单晶硅片成品检验规范-solarbe文库

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山西天能科技有限公司文件编号 TNGWQ-005 单晶硅片成品检验规范版本号 A/0 页码第 1 页共 2 页生效日期 2009 年 9 月 7 日1、目的检验单晶硅片的各项质量指标，包括厚度、垂直度、总厚度偏差 TTV、翘曲度 WARP、电阻率、刀痕以及裂纹、崩边、缺口等缺陷。2、适用范围适用于硅片事业部之硅片成品检验。3、技术标准3.1 硅片的厚度为 200± 20μ m。3.2 总厚度偏差 TTV≤ 30μ m，3.3 翘曲度 WARP≤ 75μ m。3.4 硅片的外观要求如下3.4.1 无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤ 0.5mm，深度≤ 0.3mm，每片崩边数量≤ 2 个；3.4.2 表面无异常斑点、玷污；3.4.3 表面无划痕、凹坑，使硅片表面局部凹凸不平≤ 20 m；表面无明显的切割线，切割线痕深度≤ 15μ m。4、检验流程及方法4.1 用螺旋测微仪测量硅片的厚度。4.2 用螺旋测微仪测量总厚度偏差 TTV。4.3 检测硅片的外观4.3.1 目测硅片无裂痕、裂纹、空洞以及尖锐缺损，边缘缺损或缺口长≤ 0.5mm，深度≤ 0.3mm，每片崩边数量≤ 2 个；批准审核编制修改履历页码内容状态备注山西天能科技有限公司文件编号 TNGWQ-005 单晶硅片成品检验规范版本号 A/0 页码第 2 页共 2 页生效日期 2009 年 9 月 7 日4.3.2 目测硅片表面无异常斑点、玷污；4.3.3 目测表面无凹坑，使硅片表面局部凹凸不平≤ 20μ m；4.3.4 目测表面无明显的切割线，切割刀痕深度≤ 20μ m。6、验收规则抽样频率为 500PCS为一个单位即 20，每 25PCS为一篮，每一篮抽 5PCS,记录在线切割硅片返工卡、机硅片检验记录表中，电阻率、少子寿命及尺寸全检记录在表单编号TNGWQ-OO1-01圆棒检验记录、表单编号 TNGWQ-OO2-01方棒检验记录中。7、注意事项7.1 检测时对硅片要轻拿轻放，禁止与工具以外硬物接触，避免造成硅片的损伤。7.2 认真阅读附录，正确使用量具，爱护量具，并做好对量具的保养及保管工作。7.3 工作认真负责，细心严谨，实事求是，如有异常情况及时向上级报告7.4 检验时要注意硅片的取放及检验硅片的握持方式，以免造成硅片破损。一手拿硅片，一手操作检测工具，动作要轻缓。7.5 检验工序必须保证及时正确的检验校验的成品几半成品及原料，防止因产品积压影响上下工序的正常生产。7.6 对已经检验完成的成品、废品，要及时办理入库手续，不得随意阻滞交验的物品，必须及时反馈检验信息给相关人员检验结果。8、相关记录附表一线切割返工卡表单编号 TNGWQ-005-01 附表二机检验记录表表单编号 TNGWQ-005-02 附表三退片检验反馈单表单编号 TNGWQ-005-03 附表四单晶硅片电阻率抽测记录表单编号 TNGWQ-005-04 附表五厚度抽测简易图表单编号 TNGWQ-005-05

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