5英寸硅片通用规范-solarbe文库

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文件编号 MGOO10NB版本 / 状态 B/0生效日期 2008-8-27 第 1页5 英寸硅片通用规范1. 目的本通用规范适用于日银 IMP 公司所采购的全部 5 英寸硅片的常规要求。另外，针对不同产品要求需要提供所订购材料的详细规范。在详细规范中可以有新增要求并可以更改此通用规范中的任何要求。如日银 IMP 公司文件中没有给出其它方法，将采用 SEMI 国际半导体设备与材料组织规范 Ml.1 中所列的测试方法。现行 SEMI 规范版本的采用根据采购订单提供的日期来确定。2、适用范围适用于日银 IMP 公司所采购的全部 5 英寸硅片3、参考最新半导体标准规范 MlSTD.7 ，爱丽斯大街 635 号的半导体设备和材料研究所出版。4、责任质量部门负责所采购硅片的来料质量控制和检验采购部门负责硅片的采购和物流。5、定义无6、内容适用于所有硅片的品质要求6.1 尺寸及允许的偏差如果详细规范中没有规定尺寸及其上下限要求，则按照如下所示要求尺寸单位最小值目标值标准最大值外延层最大值直径毫米 mm 124.7 125 125.3 125.3中心处厚度微米 μm 505 525 545 545弯曲度微米 30 45总厚度变化微米 5 9平整度（ TIR）微米 3 5.5翘曲度微米 30 45崩边微米 208SEMI 标准 Ml STD.7-86文件编号 MGOO10NB版本 / 状态 B/0生效日期 2008-8-27 第 2页6.1.1 衬底上长有外延的外购硅片所要求的最大厚度随外延生长的允许总厚度而增加。例如最大衬底厚度 650 微米 24.2 微米外延最大外延层厚度 674.2 微米（在最表层长有外延的原始硅片的最大允许厚度）。6.1.2 用于测试聚焦的步进机上的超平测试片从最高点至最低点的平整度变化不能超过 2 微米。6.2 晶向及参考面位置表面晶向应在详细规范中标明。容许公差为 0.4 度。正交晶向误差不得超过 0.2度。主参考面定位 [110]， 1 度之内无次参考面。6.2.1 参考面长度主参考面 42.5mm 2.5mm6.3 其它要求备注除非详细规范中另有规定，否则采用上述要求。6.3.1 硅片的一面应抛光。6.3.2 晶体生长方法直拉法6.3.3 位错密度无6.3.4 氧化诱生层错 “N“ 磷 800/cm sq.“P“硼 200/cm sq.6.3.5 掺杂材料 P 型硼N 型磷6.3.6 外延层电阻率规定的最小外延层厚度的 90必须在规定的电阻率范围之内。尤其是，从表面到过渡层的外延层电阻率不得超过规定最小厚度的 10且电阻率必须小于最小值。这可以通过测量从规定的电阻率最小处与过渡区两者的交叉处至规定的最小外延厚度处来进行。6.3.7 径向电阻率不均匀性15 ohm cm中心和 1/2 半径（ R/2）处中心和距边缘 6 毫米处N P9 414 8N P11 616 12文件编号 MGOO10NB版本 / 状态 B/0生效日期 2008-8-27 第 3页6.3.8 碳含量 760um无无亲水标准 .亲水外延高强度光“ ““ ““ ““ “漫射光“ ““ ““ ““ ““ ““ “浸水文件编号 MGOO10NB版本 / 状态 B/0生效日期 2008-8-27 第 4页2.5 硅片背面要求7. 质量控制要求7.1 可追溯性应保存生产记录，以便于可以根据需要追溯生产历史（硅片准备、晶锭生长和原材料），并在发货时作为参考由检验员一并提供。如果同一个发货批次中的硅片有一个以上的产品来源，则应对其进行独立包装并以不同的编码标明。对于此类标识，供应商可以采用其常规编码方式。IMP 如提出要求，供应商则应根据要求向 IMP 解释其编码系统的含义。7.2 生产质量体系为确保生产并交付完全合格的产品，硅片应在有效的质量控制体系下生产，包括必要的员工培训、工序、设备校准、测量和检验。作为工艺质量控制的一部分，关键参数应定期检测。7.3 缺陷限制根据可接受质量水平（ AQL ）接受一个批次并不表示 IMP 会接受此批次中的特性最大缺陷限制范围方法1. 锯齿痕2. 沾污污迹手印夹痕残渣水印条纹人为刻蚀带痕边缘芯片裂纹 /鸦爪3. 层错“N“ 掺磷“P“ 掺硼无无无无无无无无无无无 800 / cm sq. 200 / cm sq.漫射光“ “ASTM 47ASTM 47文件编号 MGOO10NB版本 / 状态 B/0生效日期 2008-8-27 第 5页所有材料，有缺陷的材料可能会被单独拒收。8. 包装和标识8.1 硅片应根据最佳行业准则进行包装以避免在运送过程中遭受损坏和污染。8.2 盒上标签应标明标称直径、导电类型、掺杂剂、晶向、电阻率范围和可追溯至原始晶锭的批次号。且至少在 IMP 接受批次后的三年内，生产厂家应保存可追踪的该批次信息。9. 详细规范中将给出的信息详细规范中的变量通用规范中所列内容9.1 表面晶向容许公差9.2 导电类型掺杂杂质9.3 电阻率范围电阻率不均匀性9.4 氧含量（以 ppm 为单位）9.5 背部损伤（类型和程度）9.6 与通用规范的偏差***