太阳能电池基础知识及制造工艺-solarbe文库

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太阳能电池基础知识及制造工艺 .txt 如果中了一千万，我就去买 30 套房子租给别人，每天都去收一次房租。哇咔咔充实骑白马的不一定是王子，可能是唐僧；带翅膀的也不一定是天使，有时候是鸟人。本文由 zhangxinbo1984 贡献ppt 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT，或下载源文件到本机查看。Basic knowledge of solar cell Outline 太阳能电池太阳能电池分类晶体硅电池的工艺电池效率总结太阳能电池产业链单晶硅棒物理化学处理工业硅6N 以上高单晶硅片高温熔融纯多晶硅多晶硅锭多晶硅片系统组件太阳能电池结构太阳能电池分为单晶电池和多晶电池，但是它们的结构基本一样，都有以下部分组成表面细栅线表面主栅线绒面蓝色氮化硅扩散层硅基体铝硅形成背面多晶电池单晶电池太阳能电池分类现有的太阳能电池可以分成以下几类晶体硅单晶硅无锡尚德 Suntech、南京中电 China Sunergy、河北晶澳 Jingao Solar等。多晶硅天威英利 Yingli Green Energy、常州天合 Trina Solar、苏州阿特斯 CSI等。薄膜非晶硅天威薄膜、杭州正泰、南通强生等碲化镉 CdTe美国 Firstsolar 铜铟镓硒 CIGS美国Nanosolar 太阳能电池分类目前处于实验室研发阶段，实际生产还未开发出来的太阳能电池，或许会成为未来 50 年太阳能电池的主角，它们是染料敏化太阳能电池（ Dye Sensitive Solar Cell 未来电池有机薄膜太阳能电池（ Organic Film Solar Cell 纳米量子点太阳能电池（ Nanometer Quantum Dot Solar Cell 晶体硅太阳能电池工艺简介晶体硅电池工艺分为单晶硅电池工艺和多晶硅电池工艺，它们大体上相同，最大的不同在于第一步的清洗制绒，工艺步骤如下硅片清洗、制绒工艺（单晶硅用碱液制绒面，多晶硅用HF 和 HNO3 混合酸制绒面）扩散工艺（企业中采用的是 POCl3 液态源扩散）边缘刻蚀工艺氢氟酸清洗工艺（去磷硅玻璃）（去 PSG） PECVD镀膜工艺印刷烧结工艺测试工艺1 硅片清洗制绒目的清洗是为了除去沾污在硅片上的各种杂质，包括油脂、金属离子、尘埃等；表面刻蚀制绒 SDE, texture是为了除去硅片表面的切割损伤层，同时得到合理的粗糙表面，减小光在表面的反射，增加光尤其是长波长光在硅片内传输路径，获得适合扩散制 p-n 结要求的硅表面。单晶硅各向异性，我们采用强碱氢氧化钠 NaOH腐蚀制绒，而多晶硅是各向同性，采用强酸硝酸和氢氟酸 HNO3HF腐蚀制绒。1 硅片清洗制绒单晶硅电池在扫描电镜下放大 1500 倍的制绒表面多晶硅电池在扫描电镜下放大 1000 倍的制绒表面1 硅片清洗制绒清洗后硅片质量监控腐蚀量计算、反射率、少子寿命的测试。硅片要求表面光亮，无肉眼可见沾物，无崩边、缺角、穿孔等可视缺陷，即为合格品。清洗制绒常用设备厂家单晶硅无锡瑞能、深圳捷佳创、 48 所多晶硅德国 RENA、 Schmid 2 扩散制 p-n 结目的在 P 型硅片的表面扩散 diffusion 进一薄层磷，以形成 0.3-0.6 微米左右深的浅 p-n 结，p-n 结形成后，能在硅片内产生电场，当光照射到硅片上被吸收产生电子 -空穴对时，电场能将电子 -空穴对分开，产生电流。扩散的原理扩散是自然界普遍存在一种规律。所谓扩散，就是物体存在浓度不均匀时，从高浓度流动到低浓度直至平衡的一种现象。当磷沉积在硅片表面后，表面与内部存在浓度梯度，磷原子在高温驱动下穿过晶格到达其平衡位置，在硅片片面形成 n 型层。2 扩散制 p-n 结扩散后硅片的监控测试方块电阻 R□ sheet resistance ， R□可理解为在硅片上正方形薄膜两端之间的电阻，他与薄膜的电阻率和厚度有关，与薄膜的尺寸无关。通过的 R□测试，可以近似比较磷扩散的平均深度。扩散后的硅片要求表面光亮且无肉眼可见沾物，无崩边、缺角、孔洞等可视缺陷才视为合格品。扩散后的多晶硅硅片2 扩散制 p-n 结扩散的分类链式扩散 diffusion inline 管式扩散 diffusion in tube 扩散设备主要厂家中国 48 所德国 Tempress、 Centrotherm 、 Schmid 管式 48 所、 Tempress、 Centrotherm 链式 Schmid 单面扩散双面扩散3 周边刻蚀目的扩散过程中，硅片的外围表面导电类型都变成了 n 型。此工序就是利用等离子体刻蚀机刻蚀 etching硅片边缘，以使前表面与背表面的 n 型层隔断，防止电池做出来以后正负极出现短路。如图所示双面扩散的周边刻蚀3 周边刻蚀边缘刻蚀的监控边缘刻蚀的监控边缘电阻测试参与反应的气体除了去除边缘 n 型硅外，还能去除硅片表面的 n 型硅，所以刻蚀操作时一定要压紧硅片，不能使硅片间留有间隙。刻蚀分类刻蚀分类干法刻蚀等离子体刻蚀激光刻蚀湿法刻蚀刻蚀设备国内等离子体刻蚀 48 所，捷佳创国外激光刻蚀德国 Rofin 湿法刻蚀德国 RENA 4 氢氟酸清洗目的硅片在扩散的过程中表面生成了氧化硅 SiO2，它和磷的氧化物形成磷硅玻璃PSGphosphatesilicate glass,玻璃层的存在会在电极印刷过程中，影响到金属电极和硅片的接触，降低电池的转换效率，同时玻璃层还有多种金属离子杂质，会降低少子寿命，因此引入HF 清洗工艺。HF酸清洗设备一般与第一道工序制绒清洗设备同步配置。常用设备厂家单晶硅无锡瑞能、深圳捷佳创， 48 所多晶硅德国 RENA 5 PECVD镀膜PECVD定义等离子体增强型化学气相沉积，英文 Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 缩写PECVD镀膜的目的太阳光照射到硅片表面被硅片吸收透射的同时，也会有很大一部分光从该面反射掉，这就大大减少了太阳能的利用率，所以要在硅片表面接触阳光的一侧镀上一层减反射膜，当薄膜的厚度是入射光在薄膜中波长的 1/4 时，在薄膜的两个面上反射的光，路程差恰好等于半个波长，因而互相抵消，这就大大减少了光的反射损失，增强了吸收光的强度，提高电池效率。5 PECVD镀膜薄膜的其他功能这层薄膜主要由蓝色的氮化硅组成，除了前面所说的减反射 anti-reflection作用外，还能起到钝化 passivation的效果。同时，致密的氮化硅能阻挡钠离子扩散，不透潮气，具有极低的氧化速率，还可防止划伤。国内 48 所 PECVD镀膜设备国外德国 Roth Rau inline，德国 Centrotherm tube 5 PECVD镀膜单体硅 PECVD镀膜后效果图6 印刷烧结目的通过丝网印刷 screen printing 在太阳能电池的两面制作金属电极、正面收集电子，背面电极利于焊接以及组件 module 的制成，是硅片制成电池的重要环节。烧结 firing 则是为了将作为电极的粘稠浆料烘干，同时完成金属与硅片的合金化，便于电极收集电子。6 印刷烧结刮刀网版基板丝网浆料示意图丝网印刷过程银浆 SiNX减反膜 p-n 结结硅基片银铝浆、银铝浆、铝浆6 印刷烧结主栅线 busbar 细栅线 finger grid 多晶硅硅片印刷烧结后得到的电池 solar cell示意图6 印刷烧结印刷设备 45 所， Baccini， Asys， DEK-J 烧结设备 Despatch， BTU， Centrotherm 7 测试分选目的绘制 I-V 曲线图，测试出电池的各项电性能参数包括电池效率，把电参数相近的分为一类通常为效率相近，同一类电池片按照不同颜色分选包装。太阳能电池转化效率 conversion efficiency of the solar cell 定义为 EffPm/MS，即受光照射的太阳电池的最大功率与入射到该电池上的全部功率的百分比。 M 为标准辐照强度1000W/m2 ； S为电池的面积 7 测试分选I/P I Isc Im Pm IscVoc 0 0 M Vm Voc V 太阳能电池测试标准条件为 25℃、 AM1.5、 1000W/m2 图中 Voc 表示开路电压， Isc 表示短路电流， Pm 表示最大功率， Im 最大电流， Vm 最大电压。定义填充因子 FFPm/ Voc IscImVm/ Voc Isc ，故电池效率还可以表达为 EffPm/MSFF Voc Isc/1000S， S单位为m2。7 测试分选开路电压 Voc open circuit voltage 短路电流 Isc short circuit current 填充因子 FF filling factor 最大功率 Pm maximum power 转换效率 Eff conversion efficiency 测试分选设备德国 berger 美国 spire 美国 GT 芬兰 endeas 、、、电池效率总结综合世界上目前各个厂家生产的太阳能电池，平均效率差异较大，原材料不同引起的效率差别也很明显。单晶硅 monocrystalline silicon 太阳能电池平均效率在 16.5-18 之间多晶硅multicrystalline silicon 太阳能电池平均效率在 15-16.5之间非晶硅 amorphous silicon 薄膜太阳能电池单结稳定平均效率在 5-7 之间碲化镉 CdTe薄膜太阳能电池稳定效率8-10 铜铟镓硒 CIGS薄膜太阳能电池稳定效率 9-11 染料敏化太阳能电池稳定效率 3-5 有机薄膜太阳能电池稳定效率 3-5 Q A