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硅片清洗工艺采用 RCA方法, 这是半导体行业硅片的标准清洗步骤1 配制氢氟酸溶液( 1 20,本次 100ml2000ml )2 硅片支架清洗、吹干待用3 取硅片放于支架上,按照顺序放好4 配 3#液(硫酸 H2O231,本次 660ml 220ml ) ,硫酸最后加,同时另一容器煮水5 用 3#液煮洗, 15min ,加热至 250℃,拎起支架稍凉片刻6 将支架放到热水中,冲水7 配制 1#液(氨水 H2O2 H2O= 1 1 5-117 ) ,前两者倒入热水中,加热 75~ 85℃, 时间 10~ 20min(时间不可太长, 因为氨水对硅有腐蚀作用,利用络合作用去除重金属杂质) ,取出硅片支架,放入 1#液, 15min ,取出放到热水中,冲水8 配制 2#液( HCl H2O2 H2O = 1 1 5,本次 240ml240ml1200ml )前两者倒入热水中。9 取出硅片,放入 2#液, 15min ,取出放热水中,冲水。10 10%的氢氟酸 120 ,本次 100ml2000ml 时间 5~ 10s,去除硅表面氧化层11 去离子水冲洗时间 20min
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