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资源描述：
项目等级 缺陷类型 缺陷类型220μ m≤厚度≤ 225 μ m 崩边 深≤ 0.3 ㎜、长≤ 0.5 ㎜、数量≤ 2个（中心点测量值） 15μ m≤单面线痕≤ 20 μ m同一位置175μ m≤厚度≤ 180 μ m 双面线痕深度相加≤ 30 μ m 中心点测量值） 15μ m≤单面线痕≤ 20 μ m同一位置翘曲度 ≤ 30μ m 双面线痕深度相加≤ 30 μ m弯曲度 ≤ 100μ m 划伤 长≤ 0.2 ㎜、宽≤ 0.2 ㎜、数量≤ 2个电阻率 1Ω .cm-3 Ω *cm TTV ≤ 30μ m厚度公差 ± 20μ m 应力片 无总厚度变化 ≤ 30μ m 表面清洁度 表面无可见花斑、脏污列痕 无色差 允许亮点 ≤ 2个硅脱 直径＜ 0.5 ㎜、深度≤ 20 μ m、数量≤ 2个亮线 数量≤ 2个棱面黑斑黄斑 允许（包括四边及倒角脏污）电阻率 1Ω .cm-3 Ω .cm ≤ 1.0 μ m（含边距，直径，倒角圆弧厚片 225＜厚度≤ 235 μ m（中心测量值） 尺寸不良）77V 30μ m＜ 77V≤ 50 μ m 硅脱 深度≤ 30 μ m、直径＜ 0.5 ㎜、数量≤ 2个倒角差 ≥ 0.5 μ m 崩 边 长≤ 1㎜、深≤ 1㎜、数量≤ 2个菱形片 外凸 - 内凸≤ 1.0 μ m 20μ m≤单面线痕≤ 25 μ m同一位置双面线痕翘曲度 ≤ 200μ m 深度相加＞ 30 μ m弯曲度 ≤ 20μ m 脏污 允许亮点 允许亮线 允许花斑 允许划伤 长≤ 0.2 ㎜、宽≤ 0.2 ㎜、数量≤ 2个边缘 允许应力片 允许倒角黑印 允许电阻率 电阻率不分档 0.5 ㎜＜尺寸＜ 2㎜（少于 3处）或 0.3 ㎜≤深尺寸不良 超 B级规格上限于下限 ≤ 0.5 、长度≤ 0.5 、总数＞ 5个翘曲度 ﹥ 200μ m弯曲度 ﹥ 200μ m不能归 B级或 D级部分又不能做原料回收的其他不良“ C缺名称”整盒包装标示清楚尺寸＞ 0.5 ㎜，数量≤ 3个C级硅片分级检验标准线痕密集线痕薄片厚片尺寸要求 外观要求A级B级手写缺陷大崩边硅脱外形片线痕
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