂直度 90°± 0.3 °硅片无目视翘曲（翘曲度≤ 15μ m）目测、塞尺倒圆角误差≤ 0.5mm 模板外观检验表面洁净无残留硅粉，无污染、色斑、颜色均匀一致，无目视可见破损及针孔目测油污面积小于 20且手套擦拭后变为较淡目测线痕深（高）度≤ 10μ m，整个硅片最多一处线痕千分尺晶粒（多晶片）在 1cm 长区域，晶粒个数小于 10 个。硅片无可视裂纹、无应力无明显缺角、崩边（亮点）不允许有“ V”字形缺口导电类型 P型 RT-110 碳浓度 ≤ 5 1016/cm3氧浓度 ≤ 1 1018/cm3晶向（ 100）± 3°位错密度 3 103个 /cm2电阻率0.5 ～ 3Ω ． cm 四探针测试仪3～ 6Ω ． cm 少子寿命单晶≥ 15μ s 少子寿命仪多晶≥ 10μ s 试制检验单 200μ m以上厚度试制平均效率 ≥ 16.03，碎片率 ≤ 3.0， G 档率 ≤ 1. 5，合格率 ≥ 93.5， 300≤ 批量 ≤ 2400片试制检验晶 180μ m厚度试制平均效率 ≥ 16.03，碎片率 ≤ 4.0， G 档率 ≤ 1. 5，合格率 ≥ 92.5， 300≤ 批量 ≤ 2400片多晶200μ m以上厚度试制平均效率 ≥ 15.1，碎片率 ≤ 3.5， G 档率≤ 1.5，合格率 ≥ 93， 300≤ 批量 ≤ 2400片180μ m厚度试制平均效率 ≥ 15.1，碎片率 ≤ 4.0， G 档率 ≤ 1. 5，合格率 ≥ 92.5， 300≤ 批量 ≤ 2400片

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