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1、一次清洗工艺1.1 去除硅片损伤层氢氧化钠（ NaOH）Si 2 NaOH H2O Na2SiO3 2 H21.2 制绒面异丙醇（ IPA）、硅酸钠（ Na2SiO3）Si 2 NaOH H2O Na2SiO3 2 H2 ↑由于在制绒面的过程中，产生氢气得很容易附着在硅片表面，从而造成绒面的不连续性，所以要在溶液中加入异丙醇作为消泡剂以助氢气释放。另外在绒面制备开始阶段，为了防止硅片腐蚀太快，有可能引起点腐蚀，容易形成抛光腐蚀，所以要在开始阶段加入少量的硅酸钠以减缓对硅片的腐蚀。1.3 去除 SiO2 层氢氟酸 HF 在前序的清洗过程中硅片表面不可避免的形成了一层很薄的SiO2 层，用 HF 酸把这层 SiO2 去除掉。SiO2 6 HF H2[SiF6] 2 H2O1.4 去除一些金属离子盐酸（ HCl）盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2、 Au 3、Ag 、 Cu、 Cd 2、 Hg 2等金属离子形成可溶于水的络合物。2、扩散工艺2.1 扩散过程中磷硅玻璃的形成三氯氧磷（ POCl3）Si O2＝ SiO2 ; x3 o 5POCl3 ＝ 3 PCl5 P2O5（ 600℃）三氯氧磷分解时的副产物 PCl5，不容易分解的，对硅片有腐蚀作用，但是在有氧气的条件下，可发生以下反应４ PCl5 5O2 ＝ 2 P2O5 10Cl2 ↑ 高温条件下磷硅玻璃的主要组成小部分 P2O5，其他是２ SiO2· P2O5 或SiO2· P2O5。这三种成分分散在二氧化硅中。在较高温度的时候， P2O5作为磷源和 Si 反应生成磷，反应如下2 P2O5 5 Si 5 SiO2 4 P2.2 在扩散工艺中用于炉管清洗三氯乙烷（ C2H3Cl3）三氯乙烷的燃烧（分解）的产物有光气、一氧化碳、二氧化碳和氯化氢等。3、等离子刻蚀工艺四氟化碳（ CF4）、（ O2）所谓等离子体就是由带电的正、负电荷的粒子组成的气体，正负电荷数相等，其净电荷相等。等离子刻蚀所用的等离子体，是辉光

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