切换
资源分类
文档管理
收藏夹
最新动态
登陆
注册
关闭
返回
下载
相似
相似资源:
海螺 BIPV 全产业布局——从 HJT 电池-产品-EPC
以光伏为代表的新能源企业参与电力现货市场的现状及策略分析---清华四川能互研究院.pdf
千瓦光伏治沙项目环评报告.pdf
杭锦旗200MW光伏治沙项目环评报告公示.pdf
2022-2023年中国光伏产业发展路线图.pdf
【研报】硅料价格见顶光伏需求旺盛,碳酸锂价格加速下降---东吴证券.pdf
【研报】钙钛矿行业深度报告:下一代光伏电池新秀,产业化曙光初现---东吴证券.pdf
光伏储能及其充放电及其计算毕业设计.pdf
【光伏】山东能源局关于切实做好分布式光伏并网运行工作的通知.pdf
【光伏】山东省整县(市、区)屋顶分布式光伏规模化开发试点工作方案.pdf
【风光】风电、光伏发电项目并网保障实施办法(试行).pdf
太阳能光伏系统的基本构成.pdf
【研报】如何看待分布式光伏的创新与壁垒---广发证券.pdf
太阳能光伏发电部件原理及系统设计培训班——并网发电系统选型、设计、成本分析.pdf
【研报】扩张中的光伏组件新锐,上游价格回归带动盈利显著修复---国信证券.pdf
光伏发电系统计算公式大全.docx
【研报】立足全球分布式光伏,乘储能之风而起---国信证券.pdf
光伏+光热模式下项目开发要点与未来发展趋势---光伏协会&恒基能脉新能源.pdf
光伏行业2023年行业投资策略(1).pdf
2022年光伏行业报告(1).pdf
【研报】钙钛矿电池:光伏发展新方向,关注产业链动态变化---华西证券.pdf
资源描述:
硅片等级和硅片出现问题解决方案硅片等级分类及标准一、优等品1硅片表面光滑洁净。2 TV 220± 20μ m。3几何尺寸边长 125± 0.5mm;对角 150± 0.5mm、 148± 0.5mm、 165± 0.5mm;边长 103± 0.5mm、对角 135± 0.5mm;边长 150± 0.5mm 、 156± 0.5mm、对角 203± 0.5mm、 200± 0.5mm。同心度任意两个弧的弦长之差≤ 1mm。垂直度任意两边的夹角 90°± 0.3。二、合格品一级品1表面有少许污渍、轻微线痕。2 220± 20μ m ≤ TV ≤ 220± 30μ m。3几何尺寸边长 125± 0.5mm;对角 150± 0.5mm、 148± 0.5mm、 165± 0.5mm;边长 103± 0.5mm、对角 135± 0.5mm;边长 150± 0.5mm 、 156± 0.5mm、对角 203± 0.5mm、 200± 0.5mm。同心度任意两个弧的弦长之差≤ 1.2mm。垂直度任意两边的夹角 90°± 0.5。二级品1表面有少许污渍、线痕、凹痕,轻微崩边。2 220± 30μ m ≤ TV ≤ 220± 40μ m。3凹痕硅片表面凹痕之和≤ 30μ m。4崩边范围崩边口不是三角形状,崩边口长度≤ 1mm ,深度≤ 0.5mm 5几何尺寸边长 125± 0.52mm ;对角 150± 0.52mm 、 148± 0.52mm、 165± 0.52mm;边长 103± 0.52mm 、对角 135± 0.52mm ;边长 150± 0.52mm 、 156± 0.52mm、对角 203± 0.52mm、 200± 0.52mm。同心度任意两个弧的弦长之差≤ 1.5mm。垂直度任意两边的夹角 90°± 0.8。三级品1表面有油污但硅片颜色不发黑,有线痕和硅落现象。2 220± 40μ m ≤ TV ≤ 220± 60μ m。3硅落整张硅片边缘硅晶脱落或部分硅晶脱落。三、不合格品严重线痕、厚薄片 TV> 220± 60μ m。崩边片有缺损但可以改 Φ 103 的硅片。气孔片硅片中间有穿孔 。外形片切方滚圆未能磨出的硅片。倒角片(同心度) 任意两个弧的弦长之差 1.5mm 。菱形片(垂直度) 任意两边的夹角 90°± 0.8。凹痕片硅片两面凹痕之和> 30μ m。脏 片硅片表面有严重污渍且发黄发黑。尺寸偏差片几何尺寸超过二级品的范围。注以上标准针对的硅片厚度为 220μ m。样板硅片详细参考表规格 125*125CM 型号 P 型 单晶电阻率 0.5-6 欧姆 .cm 少子寿命 ≥ 10us 氧含量 < 1*10 ⒙ CM3 碳含量 < 5*10 ⒗ CM3 位错 < 5000 对角线 150± 1.0MM 厚度 125*125 220um ± 20 um 厚度 156*156 240um ± 20 um 弯曲度 ≤ 75PM 切割线 ≤ 20 um 电池表面 无油污,裂纹,针孔现在就硅片一些问题的想法花片 污片一 .切割液掺有次氯酸 ,特别是回收液 .对硅片腐蚀特别严重 . 2.预冲洗的水压 ,水质 ,流量 ,角度 ,冲洗时间等 ,总之预冲洗要硅片表面无明显赃污 ,才能进入脱胶3.脱胶时尽量全泡 ,水温 50-60℃ ,加 3的草酸或柠檬酸或乳酸 ,自然倒伏 . 4.脱胶完毕后 ,2530℃纯水中超声 10 分钟 ,超声功率在 2000w 左右水要循环 . 5.清洗剂 不同厂家 大部们都是重量比为 5的比例 ,温度设为 60℃ ,超声 5 分钟 . 6.关键是员工有没有执行和我们提供的设备工具能否满足需要 .\ 7.如果是个老厂 ,突然出现花污片了一般要在辅料上找问题 切割液 清洗剂 回收砂 等 . 8.更换时一定要用标准容器,更换量视故硅片规格和数量而定现在就这个清洗环节清洗的问题后面会更新上
点击查看更多>>
收藏
下载该资源
京ICP备10028102号-1
电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号
地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路
天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600