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A 类成品硅片规格尺寸（ Dimension ）宽度（ Width ） 156± 0.5mm 对角线（ Wafer Diagonal ） 219.2 ± 0.5mm 倒角（ Bevel angle ） 1.5 ± 0.5mm 角度 45 °± 10°厚度（ Thickness ） 200± 20um（五点平均值）电学性能参数（ performance parameter ）生长方法（ Growth method ） 定向生长导电类型（ Conductivity type ） P 掺杂剂（ Dopant） B 电阻率范围（ Resistivity ） 1-3 Ω .cm 少子寿命 Brick （ Lifetime ） ≥ 2us 晶粒大小（ Grain Size ） ≤ 10 Pcs/cm 2碳含量 （ Carbon concentration ） ≤ 7 10 17atoms/cm 3氧含量 （ Oxygen concentration ） ≤ 9 1017atoms/cm 3外观质量指标（ Surfacequality）TTV ≤ 30um 晶界（ Micrograin ） ≥ 3 mm2线痕（ Saw marks） ≤ 15um 边缘角度（ Rectangular angle ） 900± 0.3 0翘曲度（ Warpage） ≤ 50um 裂痕、 缺口、 穿孔 （ Crack 、 Gap、Hole ）不允许小亮边（ Tiny Luminance Edge ） 长度≤硅片边长的 1/3 ，宽度≤片厚的 1/3 崩边、缺角（ Edge chips ） 单面崩边宽度≤ 0.5 mm；延伸≤ 0.2mm；每片总数量≤ 2 个，间隔≥ 30mm（不允许穿透）应力（ Stress ） 摇动无“吧啦”声响表面质量（ Surface quality ） 硅片表面不允许有明显线痕 （小于 10um, 手感不明显 , 凹坑 ,无硅胶残留，表面无沾污和异常斑点
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