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PECVD 工艺异常问题汇总 序 号 工艺异常现 象 解决方案 注意事项 1 PE 片子折射率偏高或 偏低 1.检查硅烷和氨气流量计是否损坏。 2.并分别更换硅烷和氨气流量计进行 测试,判断硅烷或氨气输出流量是否 偏高或偏低。 3.更换新的流量计,OK。 如出现类似异常,在更换流量计后, 请不要进行整舟工艺, 若更换的流量 计本身有问题,便会造成整舟返工, 建议先做试验片,待稳定后再做整 舟。 2 片间均匀性较差, 炉口 与炉尾的膜厚差别大。 1.调整工艺的压力值 加大工艺压力, 则气体流动的速度慢,在炉口停留的 时间则长,即可以改变炉口片子的膜 厚。 2.调整辉光功率及脉冲比值则在不 改变开与关的比例的前提下,若延长 脉冲开的时间,则传导的距离越长, 也可以在一定程度上改变炉口的膜厚 度。 1.在调整工艺压力时建议最低不低 于1500MT 最高不高于1800MT。 2.应定期清洗真空管道内的过滤网, 以免堵塞导致蝶阀PVC 开度过大, 导 致炉管内压力波动。 3.检查真空泵的抽速是否变差, 导致 抽速不够,造成炉管内压力波动。 3 工艺温度 (串级) 过冲 严重, 实际温度比设定 高将近40-50 度。 1. 检查温控表是否整定正常 2. 更改温控表 P I D 参数,并对加热 电流进行调整。 1.加热电流调整 炉口为42A 其余4 点为38-40A 左右。 2.由于管式PECVD 采用射频电源直 接式辉光,所以一般温度过冲在 20℃以下都属正常。 4 镀膜后硅片表面出现 一种白色粉尘。 1. 怀疑白色粉末为二氧化硅, 检查炉 管密封性。 发现真空漏率过大。 造 成硅烷与氧气发现反应, 产生二氧 化硅白色粉尘。 2. 射频电源无脉冲输出, 欧姆龙继电 器损坏。 1. 在工艺检漏步时不要将时间缩得 太短。 至少保证20 检漏时间。 不 然存在安全隐患。 2. 更换新的继电器,再做空舟试验 观察是否有脉冲输出。 5 石墨舟外侧膜偏厚, 中 间膜偏薄。 1. 延长石墨舟在炉管内的预热时间。 2. 增大预清洗步辉光功率, 增大脉冲 开值,缩短脉冲关值。 3. 调整各温区温度,防止过冲严重。 异常现 象 色差片 ,片内 均匀性 较差 A.原硅片片源问题,如厚薄偏差较大; B.制绒绒面不均匀,表面黑丝较严重; C.制绒减薄量控制不稳定,有波动; D.制绒、湿法刻蚀碱浓度不够,表面处理不干净; E.二次清洗去磷硅玻璃(去PSG)不彻底; F.石墨舟清洗酸浓度不够,浸泡时间较短; (正常HF 浓度为15-20,浸泡时间为8-10 个小时,每一小时鼓泡5-10 分钟) G.石墨舟清水透洗不彻底,清洗时间不够; (清水透洗时间为6-8 小时,每小时换水1 次,长时间鼓泡清洗) H.石墨舟烘干温度不够,时间较短,烘箱没有设置抽排风; (烘干时间一般为10-12 小时,温度为100-120℃,烘箱应有正常的抽排风) I.PECVD 工艺不稳定,需优化调整PECVD 的温度、压力、 气体流量、功率、脉冲比等参数; J.炉管内碎片较多,影响射频辉光放电,影响气体流向循环; K.石墨舟与电极杆接触不好,接触间隙较大; L.石墨舟陶瓷杆、石墨棒断裂、松动,石墨舟片破裂损坏; M.石墨舟使用次数已达100 次以上,需清洗; N.石墨舟使用周期已达3-6 个月,需更换卡点; O.进气嘴堵塞,导致硅烷、氨气气体混合不均匀。 PECVD 其它 返工 片原因 分析 A.氮化硅粉 尘 由于设备内有氮化硅颗粒脱落在片子表面附着; B.吸笔划痕 在上下片过程中由于吸笔与片子表面摩擦产生; C.线痕片 由于二次清洗工艺存在缺陷, 在蓝色的氮化硅膜上有一条或多条弯曲的线状金属线痕或者由于 原硅片原因导致的切割线痕; D.白斑片、 花片由于 制绒存在缺陷,而使局部区域存在膜的颜色发白,或镀膜面存在花纹状。 E .扩散卡 点 由于扩散过程中石英舟卡点处未处理干净,而使在其卡点处出现发白或发黄; F .水纹印 由于前道刻蚀抽风不稳定,导致多刻、过刻等异常。
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