单晶硅制绒-solarbe文库

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1 单晶硅制绒工艺一次清洗工艺说明1.目的确保单晶硅片扩散前的清洗腐蚀的工艺处于稳定的受控状态2.使用范围适用于单晶硅片扩散前的清洗腐蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.硅片检验4.1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；4.2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；见附图一、二 4.3 将不合格品放置规定碎片盒子内，作统一处理。5.装片（见附图三）5.1 片盒保持干净，片盒底部衬以海绵，将硅片插入片盒中，每盒最多插 25 片硅片。5.2 禁止手与片盒、硅片直接接触，必须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作。每插 100 张硅片，需更换手套。5.3 操作中严禁工作服与硅片和片盒接触。6.上料（见附图四）6.1 硅片插完后，取出片盒底部的海绵，扣好压条。6.2 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮 12 个片盒，片盒之间有适当的间隔。7 化学腐蚀液的配制7.1 准备将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。7.2 配制向 5、 6、 8、 10槽中注满去离子水， 1-4、 7、 9槽中注入约一半深度的去离子水，按照“ 7.3” 比例分别向各槽加入指定量的化学药品，再注去离子水达到指定的高度。7.3 化学腐蚀液的配制比例（见下表）槽号 1槽 2-4槽 7 9槽功能去损伤层制绒去 Na2SiO3 去金属离子清洗液组成氢氧化钠氢氧化钠异丙醇硅酸钠氢氟酸盐酸NaOH NaOH IPA Na2SiO32 9 H2O HF HCl 标准浓度（克 /升） 40± 5 18± 5 5± 2 3± 1 53± 5 84± 5 加入试剂 9 千克 2 千克 12 升 6 千克 16 升 32 升加入试剂（瓶 18 4 3 12 4 8 2 液面高度（厘米） 42 32 32 32 30 30 7.4 配制溶液要求7.4.1 配料顺序 1槽按水、氢氧化钠的顺序； 2-4槽按硅酸钠、氢氧化钠、异丙醇的顺序。7槽按水、氢氟酸、水的顺序； 9槽按水、盐酸、水的顺序。7.4.2 时间要求 2-4槽按硅酸钠、氢氧化钠配制完毕后，需等待 10 分钟之后硅酸钠、氢氧化钠完全溶解后，才能加异丙醇。 1槽配制完毕后 , 温度达到工艺要求之后，同时 2-4槽的其中一槽加硅酸钠、氢氧化钠 10 分钟后，才可进硅片。7.4.3 异丙醇加液要求需用塑料管或漏斗将异丙醇加到制绒槽的底部，在硅片进入 1槽之后才能加异丙醇，减少异丙醇的挥发。8.各化学药品规格及要求8.1 氢氧化钠电子纯，容量 500 克 /瓶，浓度 ≥ 98。8.2 异丙醇电子纯，容量 4 升 /瓶，浓度≥ 99.9，密度 0.78 克 /毫升。8.3 硅酸钠电子纯，容量 500 克 /瓶。8.4 盐酸 MOS 级，容量 4 升 /瓶，浓度 36～ 38，密度 1.18 克 /毫升。8.5 氢氟酸 MOS 级，容量 4 升 /瓶，浓度≥ 49，密度 1.13 克 /毫升。9.工艺过程化学药品的补加（见下表）9.1 工艺过程 7、 9槽不需补加化学药品， 1-4槽每清洗一篮硅片按以下要求补加槽号 1槽 2～ 4槽每清洗一篮硅片排液 cm 补加 NaOH 补加 NaOH 补加 IPA1.5 ± 0.5 25± 10g 25± 10g 4 升（一瓶）备注清洗停止 1 小时以上，每停 1 小时，需补加 2 升 IPA ，最多补加 6 升（ 1.5 瓶）。10.各槽化学液更换频率（见下表）工艺正常操作时（不允许全部排液、重新配液）槽号 1槽 2～ 4槽 7槽 9槽更换周期 24 小时 24 小时 12 小时 12 小时更换时间早班交接班早班交接班交接班交接班工艺不正常时（ 1～ 4 号槽）更换条件工艺不正常状态 1 连续停机 8 小时以上，要求全部换液重配工艺不正常状态 2 2～ 4槽，其中一槽连续 3 篮硅片出现白斑，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态 3 2～ 4槽，其中一槽硅片出现白斑超过 50，可以对该槽单独重新配液。工艺不正常状态 4 2～ 4槽，连续都出现白斑，可以对 1槽单独重新配液。11.清洗腐蚀工艺参数的设置（见下表）11.1 小片盒放置硅片3 11.1.1 使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置（见下表）槽位 1槽 2-4槽 5槽 6槽 7槽功能去损伤制绒漂洗喷淋去 Na2SiO3时间 270± 30μ m 240± 30μ m 230± 30μ m 30 min 5 min 5 min 1 min 4min 2min 1min 温度℃ 65± 2 83± 2 常温常温常温槽位 8槽 9槽 10槽 11槽 12槽 13、 14槽功能漂洗去金属离子漂洗喷淋慢拉烘干时间 5 min 5 min 5 min 5 min 不使用不使用温度℃ 常温常温常温常温不使用不使用注意使用小片盒硅片 12、 13、 14槽不使用。干燥工艺采用 11.1.2 的离心甩干工艺。11.1.2 离心甩干工艺（见下表）项目主轴低速主轴高速喷水时间吹气时间开门时间蜂鸣器延时参数 205rpm 430rpm 30 秒 180 秒 10 秒 10 秒11.2 大片盒放置硅片（同 11.2.2 表）11.2.1 使用大片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的设置1～ 11槽工艺与使用小片盒清洗硅片腐蚀工艺参数的相同11.2.2 12～ 14槽工艺参数的设置槽位 12槽 13、 14槽功能慢拉烘干时间 2 min 17 min 温度℃ 常温 170± 2℃11.3 返工硅片腐蚀工艺参数的设置（同 11.3.2 表）11.3.1 根据“一次清洗检验工艺规程” ，对清洗后的硅片进行表面检查，重量、厚度检验和绒面质量分类。检验不合格的硅片，根据其厚度，按“ 11.1.1”选择相应的清洗腐蚀工艺。11.3.2 不合格的硅片，厚度≤ 200μ m 直接转至扩散工序； 200μ m＜厚度≤ 230μ m，按下表工艺返工槽位 1槽 2-4槽功能去损伤层制绒时间 0 min 20 min 温度℃ 65± 2 83± 2 12.运行4 12.1 根据一次清洗设备操作规程，在手动工作状态下，按照“ 11 清洗腐蚀工艺参数的设置” ，设定各槽时间，及相关的温度；12.2 根据一次清洗设备操作规程，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗腐蚀。13 工艺安全及注意事项13.1 13.1 工艺安全盐酸、氢氟酸和氢氧化钠都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。13.2 硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类沾污硅片。13.3 硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。14 引用文件一次清洗设备操作规程 SF／ QD-设备 -01一次清洗检验工艺规程 SF／ QD– 工艺 -12 硅片检验1 将包装箱打开，查看规格、电阻率、厚度、单多晶、厂家、编号是否符合要求；2 检查硅片是否有崩边、裂纹、针孔、缺角、油污、划痕、凹痕；3 将不合格品放置规定碎片盒子内，作统一处理。附图一针孔油污崩边、缺角附图二5 片盒保持干净，每盒插 25 片硅片。禁止手与片盒、硅片直接接触，须戴塑料洁净手套或乳胶手套操作，每插 100 片硅片，需更换手套。工作服不能与硅片和片盒接触片盒底部需垫海绵插片附图三将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中，每篮 12个片盒，片盒之间有相应的间隔硅片插完后，取掉片盒底部的海绵，扣好压条。上料附图四6 二次清洗工艺说明1.目的确保硅片等离子刻蚀后的清洗工艺处于受控状态称重称量 NaOH 重量需使用电子称，保证在工艺要求范围内，误差不超过 10 克。附图五附图六补加异丙醇补加异丙醇时，需使用塑料管或漏斗将异丙醇补加到制绒槽底部7 2.使用范围适用于硅片等离子刻蚀后的清洗工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.已刻蚀硅片的流入（见附图一）经等离子刻蚀后的硅片，经检验合格后，流入到插片工作台，硅片扩散面朝下，非扩散面朝上。5.插片（见附图二）5.1 片盒的小面朝上，大面朝下。5.2 用真空吸笔将硅片由下至上插入片盒的片槽中，严禁装反。6 上料（见附图三）6.1 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中每篮 12 个片盒，片盒之间有相应的间隔。7 化学腐蚀液的配制7.1 将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。7.2 化学腐蚀液的配制比例（同附表一）槽号 1 号槽 2 号槽 3 号槽 4 号槽 5、 6 号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干清洗液组成 49氢氟酸 40氟化氨去离子水去离子水去离子水清洁风标准浓度（克 /升） 40± 5 18± 5 / / / / 加入试剂（升 12 160 / / / / 加入试剂（瓶 3 40 / / / / 液面高度（厘米） 32 32 32 32 30 / 7.3 按“ 7.2”配比向 1 号槽加入氢氟酸和氟化氨溶液。向 2 和 4 号槽中注满去离子水。8 化学药品规格及要求8.1 氢氟酸 MOS 级，容量 4 升 /瓶，浓度≥ 49，密度 1.13 克 /毫升。8.2 氟化氨 MOS 级，容量 4 升 /瓶，浓度 40.1± 1.0,密度 1.05 克 /毫升。9 二次清洗工艺参数设定（同附表二）槽号 1 号槽 2 号槽 3 号槽 4 号槽 5、 6 号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干温度常温常温常温常温 170± 5℃时间 2.5min 5min 7min 2min 16min 10 化学液更换频率（同附表三）槽号 1 号槽换液频率 12 小时全部换液重配更换时间交接班11 运行11.1 根据二次清洗设备操作规程，在手动工作状态下，按照“ 9 二次清洗工艺参数的设置” ，设定各槽时间，及相关的温度；11.2 根据二次清洗设备操作规程，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗。12 检验每篮抽取 5 片硅片，在日光灯下目测，硅片表面是否干燥，无水迹和其它污点。13 工艺安全及注意事项13.1 工艺安全氢氟酸和氟化铵溶液都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。13.2 硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类玷污硅片。13.3 硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。13.4 真空吸笔要经常用酒精清洗，在操作过程中保持清洁14.引用文件二次清洗设备操作规程 SF／ QD-设备 -05刻蚀、二次清洗检验工艺规程 SF／ QD-工艺 -14 已刻蚀硅片的流入经等离子刻蚀过的硅片流入到插片工作台，硅片方向须按此放置扩散面向下非扩散面向上9 图一图二图三化学腐蚀液的配制比例（附表一）槽号 1 号槽 2 号槽 3 号槽 4 号槽 5、 6 号槽插片片盒小面朝上片盒大面朝下非扩散面向上，扩散面向下上料将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中每篮 12 个片盒，片盒之间有相应的间隔10 功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干清洗液组成 49氢氟酸 40氟化氨去离子水去离子水去离子水清洁风标准浓度（克 /升） 40± 5 18± 5 / / / / 加入试剂（升 12 160 / / / / 加入试剂（瓶 3 40 / / / / 液面高度（厘米） 32 32 32 32 30 / 二次清洗工艺参数设定（附表二）槽号 1 号槽 2 号槽 3 号槽 4 号槽 5、 6 号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干温度常温常温常温常温 170± 5℃时间 2.5min 5min 7min 2min 16min 扩散工艺说明1. 目的确保单晶硅磷扩散工艺处于稳定受控状态2. 适用范围适用于单晶硅磷扩散工序3. 责任本工艺说明由技术部负责4. 内容4.1 工艺流程4.1 按照设备点检表点检设备是否完好，符合运行条件。4.2 升温4.2.1 按照扩散设备操作规程进行升温。对于不常用的炉管，需先进行一次饱和。4.3 装片、检验（见附页一）4.3.1 打开传递窗，将片盒从传递窗拿出放到净化工作台里；4.3.2 用舟叉将空石英舟端至净化工作台；4.3.3 用石英真空吸笔将片盒内的硅片移至石英舟槽内，每槽 2 片；4.3.4 在装片过程中，需检验硅片表面是否干净。若硅片两面都不干净，做返工片处理；若一面干净，一面不干净，则将干净面作为扩散面；4.3.5 检查硅片是否有裂纹，若有裂纹作碎片处理。4.4 上桨（见附页二）4.4.1 用舟叉将石英舟平稳端出净化台，石英舟微微向上倾斜，约 15°，端至碳化硅桨上，11 一边靠近匀流板约 13cm。4.5 扩散4.5.1 按照扩散设备操作规程，开启设备，具备生产条件；4.5.2 点击触摸屏上的“工艺运行”按钮，输入正确的工艺号 ,参照扩散工序工艺参数表，检查各工艺参数是否符合要求，点击“确认”按钮，运行扩散工艺。4.6 方块电阻测量（见附页三）4.6.1 扩散工艺运行完毕后，用舟叉将石英舟端至卸片台，按照从炉口到炉尾的方向依次均匀的取五片，放入片盒中，注意区分扩散面和非扩散面，扩散面一定要朝片盒的大面放置。4.6.2 按照四探针测试仪操作规程测量方块电阻，测量硅片中心点和四个角的方块电阻值，测量四角方块电阻时注意探针距硅片边缘的距离要大于 1cm，测完后关闭四探针主机电源，并且正确填写方块电阻记录表。4.6.3 方块电阻值要求在 40± 5Ω 范围内，不均匀度不超过 10％，如超出该范围，应立即通知工艺人员。不均匀度的定义为计算五片硅片的方块电阻平均值，在这五个数值中取最大值和最小值，（ R 最大 -R 最小） /（ R 最大 R 最小）3 100即为不均匀度。4.7 卸片、检验（见附页四）4.7.1 若方块电阻无异常，则将石英舟上扩散后的硅片装至黑色承载盒中，确保所有硅片扩散面向上。4.7.2 通过传递窗流入下道工序。4.8 工艺参数4.8.1 扩散工艺参数在各炉管中，均定义为 01 号工艺。时间（分钟）温度（℃）大 N2（ L/min ）小 N2（ L/min ） O2（ L/min ）源温（℃）进炉 6 840890 2530 20 稳定 9 840890 2530 20 通源 2030 840890 2530 1.62.0 1.82.2 20 吹氮 10 840890 2530 20 出炉 10 840890 2530 20 注因各炉管之间的差异，所以各工艺参数之间也存在差异，上表给出的是正常的工艺参数的范围。4.8.2 TCA 清洗工艺12 在各炉管中，均定义为 02 号工艺。时间（分钟）温度（℃）大 N2（ L/min ）小 N2（ L/min ） O2（ L/min ）源温（℃）通氧 5 1050 25 10.0 20 通源 480 1050 25 1.0 10.0 20 吹氧 10 1050 25 10.0 20 4.9 注意事项4.9.1 各个炉管工艺参数操作者不得随意改动。4.9.2 本工序必须穿戴连体洁净工作服、洁净工作鞋、洁净工作帽、乳胶手套及口罩。4.9.3 必须正确填写电池线生产日报交接表。5.引用文件扩散设备操作规程 SF／ QD-设备 -02 炉管清洗工艺操作规程 SF／ QD-工艺 -03 扩散检验工艺规程 SF／ QD-工艺 -13 四探针测试仪操作规程 SF／ QD-设备 -12 装片、检验插片净化工作台插片时必须穿好洁净工作服。13 上桨严禁裸手操作，一定要戴好乳胶手套，且不得用手直接接触硅片和石英舟。石英吸笔，从片盒中吸取硅片插到石英舟内。石英舟，每个槽插两片硅片片盒上桨移动、放置石英舟时，一定要小心轻放碳化硅桨，易碎安装、拆卸时切勿碰撞触摸屏14 方块电阻测量测量四探针测试台扩散面朝上四探针主机距离 13cm 匀流板15 卸片、检验如实填写方块电阻记录表，如有异常情况，及时通知工艺人员。卸片卸片台，不得放置异物，以免污染硅片16 5．引用文件扩散设备操作规程 SF/QD-设备 -02 炉管清洗工艺操作规程 SF/QD-工艺 -03 扩散检验工艺规程 SF/QD-工艺 -13 周边刻蚀工艺说明1.目的确保等离子刻蚀（周边刻蚀）工艺处于稳定受控状态2.适用范围适用于等离子刻蚀工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.装夹4.1 承载盒中的硅片由扩散转入的硅片装在黑色的承载盒中，硅片的非扩散面面向承载盒的底部，硅片的扩散面面向承载盒的上部。见图 1 4.2 硅片整理双手拿起硅片，轻轻整理，使硅片的各侧面尽量保持在同一平面上，扩散面面向自己，非扩散面朝外。见图 2 4.3 装夹将数量≤ 200 片的硅片，装在等离子刻蚀的夹具上，硅片的扩散面与夹具底部接触，非扩散承载盒扩散面一律朝上17 面与夹具上部接触，硅片两端面与夹具接触面之间需各垫一块垫片。见图 3 4.4 将夹具左右两侧的螺丝需锁紧后，待刻蚀。5.等离子刻蚀工艺参数5.1 时间参数（同下表）预抽 120 Sec 辉光 720 Sec 主抽 120 Sec 清洗 60 Sec 送气 180 Sec 充气 30 Sec 5.2 工艺参数（同下表）工艺压力 100Pa 辉光功率 600 W 氧气流量 30 SCCM CF4 流量 250 SCCM 5.3 压力偏差设置（同下表）压力偏差 20 Pa 5.4 变频电机旋转速率（同下表）变频电机旋转速率 12.5Hz 6.工艺过程6.1 操作按等离子刻蚀设备操作规程，下一步按“ 5 等离子刻蚀工艺参数”对参数进行设置。6.2 将旋转开关旋至自动，开盖，将待刻蚀的硅片放入反应室，关盖，按下运行按钮 ,整个工艺将自动完成，取片后接着装片，可连续进行工艺。7.检验要求7.1 刻蚀好的硅片周边应光滑发亮。7.2 冷热探针测电压使用万用电表，旋纽旋至直流电压 200mV 档，负极接在加热的电烙铁上，将正、负两电极固定，保持间距为 30± 2cm，将硅片平靠在两电极上，测量电压值，电压显正值，并且电压值≥ 30mV 见图 4，检验电压值＜ 30mV 为不合格，按等离子刻蚀正常工艺重新刻蚀。7.4 再测量扩散面和非扩散面是否分别为负值和正值，如果扩散面为正值，要求退回扩散间重新扩散工艺处理（见图 5）。8.工艺安全及注意事项8.1 硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类玷污硅片。8.2 硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。9.引用文件18 等离子刻蚀设备操作规程 SF / QD-设备 -04 刻蚀、二次清洗检验工艺规程 SF / QD- 工艺 -14 图一图二承载盒中的硅片硅片的非扩散面面向承载盒的底部硅片的扩散面面向承载盒的上部整理双手捧着硅片，轻轻整理，使硅片的各侧面尽量保持在同一平面上。扩散面面向自己非扩散面朝外手不能直接和硅片接触必须使用一次性手套防止钠离子、油类玷污硅片19 图三图四图五二次清洗工艺说明硅片的非扩散面与夹具上部接触，硅片与夹具之间需垫一块垫片装夹硅片的扩散面与夹具底部接触，硅片两端面与夹具之间需各垫一块垫片将夹具左右两侧的螺丝需锁紧后，待刻蚀。检验旋纽旋至直流电压 200mV 档要求电压为正值且≥ 30mV 负极接在加热的电烙铁上将正、负两电极固定，保持间距为 30± 2cm，将硅片平靠在两电极上，测量电压值。要求对扩散面，电压显示负值，对非扩散面，电压显示正值。20 1.目的确保硅片等离子刻蚀后的清洗工艺处于受控状态2.使用范围适用于硅片等离子刻蚀后的清洗工序3.责任本工艺说明由技术部负责4.已刻蚀硅片的流入（见附图一）经等离子刻蚀后的硅片，经检验合格后，流入到插片工作台，硅片扩散面朝下，非扩散面朝上。5.插片（见附图二）5.1 片盒的小面朝上，大面朝下。5.2 用真空吸笔将硅片由下至上插入片盒的片槽中，严禁装反。6 上料（见附图三）6.1 将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中每篮 12 个片盒，片盒之间有相应的间隔。7 化学腐蚀液的配制7.1 将各槽中破损硅片等杂质清除，用去离子水将各槽壁冲洗干净。7.2 化学腐蚀液的配制比例（同附表一）槽号 1 号槽 2 号槽 3 号槽 4 号槽 5、 6 号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干清洗液组成 49氢氟酸 40氟化氨去离子水去离子水去离子水清洁风标准浓度（克 /升） 40± 5 18± 5 / / / / 加入试剂（升 12 160 / / / / 加入试剂（瓶 3 40 / / / / 液面高度（厘米） 32 32 32 32 30 / 7.3 按“ 7.2”配比向 1 号槽加入氢氟酸和氟化氨溶液。向 2 和 4 号槽中注满去离子水。8 化学药品规格及要求8.1 氢氟酸 MOS 级，容量 4 升 /瓶，浓度≥ 49，密度 1.13 克 /毫升。8.2 氟化氨 MOS 级，容量 4 升 /瓶，浓度 40.1± 1.0,密度 1.05 克 /毫升。9 二次清洗工艺参数设定（同附表二）槽号 1 号槽 2 号槽 3 号槽 4 号槽 5、 6 号槽21 功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干温度常温常温常温常温 170± 5℃时间 2.5min 5min 7min 2min 16min 10 化学液更换频率（同附表三）槽号 1 号槽换液频率 12 小时全部换液重配更换时间交接班11 运行11.1 根据二次清洗设备操作规程，在手动工作状态下，按照“ 9 二次清洗工艺参数的设置” ，设定各槽时间，及相关的温度；11.2 根据二次清洗设备操作规程，打到自动工作状态，运行清洗设备，对硅片进行清洗。12 检验每篮抽取 5 片硅片，在日光灯下目测，硅片表面是否干燥，无水迹和其它污点。13 工艺安全及注意事项13.1 工艺安全氢氟酸和氟化铵溶液都具有强腐蚀性，在配液过程中，操作人员接触化学药品时应按照规定穿戴好防护服、防护面具、防护眼镜及长袖耐酸碱胶皮手套。13.2 硅片在检测过程中，操作人员不能用手直接接触硅片和片盒，必须正确穿戴口罩、一次性手套、洁净工作服、工作帽、乳胶手套，防止钠离子、油类玷污硅片。13.3 硅片易碎，在操作过程中，操作人员要轻拿轻放，以减少碎片。13.4 真空吸笔要经常用酒精清洗，在操作过程中保持清洁14.引用文件二次清洗设备操作规程 SF／ QD-设备 -05刻蚀、二次清洗检验工艺规程 SF／ QD-工艺 -14 22 图一图二已刻蚀硅片的流入经等离子刻蚀过的硅片流入到插片工作台，硅片方向须按此放置扩散面向下非扩散面向上插片非扩散面向上，扩散面向下片盒小面朝上片盒大面朝下23 图 3 化学腐蚀液的配制比例（附表一）槽号 1 号槽 2 号槽 3 号槽 4 号槽 5、 6 号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干清洗液组成 49氢氟酸 40氟化氨去离子水去离子水去离子水清洁风标准浓度（克 /升） 40± 5 18± 5 / / / / 加入试剂（升 12 160 / / / / 加入试剂（瓶 3 40 / / / / 液面高度（厘米） 32 32 32 32 30 / 二次清洗工艺参数设定（附表二）槽号 1 号槽 2 号槽 3 号槽 4 号槽 5、 6 号槽功能去磷硅玻璃漂洗喷淋慢拉烘干温度常温常温常温常温 170± 5℃时间 2.5min 5min 7min 2min 16min 上料将已插好硅片的片盒整齐、有序的装入包塑的不锈钢花篮中每篮 12 个片盒，片盒之间有相应的间隔24 PECVD 工艺说明1. 目的确保二次清洗后的 PECVD 工艺处于良好的受控状态2 使用范围适用于本公司单晶硅电池片的 PECVD 工序3. 责任本工艺说明由技术部负责4. 内容4.1 工艺准备4.1.1 检查设备和 PC 上是否有故障显示（红色灯或 /和红色点）；4.1.2 进入“ process chamber” “ recipe” ，对照下面图片检查各工艺参数是否正确4.1.3 如检查无问题，点击右侧中部的 “ pump” 按钮，进入真空泵控制面板，在 “ process pump”下的按钮框里点“ evacuate”按钮，启动工艺腔真空泵。几秒之后 LC（上料腔）和 ULC（下料腔）的“ evacuate”按钮激活，点击这两个按钮，打开相应的真空泵，开始抽 LC 和 ULC 。4.1.4 进入 process parameters,把 heater2 和 heater3的 standby-temperature 修改为 400℃并保存；4.1.5 当真空腔压强降至一定时， heater2 和 heater3 启动，当它们的温度均稳定在 400± 3℃后，方可加载菜单、启动工艺。25 4.1.6 确认氨气和硅烷的气柜均已正确打开，确认后即可启动工艺。4.2 启动工艺4.2.1 在 system 或 process里点“ control”按钮，然后在下拉菜单里选择一个既定工艺；4.2.2 点 load，加载参数，之后点 start，启动工艺；4.2.3 点击下面 transport 里面的 start，启动传送带系统；4.2.4 待硅烷和氨气通入工艺腔，产生等离子体后，把 carrier 放入设备中运行两次，以消除carrier 上附着的水分和空气；4.2.5 去除 carrier 上的水分后就可以开始镀膜。4.3 装片卸片4.3.1 把硅片盒大面（附图 1）朝下，用真空吸笔把硅片依次放入位于上料台的石墨框里，用挂钩（附图 2）挂住；4.3.2 按传送带控制器上的 “进板请求” 按钮（附图 3），把装满硅片的石墨框送入设备体内，并准备导入下一个空石墨框；4.3.3 待石墨框从设备体内出来、停止在下料台上后，用真空吸笔把下面镀好膜的硅片吸出（附图 4），放入塑料盒内；4.3.4 待把所有硅片都卸下后，按石墨框传送带控制器上的“出板请求”按钮（附图 5），把空石墨框送入传送带，送至上料台一端。4.4 停止工艺4.4.1 在加工完所有硅片后或工艺运行过程中出现意外情况时，在 control 界面的 recipe 菜单里点 stop，系统会谈出一个对话框，点击 yes，即可停止工艺运行，然后在 transport里也点击 stop，停止传送带；4.4.2 若短时间内（ 1 个小时内）还要继续工作，应让设备保持在这种待命状态；4.5 安全4.5.1 非 PECVD 生产、工艺和维护人员不得对设备进行操作、拆卸和改装。4.5.2 搬运石墨框时应戴防护手套。4.5.3 设备运行时禁止把手伸入马达中。4.5.4 设备运行时禁止接触电控柜中的元器件。4.5.5 设备运行时禁止接触氨气和硅烷的管道。4.5.6 设备维护之前应确保设备已经充分冷却。5. 引用文件PECVD 设备操作规程 SF/QD-设备 -06 氮化硅薄膜检验工艺规程 SF/QD-工艺 -15 26 图 1 硅片盒的大面和小面，装片时，应保持小面朝上、大面朝下图 2 石墨框上的挂钩（圆圈圈住的部分）27 图 3 传送带进口端控制器图 4 下料台下片场景28 图 5 传送带控制器出口端控制器丝网印刷工艺说明1.目的确保丝网印刷工艺处于稳定受控状态。2.适用范围适用于太阳电池背电极、背电场、正面电极的印刷过程。3.责任本工艺说明由技术部负责。4.内容4.1 背电极印刷、烘干4.1.1 工艺流程4.1.1.1 根据丝网印刷设备操作规程，检查电、气等是否正常，打开设备并运行软件。4.1.1.2 按工艺参数要求设印刷速度、反料速度、丝网间距、刮刀高度、印刷压力以及烘干温度（附图 1）。4.1.1.3 取出相应型号网版、刮刀和刮条，固定在丝网印刷机上（见附图 2）。4.1.1.4 用滚筒搅匀银铝浆，用工具将浆料倒在刮刀附近（注意不要使浆料从丝网中渗漏）（见附图 3）。29 4.1.1.5 装载电池片到承载盒中（见附图 4）。4.1.1.6 丝网印刷机自动运行，进行印刷和烘干，如发生故障，立即停止。4.1.2 工艺参数对于 270μ m 系列的硅片对于 240μ m 系列的硅片印刷速度 180200mm/s 印刷速度 180200mm/s 反料速度 400mm/s 反料速度 400mm/s 丝网间距 -1350-1500 μ m 丝网间距 -1300-1500 μ m 刮刀高度 -1100μ m 刮刀高度 -1070μ m 印刷压力 60-65N 印刷压力 60-65N 烘干温区温区 1 温区 2 温区 3 温区 4 烘干温度℃ 120 140 160 180 4.2 铝背场印刷及烘干4.2.1 工艺流程4.2.1.1 根据丝网印刷设备操作规程，检查电、气等是否正常，打开设备并运行软件。4.2.1.2 按工艺参数要求设印刷速度、反料速度、丝网间距、刮刀高度、印刷压力以及烘干温度（附图 1）。4.2.1.3 取出相应型号网版、刮刀和刮条，固定在丝网印刷机上（见附图 2）。4.2.1.4 用滚筒搅匀铝浆，用工具将浆料倒在刮刀附近（注意不要使浆料从丝网中渗漏）（见附图 3）。4.2.1.5 丝网印刷机自动运行，进行印刷和烘干，如发生故障，立即停止。4.2.2 工艺参数对于 270μ m 系列的硅片对于 240μ m 系列的硅片印刷速度 180200mm/s 印刷速度 180200mm/s 反料速度 400mm/s 反料速度 400mm/s 丝网间距 -1250-1500 μ m 丝网间距 -1200-1500 μ m 刮刀高度 -1000μ m 刮刀高度 -970μ m 印刷压力 55-65N 印刷压力 55-65N 烘干温区温区 1 温区 2 温区 3 温区 4 烘干温度℃ 120 140 180 200 4.3 正面电极印刷4.3.1 工艺流程4.3.1.1 根据丝网印刷设备操作规程，检查电、气等是否正常，打开设备并运行软件。4.3.1.2 按工艺参数要求设置印刷速度、反料速度、丝网间距、刮刀高度、印刷压力以及烘干温度（附图 1）。4.3.1.3 取出相应型号网版、刮刀和刮条，固定在丝网印刷机上（见附图 2）。4.3.1.4 用滚筒搅匀银浆，用工具将浆料倒在刮刀附近，（注意不要使浆料从丝网中渗漏）（见附图 3）。4.3.1.5 丝网印刷机自动运行，进行印刷，如发生故障，立即停止。30 4.3.2 工艺参数对于 270μ m 系列的硅片对于 240μ m 系列的硅片印刷速度 180200mm/s 印刷速度 180200mm/s 反料速度 400mm/s 反料速度 400mm/s 丝网间距 -1200-1400 μ m 丝网间距 -1100-1400 μ m 刮刀高度 -900μ m 刮刀高度 -850μ m 印刷压力 55-65N 印刷压力 55-65N 4.4 附注270 系列硅片定义为 270± 30μ m、 280± 30μ m、 310± 30μ m 240 系列硅片定义为 240± 30μ m、 250± 30μ m 4.5 工艺操作说明在丝网报废后的残留浆料可以回收使用，使用原则是如果浆料干结发白，则该浆料作为废品处理；否则，将浆料另外装罐回收使用，在使用前需要用过滤网过滤碎片、异物。5 引用文件丝网印刷设备操作规程 SF/QD-设备 -07 丝网印刷、烧结检验工艺规程 SF/QD- 工艺 -16 丝网印刷工艺参数点检表5. 图 1（根据工艺参数点检表设置相应的工艺参数）点击 P出现图 1.2 对话框