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文件编号版本号生效日期受控状态批号、厚度、硅片数量、电阻率、规格尺寸等翘曲度 ≤ 50μ m HENNECKE几何尺寸生长方式100片 / 包200± 20 μ m HENNECKETTV冠德光电材料（无锡）有限公司156 156多晶 A级硅片标准ZG-BZ-02A/1DSSHENNECKE崩边材料特性≥ 1μs HENNECKE特性 规格 检验仪器或依据标准 FQC抽样方案编制线痕批准碳含量 ≤ 8.0*10 17atoms/cm 3 ASTM F1391少子寿命≤ 15μ m 且不允许密集线痕P/Boron ASTM F42ASTM F1188电阻率 1～3 Ω .cm HENNECKEHENNECKE厚度≤ 30μ m HENNECKE对角线 219.2± 0.5mm45°± 10° HENNECKE倒角尺寸斜边直角边边长 156± 0.5mm0.5-2mm0.35-1.42斜角度导电型号 / 掺杂剂单个微晶面积＜ 3*3mm 2整个微晶区域面积＜ 3*3cm 2孔洞 无隐裂 无氧含量 ≤ 5.0*10 17atoms/cm 3电学特性90°± 0.3 ° HENNECKEHENNECKE微晶 HENNECKE崩边深度≤ 0. 2mm,长度≤ 0. 2mm max.最多 2个 / 片缺角 无表面质量 表面洁净，无沾污、 色差 、可视裂纹、穿孔、台阶、弯曲等可视缺陷AQL2.5 S-2审核包装标识2016/ 01/ 01包装和标识AQL1.0 一般Ⅱ级AQL1.0 一般Ⅱ级直角度
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