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SE电池实现方法1印刷磷桨（云南师范）2腐蚀出扩散掩膜层（南京中电）3直接印刷掩膜层（schm id，centrotherm）4湿法腐蚀重扩散层/等离子体刻蚀重扩5LDSE（新南威尔士） 6硅墨技术（Inovalingt,OTB）1印刷磷浆（云南师范）制绒浅扩散印刷磷桨重扩散洗磷PECVD印刷烧结分档包装 2腐蚀出扩散掩膜层（南京中电）制绒氧化硅层印刷浆料腐蚀模板清洗浆料重扩洗磷二次浅扩洗磷PECVD印刷烧结分档包装 10/2yojn163.com 3直接印刷掩膜层制绒印刷掩膜重扩散清洗掩膜二次轻扩洗磷PECVD印刷烧结分档包装 4湿法腐蚀重扩散层/等离子体刻蚀重扩制绒重扩散印刷浆料湿/干腐蚀清洗浆料PECVD印刷烧结分档包装 5LDSE制绒轻扩散PECVD喷磷源激光扩散电镀烘干烧结分档包装 6硅墨技术（Inovalingt,O TBO O O）制绒扩散洗磷PECVD 印刷背极印刷背场硅墨印刷硅墨烘干印刷删线烧结分档 1印刷磷桨（云南师范）特点磷浆容易高温挥发，选择性不佳。也可以一次性实现选择性扩散。2腐蚀出扩散掩膜层（南京中电）特点阻挡层用氧化硅或氮化硅，刻蚀浆料主要利用释放的氟化氢来刻蚀。也可以控制氧化硅的膜厚，形成半阻挡膜，一次性扩散。困难在，浆料的印刷性能，扩散均匀性，印刷对齐。3直接印刷掩膜层（schm id，centrotherm）特点要求掩膜的印刷特性要好，抗氢氟酸要好，容易清除。工艺步骤简单。困难在，扩散均匀，印刷对齐。schm id的腐蚀法SE电池交钥匙工程，centrotherm的激光刻蚀氧化膜SE电池交钥匙工程。4湿法腐蚀重扩散层/等离子体刻蚀重扩特点湿法可用氢氟酸和硝酸体系或强碱，将暴露的重扩散层腐蚀成浅扩散层。要求耐腐蚀浆料。干法等离子体，用四氟化碳或氟化氮等氟化物形成的氟离子来刻蚀暴露的中掺杂部分。干法也可用银浆做掩膜。5LDSE（新南威尔士）特点用到激光和电镀，工序多，工艺复杂。电镀有多种选择。电镀的银的导电性约是银浆的10倍。可以节省贵金属。用镍铜银，或镍铜锡结构，可以省掉贵金属。可以把删线做的很密很细，或其他优化结构。6硅墨技术（Inovalingt,OTB）特点只需增加一台印刷机，就可实现较大幅度的效率提升。在现有工艺设备基础上也容易升级。

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