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电池片各参数异常的原因Isc1234偏低的原因、绒面较差 光反射率较大;、扩散方块电阻偏低 磷掺杂过多;、丝网印刷第三道出现虚印、断线或者副栅线宽度过宽等现象 电流不能被有效地收集;、烧结炉温度出现较大波动;1. 容易理解。2. 重掺杂会加大表面复合3. 容易理解4. 烧结不好引起欧姆接触不好,致使串联电阻增大Voc1 pn234偏低的原因、绒面较差 扩散 结不均匀;、扩散方块电阻偏高 无法形成有效的电势差;铝浆型号用错;、丝网印刷第二道 铝浆搅拌不均匀;印刷重量偏低;、烧结温度出现波动;1. 方块电阻不均匀,结深高低不一致,烧结 Ag 电极渗透中,有的地方接触不好,有的地方可能过烧2. 即掺杂太少3. Rs1234偏高的原因、绒面较差 电极接触不均匀;、扩散方块电阻偏高 接触电阻增大;、丝网印刷第三道出现虚印、断线 接触电阻增大;、烧结炉温度出现较大波动;Rsh1 pn2 pn3 pnpn45 pn偏低的原因、绒面较差 扩散 结不均匀;、扩散方块电阻偏高 结过浅;未完全刻蚀 边缘漏电;、刻蚀过度刻蚀 结被破坏;硅片表面被浆料污染(尤其是铝浆污染) 结被破坏;、丝网印刷漏浆 上下电极发生短路,产生漏电;、烧结温度过高 结被破坏;1.2.扩散方块电阻偏高,即扩散掺杂浓度低,导致内建电场偏低,耗尽区电阻变小3. 未完全刻蚀必然导致边缘漏电,容易理解;过度刻蚀导致并联电阻降低,是因为 PN结所占的横截面积变小,所以耗尽层总电阻变小。4. 铝浆在 N区的扩散会破环 PN结,因为它是受主杂质。正面滴落的铝浆,有可能在烧结过程中扩散穿过 PN结,导致 PN结被破环发生短路。如果硅片边缘附有漏浆,可直接引起边缘漏电。5. 烧结温度太高,可导致 Ag的扩散太大,以致穿过 PN结,直接导致短路FF1 Rs Rs2 Rsh Rsh偏低的原因、 偏高(参考 偏高的产生原因);、 偏低(参考 偏低的产生原因);
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