硅片层错、位错-solarbe文库

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实验一．原子力检测实验硅片 4inch p111 实验片数 2 硅片编号 S1106-4253-36 S1106-4352-15 实验内容对长有氧化层的硅片进行 HF 腐蚀，时间为 10M ，观察表面无颜色不一致的地方，且疏水 .然后对两片中心点，以及离中心点 1/3 半径与边缘取三点检测表面粗糙度。1） 15 片原子力显微图中心点1/3 半径边缘结论去除表面氧化层后，选取 10um 10um测试，在三个位置抛光片的粗糙度都在 1.6-2.07nm之间，表面有凸起的地方，对最高的地方进行检测凸起的最高的峰值在 5-15nm 。2） 36 片原子力图片中心位置1/3 半径边缘结论去除表面氧化层后，选取 10um 10um测试，在三个位置抛光片的粗糙度都在 1.2-1.82nm之间，表面有凸起的地方，对最高的地方进行检测凸起的最高的峰值在 3-17nm 。二氧化层错的检测对两个抛光硅片在缺陷腐蚀显示液体中腐蚀 1Min ，利用金相显微镜进行检测。36 片金相显微镜 x200 倍金相显微镜 x1000 倍在硅片上发现半月型 OISF. 15 片金相显微镜 x200 倍金相显微镜 x1000 倍结论通过腐蚀液缺陷显示后 , 两片硅片都无明显氧化层错，出现很少的半月型氧化层错，这种层错主要是由于晶片表面由金属杂质或机械损伤所引起的层错。二．位错检测使用缺陷腐蚀显示液腐蚀 15Min 15 片金相显微镜 x50 倍 -边缘金相显微镜 x50 倍 -中间通过腐蚀后明显发现中间以及边缘很多缺陷，继续放大倍数观察缺陷的类型。金相显微镜 x500 倍 -边缘金相显微镜 x500 倍 -中间经过继续放大，为三角型位错腐蚀坑。36 金相显微镜 x50 倍 -边缘金相显微镜 x50 倍 -中间金相显微镜 x500 倍 -边缘金相显微镜 x500倍 -中间同样在 36 片也发现类似 15 片的情况结论 1）沿〈 111〉晶向生长的硅单晶，常常可以观察到三角形的位错腐蚀坑。其实这种腐蚀坑是位错线露头的地方。2）边缘与中间位置的位错密度无明显区别。

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