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BA A2 B1、 B2、 B3 B71 导电类型 P P 硅片分选设 备 硅棒保证2 隐裂、针孔 无隐裂、无针 孔 无隐裂、无针孔 硅片分选设 备 抽检3 崩边长度≤ 1 mm,深度≤ 0.5mm,每片崩边总数≤ 2 处;长度≤ 1 mm,深度≤ 0.5 mm,每片崩边总数≤3处;B1 1mm<崩边长度≤ 5mm, 1mm<深度≤ 2mm,1<崩边总数≤3目测 全检4 TTV ≤ 30 μ m ≤ 30 μ m B2 30 μ m<TTV≤ 50 μ m; MS-202 抽检5 厚度 200± 20 μ m 200± 20 μ mB3 厚度偏差超过± 20 μ m但小于± 40 μ mMS-203 抽检6 边长125± 0.5mm/156± 0.5mm125± 0.5 mm/156± 0.5 mmB4 硅片尺寸偏差超过± 0.5mm但小于± 1.0mm游标卡尺 抽检7 对角线 150± 0.5mm/200± 0.5mm150± 0.5 mm/200± 0.5 mmB5 150±1mm/200± 1 mm 游标卡尺 抽检8 角长19.97-22.13/14.46-16.39mm19.97-22.13/14.46-16.39mm/ 硅棒保证9 线痕 深度≤ 8 μ m 深度≤ 15 μ m B6 15 μ m<深度≤ 30 μ m目测、必要时使用表面粗糙度仪帮助判定全检10 电阻率 1-3 Ω cm; 3-6Ω cm1-3 Ω cm; 3-6 Ωcm四探针 /RT-110 硅棒保证11 少子寿命 ≥ 10μ s ≥ 10 μ s 少子寿命测 试仪 硅棒保证12 表面质量状 况硅 片 表 面 及 侧面 无 凹 坑 , 无沾 污 , 无 氧化 , 无 穿 孔 ,无 裂 纹 , 无 划伤;硅 片 表 面 及 侧 面无 凹 坑 , 无 明 显沾 污 ( 表 面 沾 污总 面 积 小 于3mm2 , 每 一 百 片单 边 侧 面 沾 污 总面积小于 20mm2 )( 判 断 时 参 照 沾污 样 本 片 进 行 判定 ) , 无 氧 化 ,无 穿 孔 , 无 裂纹,无划伤;B7 硅片表面有沾污但硅片颜色不发黑;油点或其他赃物不得有 3处,每处沾污或其他赃物面积≤ 1mm2目测 全检13 翘曲度 ≤ 80 μ m ≤ 80 μ m ≤ 80 μ m 目检 抽检14 氧碳含量氧含量≤1x1018atoms/cm3 ;碳含量≤5.0x10 16atoms/cm3氧含量≤1x10 18atoms/cm 3;碳含量≤1.5x10 17atoms/cm3氧含量≤1x1018atoms/cm 3;碳含量≤1.5x10 17atoms/cm3Nicolet6700 硅棒保证编制 审核 批准AC D 检测方法 检验方式可划片(不合格产品),但在划为小规格尺寸( 125125)硅片后,其他性能符合 A级硅片标准不合格产品,即不满足 A、 B、 C级要求的硅片均归为 D级太阳能单 , 多晶硅片质量等级分类方法序号 检验项目
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