单晶硅片从切片到抛光清洗的工艺流程-solarbe文库

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一、硅片生产主要制造流程如下切片→倒角→磨片→磨检→ CP→ CVD→ ML→最终洗净→终检→仓入二、硅片生产制造流程作业实习1. 硅棒粘接用粘接剂对硅棒和碳板进行粘接，以利于牢固的固定在切割机上和方位角的确定。2. 切片 Slice 主要利用内圆切割机或线切割机进行切割，以获得达到其加工要求的厚度， X、 Y方向角，曲翘度的薄硅片。3. 面方位测定利用 X 射线光机对所加工出的硅片或线切割前要加工的硅棒测定其 X、 Y方位角，以保证所加工的硅片的 X、Y方位角符合产品加工要求。4. 倒角前清洗主要利用热碱溶液和超声波对已切成的硅片进行表面清洗，以去除硅片表面的粘接剂、有机物和硅粉等。5. 倒角 BV 利用不同的砥石形状和粒度来加工出符合加工要求的倒角幅值、倒角角度等，以减少后续加工过程中可能产生的崩边、晶格缺陷、处延生长和涂胶工艺中所造成的表面层的厚度不均匀分布。6. 厚度分类为后续的磨片加工工艺提供厚度相对均匀的硅片分类，防止磨片中的厚度不均匀所造成的碎片等。7. 磨片 Lapping 去除切片过程中所产生的切痕和表面损伤层，同时获得厚度均匀一致的硅片。8. 磨片清洗去除磨片过程中硅片表面的研磨剂等。9. 磨片检查钠光灯下检查由于前段工艺所造成的各类失效模式，如裂纹、划伤、倒角不良等。10.ADE测量测量硅片的厚度、曲翘度、 TTV、 TIR、 FPD等。11. 激光刻字按照客户要求对硅片进行刻字。12. 研磨最终清洗去除硅片表面的有机物和颗粒。13. 扩大镜检查查看倒角有无不良和其它不良模式。14.CP 前洗去除硅片表面的有机物和颗粒。15.CPChemical Polishing 采用 HNO3HFCH3COOH溶液腐蚀去除 31um厚度，可有效去除表面损伤层和提高表面光泽度。16.CP 后洗用碱和酸分别去除有机物和金属离子。17.CP 检查在荧光灯和聚光灯下检查表面有无缺陷和洗污，以及电阻率、 PN判定和厚度的测量分类。18.DKDonar Killer 利用退火处理使氧原子聚为基团，以稳定电阻率。19.IGIntrinsic Gettering 利用退火处理使氧原子形成二次缺陷以吸附表面金属杂质。20.BSDBack Side Damage 利用背部损伤层来吸附金属杂质。21.CVD前洗去除有机物和颗粒。22.LP-CVDLow Pressure Chemical Vapor Deposition 高温分解 SiH4 外延出多晶硅达到增强型的外吸杂。23.AP-CVDAtmospheric Pressure Chemical Vapor Deposition在硅片背部外延 SiO2 来背封并抑制自掺杂。24. 端面处理去除硅片背面边缘的 SiO2。25.CVD后洗去除表面颗粒。26.MLMirror Lapping 倒角防止后续工艺中的崩边发生以及外延时的厚度不均匀等。27.ML 前洗去除有机物、颗粒、金属杂质等。28.ML 贴付硅片表面涂腊贴附在陶瓷板上，固定硅片以利于 ML加工。29.ML 也称之为 CMPChemical Mechanism Polishing ，经过粗抛和精抛去除 14um厚度，此可有效的去除表面损伤层和提高表面平坦度。30. 去腊洗净去除 ML后背面的腊层。31.ADE测量测定硅片表面形貌参数如平整度，翘曲度等。32. ρ -t 测量对电阻率和厚度进行测定和分类。33. 扩大镜检查检查 ML倒角不良。34. 最终洗净去除颗粒，有机物和金属杂质。35.WIS 测定测量最终洗净后硅片表面颗粒。36. 最终检查在荧光灯和聚光灯下检查硅片表面的情况。37. 仓入对硅片进行包装，防止再次污染，以待出货。