返回 相似
资源描述:
附 156*156 多晶硅片规格书材料特性 Material properties 特性Property 规格Specification 参考标准Referenced Standard 生长方式Crystal Growth Method DSS 导电型号 /掺杂剂Conductivity Type/Dopant P/Boron ASTM F42 氧含量Oxygen Concentration ≤ 1.0 1018 atoms/cm3 ASTM F1188 碳含量Carbon Concentration ≤ 8.0 1017 atoms/cm3 ASTM F1391 电学特性 Electrical properties电阻率Resistivity 13 Ω .cmASTM F43 , ASTM F84 少子寿命Block Lifetime ≥ 2 μ s ASTM F28 几何尺寸 Geometry 宽度 Width 156 ± 0.5mm 方正度 Rectangular angle 90 ± 0.3 °对角线 Diagonal 219.2 ± 0.5 mm 厚度 Thickness 200 ± 20 μ m ASTM F533 TTV ≤ 30 μ m ASTM F533,F657 线痕 Saw marks ≤ 20 μ m 崩边 Edge Chip 崩边深度≤ 0.3 mm,长度≤ 0.5 mm; 最多 2 个 / 片Depth ≤ 0.3 mm ,Length ≤ 0.5 mm, less than two chips 缺口 Breakage 无Not allowed 翘曲度 Warpage ≤ 50 μ m ASTM F657 微晶 Micrograin 单个微晶面积 3 3mm2;整个微晶区域面积 3 3cm2 Single Micrograin Area3 3mm2. Total Micrograin Area3 3cm2隐裂 Microcrack 无Not allowed 孔洞 Hole 无Not allowed 表面质量 Surface quality 表面无损伤,无污点、无水渍、无污渍No surface damage, stains, water marks, or contamination allowed 包装和标识 Package Labels 包装 Package GCL标准包装, 100 片 / 包, 300 片 / 盒,碎片率≤ 0.3 GCL standard package , 100pcs/batch , 300pcs/box , breakage rate ≤ 0.3标识 Labels订单号、批号、硅片数量、规格尺寸等Sales order No.,Lot No.,Wafer Quantity,Size etc.
点击查看更多>>

京ICP备10028102号-1
电信与信息服务业务许可证:京ICP证120154号

地址:北京市大兴区亦庄经济开发区经海三路
天通泰科技金融谷 C座 16层 邮编:102600