单晶硅电池片工艺-solarbe文库

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单晶硅电池片工艺（初稿）工艺流程图硅片检验→硅片插入片盒→去除损伤层→制绒面→淋洗→中和→三级串连阶梯式清洗→烘干→扩散→周边刻蚀→硅片插入片盒→去除氧化层→三级串连阶梯式清洗→烘干→制备氮化硅→背面银铝浆→烘干→背面铝浆→烘干→正面银浆→烧结→测试分选→检验入库1．单晶硅片质量检验标准1． 1 外观检验1． 1． 1 基片大小 1253 125mm± 0.5mm 1． 1． 2 形状准方片1． 1． 3 直径∮ 150± 1.0mm Φ 165± 1.0mm 1． 1． 4 厚度 280± 30μ m;在所规定区域内 5 个测量值的平均值。1． 1． 5 TTV（ μ m） total thickness variation 在选定圆片区域内，最大厚度变化值 ≤ 50μ m 1． 1． 6 表面缺陷≤ 2 个深度不大于 0.05mm 1． 1． 7 破损及针孔无可见破损和针孔1． 1． 8 边缘缺损长度小于 5mm，深度 0.5 的破损≤ 1 个1． 1． 9 钜痕＜ 5μ m 1． 1． 10 表面状况表面颜色均匀一致，无残留硅粉，无水迹1． 2 电特性1． 2． 1 晶体无位错直拉（ CZ）单晶1． 2． 2 晶向（ 100）± 3°1． 2． 3 导电类型 P 型（硼掺杂）1． 2． 4 电阻率（ Ω 2 CM） 0.5～ 2.0 用四探针测量平均晶体电阻1． 2． 5 少子寿命＞ 15μ S 使用微波光电导方法，在未钝化区域内，扫描 23 2mm 区域，去 2000次测量平均值，硅锭边缘部分红区内数据不包括在平均值的计算内。1． 2． 6 碳浓度≤ 53 10 1． 2． 7 氧浓度≤ 13 10 1． 3 质量判断标准 AQL2.5 2．硅片插入片盒2． 1 工具仪器 25 片片盒工作桌，凳子，真空吸附镊子2． 2 原材料 1253 125mm 硅片2． 3 工艺过程把一定高度的硅片放于工作桌上，在操作者面前，用真空镊子把硅片吸起，把硅片放于片盒的最下一层，释放真空，硅片脱离真空吸附落于硅片盒的槽中。重复上述动作，直至把任务完成。2． 4 注意事项2． 4． 1 人是最大的污染源，不要面对硅片说话，不要用手直接拿片盒，手上有钠离子、油类污染；2． 4． 2 操作人员要戴口罩、手套操作；2． 4． 3 硅片易碎，在操作过程中，工作人员要轻拿轻放，尽量减少碎片；2． 4． 4 真空吸头经常用酒精擦拭，在工作过程中，保持清洁。3．硅片清洗3． 1 去除损伤层3． 1． 1 目的在硅片切割过程中，引起晶体表面晶格损伤，为把 PN 结制作在良好的晶体上，去除硅片表面的损伤层。3． 1． 2 溶液浓度的配比NaOH H2O8500 34000（重量比）在实际工作中， 34000克纯水，添加 10000克的氢氧化钠3． 1． 3 溶液的配制过程根据资料查明 NaOH 的融解热， 10.4 千卡 /摩尔8500÷ 403 10400＝ 2210000卡2210000÷ 34000＝ 65（度）结论 8500 克氢氧化钠，可以使 34000 克纯水温升 65 度，理论计算要与实践相结合，只要把纯水从室温升高至 25℃左右凭借着氢氧化钠的温升就可以达到 85℃了。3． 1． 4 试剂纯度纯水， 18MΩ /CM 氢氧化钠，电子纯3． 1． 5 溶液温度 85± 1℃3． 1． 6 腐蚀速率条件 20％ NaOH 溶液， 85℃，经验数据表明 4μ m/min（两边共同去除）；内圆切割锯 20μ m/每边，线锯 10μ m/每边，通常内圆切割锯腐蚀时间 10 分钟，线锯腐蚀时间 5～ 6.5 分钟（根据实际情况摸索准确时间，经验数据，每隔几十片称量一次）3． 1． 7 反应机理Si＋ 2NaOH＋ H2ONa2SiO3＋ 2 H2↑28 80 18 122 4 在硅片表面每边去除 10μ m，两边共去除 20μ m A．每片去除的重量△ g12.53 12.53 0.00203 2.330.728g B．每片消耗的 NaOH 28 80＝ 0.728 X X2.08g C．每片产生多少 Na2SiO3 28 122＝ 0.728 X X3.172g D．如果每配制一次 NaOH 溶液可以清洗 3000 片，每片消耗 2.08 克NaOH，则消耗 6.240Kg, 10 Kg 的 NaOH，只剩下 3.76 Kg 在达到 2500片时要密切注视，每花篮硅片称量是否达到了设计要求。E．如果去除损伤层 3000 片则生成 9.516Kg 的 Na2SiO3 ，整个花篮上浮，使花篮定位不准确严重影响机械手的正常运转。3． 1． 8 注意事项与问题的讨论A．在整个去除损伤层的过程中，大量的 H2 气泡有可能依附到硅片上，使硅片上浮，在片盒上必须设计一个片盒“盖片” ，或者片盒“挡棒” ，防止硅片上浮；B．关于去除损伤层时间的讨论现在硅片越来越薄，去除损伤层的时间可以大大缩短，要以实践为准。在硅片表面制作绒面的过程中，也要腐蚀掉一层硅，既要 PN 结制作在良好的晶体上，又要不能使硅片太薄，易产生碎片；3． 2 制绒面3． 2． 1 目的为了提高效率减少光的反射，在硅片表面制作出直角四面棱锥，使入射光在硅片表面形成多次反射。在 P 型［ 100］晶向上，利用晶体的各向异性，在晶体上腐蚀出正金字墙。3． 2． 2 溶液浓度的配制纯水氢氧化钠异丙醇硅酸钠＝ 1000 15～ 20 45ml 4～ 6g 3． 2． 3 溶液的配制过程A．把预热槽用纯水洗净，把纯水打入预加热槽；B．把纯水加热到 85℃；C．把预热槽的纯水打入绒面槽；D．依次按比例把 NaOH、异丙醇、硅酸钠加入到绒面槽中E．等待温度恒定后进行操作3． 2． 4 试剂纯度纯水 18MΩ /CM；氢氧化钠电子纯；异丙醇优级纯；硅酸钠优级纯3． 2． 5 溶液浓度 85± 1℃3． 2． 6 绒面的制备时间通常 25～ 30 分钟左右3． 2． 7 反应机理由于各晶面的面密度不同，腐蚀对各晶面有选择性。（ 100）、（ 111）面的面密度分别为 2/a2、 4.6/a2，因此（ 100）面的腐蚀密度速度最大，（ 111）面的腐蚀速度最小。所以腐蚀时（ 111）面最容易裸露在外面。实验得知，（ 100）面的腐蚀速度比（ 111）面大 35 倍。择优腐蚀对溶液浓度关系很大，浓度偏高则为抛光腐蚀；浓度偏低则为择优腐蚀。异丙醇为消泡剂。硅酸钠为缓冲腐蚀剂。3． 2． 8 注意事项与问题讨论A．绒面腐蚀时间通常为 25 分钟，根据绒面状况可以适当增加 5～ 10分钟；B．绒面的等直角棱锥体的下边长为多长，反射的光为最长实践表明，从统计规律来看， a＝ 3～ 5μ m 从电池表面上反射的光线最少。温度偏低一点， 82℃，腐蚀速率慢一点， a 的长度在 3～ 5μ m 的可能性较大。C．在绒面的腐蚀过程中，尤其是在开始的第一、第二批硅片，这种现象最严重，即绒面不连续。这样就增大了反射光，减少了电池的转换效率。 NaOH 与 Si 的反应生成硅酸钠，硅酸钠是一种缓腐剂，缓腐的速率与硅酸钠的浓度有很大关系，在反应初期，生成的硅酸钠浓度过低，低于 0.1％时，反而引起加速反应，并有可能引起点腐蚀。腐蚀速率过快就容易产生平地。为克服上述现象，每次配制新的腐蚀溶液时增加0.4％～ 0.6％的硅酸钠，就是为了克服绒面不连续现象。D．在绒面的制作过程中，会产生大量的 H2 气泡，附着在硅片上，根据情况，要不断的向溶液中增加异丙醇。异丙醇是消泡剂。（根据实际情况及经验确定其用量）E．绒面腐蚀液时间久了，硅酸钠的含量逐渐增多，粘度也增大，比重增大，硅片上浮，为了减少绒面的不连续性绒面的腐蚀液的废液也可留下 1/4，再增加 3/4 的新溶液。F．在绒面的制备过程中，在显微镜下观察，经常会看到右图所示的现象，如果 a 为正常绒面， b 的绒面就太小了；如果 b 为正常绒面， a 的就太大了。 B 部分为小绒面，被气泡所覆盖，减缓了反应速度，生成小绒面。 B 部分为小绒面，其表面有油质污染，减缓了反应速度。（形成此现象的具体原因在生产中再摸索）3． 3 漂洗3． 3． 1 目的在制绒面的过程中，其表面沾污了各种金属离子和各种盐类，本水槽中是四面溢流式，纯水来自上一个喷淋槽，在本槽中硅片初步清洗。3． 3． 2 漂洗时间漂洗时间大约为 2 分钟左右，在实践中进一步摸索确定。3． 3． 3 漂洗方式漂洗槽是四边溢流式，无任何金属粒子沾污的水泵过滤器，使纯水长生循环，加强去污效果。3． 3． 4 漂洗槽温度室温。3． 4 喷淋槽3． 4． 1 目的在漂洗槽得到初步清洗的硅片，在喷淋槽中得到进一步较彻底的清洗。纯水是 18MΩ /CM 的纯水；雾化喷淋。3． 4． 2 喷淋时间喷淋时间大约 3～ 4 分钟，在实践中进一步确定。3． 4． 3 喷淋槽温度室温。3． 5 中和槽3． 5． 1 目的进一步去除硅片表面的钠离子和硅酸盐类的沾污。3． 5． 2 溶液的配制（ 5.1～ 7.5） L 盐酸＋（ 28.1～ 26.5） L 纯水3． 5． 3 溶液温度室温3． 5． 4 溶液的纯度电子级（ MOS 级）3． 5． 5 溶液的腐蚀时间 5～ 6.5 分钟3． 6 漂洗工艺同 3． 3 3． 7 HF 酸溶液漂洗硅片 , 3． 7． 1 目的硅片在清洗的过程中不可避免的在硅片表面形成很厚的一层 SiO2,把一层未清洗的 SiO2 去除。3． 7． 2 溶液的配制 HF H2O＝ 1 10 体积比3． 7． 3 溶液的纯度电子级3． 7． 4 腐蚀时间硅片表面不沾水为最佳。 SiO2 层很薄，腐蚀时间通常不大于20 秒。3． 7． 5 溶液的温度室温3． 8 漂洗工艺同 3． 3 3． 9 喷淋工艺同 3． 4 3． 10 慢拉槽3． 10． 1 目的一批可清洗 1253 125 的硅片 300 片，为了尽量减少硅片和提篮所沾附的水迹。3． 10． 2 槽中的溶液为 18MΩ CM 的纯水3． 10． 3 溶液的温度 85± 5℃3． 11 烘干槽3． 11． 1 目的清除掉硅片表面的水渍。3． 11． 2 烘干槽的温度范围 100～ 110℃3． 11． 3 烘干时间每个槽不大于 10 分钟。4．扩散工艺4． 1 目的在硅片表面形成 PN 结4． 2 工艺条件序号名称炉温 O2 N2（大） N2（小）时间1 升温 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分2 装片 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分3 进炉 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分 5′4 稳定 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分 12′5 通 O2 880～ 900℃ 1.17L/min 18～ 20L/ 分 21′6 通 POCl3 880～ 900℃ 1.17L/min 18～ 20L/ 分 1.17L/min 12′7 吹氮 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分 10′8 出炉 880～ 900℃ 18～ 20L/ 分 10′说明① 三氯氧磷的纯度 5 个 9 ② O2 ≥ 99.995％（压力 40 psi2.8Kg/平方厘米）③ N2 ≥ 99.998％（压力 40 psi2.8Kg/平方厘米） 1psi0.07Kg/平方厘米④ CDA 5Kg/立方厘米⑤ 循环水进口水温≤ 25℃，出口水温≤ 35℃⑥ 源温 20± 0.5℃⑦ R□ 中心值 60Ω 偏差 60± 20Ω （ 5 点检测值 max-min/maxmin≤ 10％） POCl3 99.999 ％4． 3 注意事项与问题讨论4． 3． 1 硅片清洗之后，应在最短时间内进行扩散，尽量减少各种污染。4． 3． 2 怎样提高 R□均匀一致性A．现在炉管直径逐渐增大，投片量增大，其热惯性增大，炉子的稳定时间相应的加长，通常在 12 分钟左右，硅片的温度一致性好，这是 R□均匀的基础。B．大 N2 的流量通常为 18～ 20L/ 分，它是一种输送气体，把 POCl3 气体携带到炉管中，如果大氮流量偏小，就引起硅片前后的 R□不均匀。C ．为了提高 R□的均匀性，在石英舟的前后放置石英挡板，目的是使气源更加均匀一致。D ．为了提高扩散质量，在硅片表面生成非常厚的一层 SiO2，减少表面的合金点，碱磷源对硅片的腐蚀作用，使 R□更均匀一致。4． 3． 3 怎样尽量减少 PN 结的反向以漏电流A．在 100 级净化间内操作，操作者戴口罩、手套、尽量减少对硅片的污染；B．硅片清洗要规范，在清洗过程中把各种沾污彻底清除掉。4． 3． 4 如果硅片在扩散时是背靠背放置，在扩散后一定要严格区分扩散面和没扩散面，如果相混淆，那么转换效率为零，将会发生重大责任事故。操作者必须十分小心认真，千万不能混淆。把一对背靠背扩散的 AB 把A 片放置一堆，扩散面朝上，扩散面 /未扩散面；把 B 片放置一堆，扩散面朝下，未扩散面 /扩散面，然后在把两堆，再放置再一起， B 片翻转 180 度与 A 片相重合，交周边刻蚀。4． 3． 5 炉管饱和如果不连续生产，每天再正式生产之前，对炉管进行饱和，即正式的扩散工艺，把石英舟放入恒温，进行一次扩散，这样做使 R□较均匀一致。4． 3． 6 做样片在饱和炉管之后，按正常的扩散工艺做样品，通过样片测试，观察样片是否在合格范围。4． 3． 7 四探测试台根据不同的四探针，补充相应的操作步骤说明书， R□一定要准确测量，才能更好的指导工艺调整。4． 3． 8 石英管清洗A．把石英管放于石英管清洗机内，用去离子水冲洗石英管内部外部；B．用 HCL H2O＝ 1 10 溶液浸泡 40 分钟；C．用去离子水冲洗 10 分钟；D．用氮气吹干，待用。说明 1 所有石英制品在清洗过程中不可赤手触摸，必须戴手套；2 按石英管清洗机的操作规程清洗。4． 3． 9 为了保持石英炉管的清洗，在炉管不工作时，炉管内也要保持正压，防止外部的尘埃进入炉管。为了提高炉管的使用寿命，在炉管不工作时也要恒温在400℃4． 3． 10 关于扩散炉气路系统的说明A．减压阀压缩空气、氮气、氧气进入扩散炉，有一个减压阀，把压力调整到一个合适的范围， CDA 5Kg/平方厘米； O2、 N2 2.8 ～ 3 Kg/ 平方厘米；B．过滤器的作用在改变量程，各种阀门在动作时都会在系统产生大量的尘埃，为了减少尘埃对系统的沾污，在每个气体回路中都安装了进口过滤器，对提高产品性能是有很大作用的；C．浮子流量计与质量流量控制器他们都是控制各自回路流量的气体流量的。浮子流量计是随回路气体的压力变化而变化的，而质量流量计的最大特点，基本不随回路气体的压力变化而变化，它的流量是非常稳定的；D．源温控制器源温控制器对扩散的 R□的均匀性很重要。 POCl3 的饱和蒸汽压与温度基本成正比，如果源温不稳定， POCl3 在炉管的浓度也不稳定。这就会严重影响扩散质量；E．三氯乙烷清洗瓶三氯乙烷是专为清洗炉管用的。在清洗炉管之后，炉管比较脏，可以用三氯乙烷清洗炉管，在科研时，每天在扩散氧化之前都用三氯乙烷清洗炉管；F．单向阀只准许 POCl3 和三氯乙烷向炉管方向流动，不允许向反向流动；G．电磁阀气动阀通过电磁阀来控制气动阀。在源瓶前后的气动阀一定要同时启动，或者，源瓶前面的气动阀要先启动，源瓶后面的气动阀后启动，否则不堪设想，会把源瓶的源全部送到炉管中会造成事故；H．各个气路系统的作用①．浮子流量计系统在扩散炉不工作，或者突然停电后，为了保证炉管保持正压，而设计的一个气路，通常流量控制在 4～ 6L/ 分；②．源温控制器气路通过电磁阀气动阀的控制，质量流量计控制流量，以小 N2 携带 POCl3把源通入炉管内；③．大 N2 气路大 N2 作用运载气体，把源快速均匀的运载到炉管；④． O2 气路如果 O2 的流量偏小， POCl3 热分解后，形成 PCl5 它会对硅片有腐蚀性，为了减少对硅片表面的腐蚀，一定要通一定量的 O2 气。5．周边等离子刻蚀5． 1 目的在 PN结扩散时，不可避免的在硅片的正面和背面都形成了 PN结，为了减少漏电流，利用等离子刻蚀的方法，把正、背面的 PN结相奋力；5． 2 主要设备 M 42200－ 1/um 型等离子刻蚀机；5． 3 主要材料和仪器①．扩散 PN结的硅片②．聚四氯乙烯提篮③．硅片上下部的压块④．手套、口罩⑤． N2、 O2、 CF4气体，纯度为 5N 5． 4 工艺技术条件5． 4． 1 输出功率 600W 5． 4． 2 刻蚀时间 9 分钟5． 4． 3 每批刻蚀的硅片数 200 片 / 批5． 4． 4 工艺气体流量 CF482.5 ％； O2 17.5 ％；（适当变化比例，四十八所调试时注意）5． 4． 5 工艺气体的压力范围 0.1 ～ 0.2Mpa （详见设备操作规程）5． 5 安全注意事项及问题讨论5． 5． 1 设备在不工作时，系统应真空保存；5． 5． 2 如停机较长时间后再进行刻蚀工艺，需要先进行一次空载刻蚀后再刻蚀硅片；5． 5． 3 在刻蚀工艺自动运行过程中，千万不能触摸电感线圈，防止高压电击；5． 5． 4 扩散后的硅片是有方向性的，一边为扩散面，另一边为未扩散面，要么扩散面朝上，要么扩散面朝下，一定要永远这样做，绝对不能搞错，一旦发生错误，整批电池的转换效率为零；5． 5． 5 每片 200 片，硅片要排列整齐，用聚四氯乙烯提篮和上下压块把待刻蚀硅片压紧，防止刻蚀到硅片里边；5． 5． 6 把提篮放入真空室时要轻拿轻放，防止损坏石英钟罩，以及真空密封部分；5． 5． 7 机械泵的泵油要及时更换，至少每半个月或者每一个月换一次油，保持系统的真空良好；5． 5． 8 怎样判断周边刻蚀的质量呢从电池片的 IV 曲线上就可以判断周边刻蚀的质量如果出现如左图的不正常 IV 曲线，就说明等离子刻蚀质量不好，周边的 PN结没有完全刻蚀掉，有明显的 PN结漏气，必须调整工艺参数。6．去除硅片表面的氧化层 6． 1 目的在 PN结的扩散过程中，在硅片表面生长了一定厚度的磷硅玻璃层，为了形成良好的欧姆接触，减少入射光的反射，在淀积 SixNyHz 之前，把磷硅玻璃腐蚀掉。IVI SCV O C正常IV曲线不正常的曲线6． 2 设备去磷硅玻璃清洗机6． 3 主要原材料和工具 A. 已经周边刻蚀的硅片；B. 氢氟酸纯度等级电子纯；C. 氟化铵纯度等级电子纯；D. 片盒、提篮；E. 化学防腐手套；F. 防护眼镜；G. 围裙；H. 金属镊子；6． 4 硅片上片盒6． 4． 1 已扩散的硅片有方向性（有扩散面和未扩散面），片盒同样有方向性，一定要定义好，扩散面对准片盒的哪一个方向；6． 4． 2 在装片的过程中，尽量减少对硅片的污染，人是最大沾污源，不要面对硅片说话，不能用手直接接触硅片；6． 5 腐蚀液的配制A ． 40％的氟化铵溶液＋ 5％的氢氟酸（占氟化铵体积的 5％）B ．溶液温度室温；C ．腐蚀时间 2 分钟；说明当片盒提出腐蚀溶液时，硅片表面不沾水，没有任何水痕，则表示硅片上的磷硅玻璃已经完全腐蚀干净。6． 6 淋洗槽（水浴槽），该槽的纯水来源于喷淋槽，该槽的纯水自循环，四边溢流式；从腐蚀槽出来的提篮，立刻放入水浴槽，时间 2～ 3 分钟。6． 7 喷淋槽喷淋槽的纯水来自纯水站；每一个提篮要喷淋 2 分钟。6． 8 慢拉槽进一步清洗硅片，在慢拉过程中，使提篮片盒和硅片上尽量沾少量的水痕；槽的水温在 60～ 80℃，时间 2 分钟；6． 9 双位烘干槽温度 100 ～ 110℃ 时间 10 分钟；干净的除油、除尘、除湿的空气吹干。62 5R751 5217432731.25丝网印刷部分1．正面栅线设计1． 1 细栅线的宽度 0.125 1． 2 细栅线的根数为 44 根1． 3 最边缘的细栅线到电池边缘的距离为 1.7mm 0.1253 44＋ 1.73 2＋ 433 2.7＝ 125 1． 4 两根细栅线之间的距离为 2.7mm 1． 5 立栅线的宽度为 1.5mm 125 均分为 4 2．正面栅线丝网的材料、目数与膜厚2． 1 材质进口德国的不锈钢丝网2． 2 目数 280 目；线径 30μ m；纱厚 50μ m；膜厚 15μ m；膜和丝网的总厚度 65μ m 2． 3 张力 26 牛顿3．浆料3． 1 浆料 Ag 浆；3． 2 生产国家美国 ferro 3． 3 规格 3349 4．丝网与硅片之间的距离对不锈钢丝网，两者之间的距离 1～ 2mm,以 1.5mm为最佳值；2．背面 AgAl 浆可焊电极2． 1 背面栅线图形的设计2． 1． 1 33 109 的银铝浆汇流条与 1.53 0.2 的焊带形成良好的焊接性能。2． 1． 2 问题讨论1 2 6.510＃这两种图形各有优缺点图 1 为长条状，浪费了 AgAl 浆料，如果硅片碎片后可以顺利的划成碎片；图 2 可以节省 AgAl 浆料，降低成本，但是硅片碎片之后，划成小片利用率大大降低。＃用 3 这种图形，与铝背场能够形成良好的欧姆接触，铝浆料与银铝浆料有细线重叠部分，这样可以大大提高效率和填充因子。＃尽量减少铝浆与银铝浆的重叠部分，在显微镜下观察两者的重叠部分严重发黑，既大量大有机溶剂没有充分挥发，这样就严重影响电池效率和填充因子。无锡尚德采用两排交错打孔的方法尽量减少重叠部分的影响。2． 2 背面电极丝网材料、目数与膜厚2． 2． 1 材质进口德国不锈钢丝网2． 2． 2 目数 325 目2． 2． 3 线径 23～ 28μ m 2． 2． 4 纱厚 46μ m 2． 2． 5 膜厚 15μ m 2． 2． 6 膜和丝网的总厚度 60～ 63μ m 2． 3 浆料规格 AgAl 浆牌号 3398 生产国家 FERRO 美国2． 4 丝网与硅片之间的距离 1～ 1.5mm 为宜3．背面铝背场丝网图形的设计3． 1 铝背场的图形设计如图所示3． 2 关于丝网的规格3． 2． 1 材质不锈钢丝网，进口德国3． 2． 2 目数 200 目33． 2． 3 丝直径 46～ 53μ m 3． 2． 4 丝网厚度 82～ 90μ m 3． 2． 5 膜厚 15μ m 3． 2． 6 张力 26～ 25 牛顿3． 3 浆料规格美国 FERRO 53－ 038 铝浆3． 4 丝网与硅片之间的距离 1～ 1.5mm 测试分选