金刚石线锯切割多晶硅片的气相制绒研究

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第４３卷第１１期２０１４年１１月光子学报ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡＶｏｌ．４３Ｎｏ．１１Ｎｏｖｅｍｂｅｒ２０１４基金项目江西省光伏科技重大专项计划课题（Ｎｏ．２００９ＡＺＤ１０３０１）资助第一作者刘小梅（１９８２－），女，博士，主要研究方向为太阳能光伏材料，多晶硅片表面制绒．Ｅｍａｉｌｌ０３１４＠１６３．ｃｏｍ导师（通讯作者）周浪（１９６２－），男，教授，博士，主要研究方向为太阳能光伏材料及太阳能光伏器件．Ｅｍａｉｌｌｚｈｏｕ＠ｎｃｕ．ｅｄｕ．ｃｎ收稿日期２０１４－０７－１６；录用日期２０１４－０９－１６ｈｔｔｐ ∥ ｗｗｗ．ｐｈｏｔｏｎ．ａｃ．ｃｎｄｏｉ１０．３７８８／ｇｚｘｂ２０１４４３１１．１１１６００６金刚石线锯切割多晶硅片的气相制绒研究刘小梅，陈文浩，李妙，周浪（南昌大学太阳能光伏研究院，南昌３３００３１）摘要采用气相制绒方法对金刚石切割多晶硅片进行表面制绒．２ｇ硅加到ＨＦ－ＨＮＯ３－Ｈ２Ｏ（４００ｍＬ，体积比为６３１）的酸混合溶液中在室温下反应产生气相，利用气相对金刚石切割多晶硅片表面进行制绒研究．制绒４ｍｉｎ时，硅片表面的切割纹被完全去除、大坑套小坑的蜂窝状蚀坑密布硅片表面，减反效果显著，反射率低至１９．５１％．气相制绒后的金刚石切割多晶硅片表面的微观粗糙度比传统酸混合溶液制绒后的高约２０％．关键词切割纹；反射率；气相制绒；多晶硅；金刚石线锯切割中图分类号ＴＭ９１４．４；ＴＮ３０５．２文献标识码Ａ文章编号１００４－４２１３（２０１４）１１－１１１６００６－４ＶａｐｏｒＥｔｃｈｉｎｇＭｅｔｈｏｄｆｏｒＤｉａｍｏｎｄＷｉｒｅＳａｗｎＭｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎＷａｆｅｒｓＬＩＵＸｉａｏ－ｍｅｉ，ＣＨＥＮＷｅｎ－ｈａｏ，ＬＩＭｉａｏ，ＺＨＯＵＬａｎｇ（ＳｃｈｏｏｌｏｆＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓ，ＮａｎｃｈａｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｎａｎｃｈａｎｇ３３００３１，Ｃｈｉｎａ）ＡｂｓｔｒａｃｔＶａｐｏｒｅｔｃｈｉｎｇｗａｓｕｓｅｄｔｏｅｔｃｈｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｓａｗｎｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓ．Ｔｈｅｖａｐｏｒｗａｓｐｒｏｄｕｃｅｄｆｒｏｍ２ｇｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒａｄｄｉｎｇｉｎｔｏＨＦ－ＨＮＯ３－Ｈ２Ｏａｃｉｄｍｉｘｔｕｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎ（４００ｍＬ，ｉｎｔｈｅｖｏｌｕｍｅｒａｔｉｏｏｆ６３１）ｔｏｒｅａｃｔｉｏｎａｔｒｏｏｍｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ．Ｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｓａｗｎｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｗｅｒｅｅｔｃｈｅｄｉｎｖａｐｏｒ．Ｅｔｃｈｉｎｇｆｏｒ４ｍｉｎ，ｓａｗｍａｒｋｓｃａｎｂｅｒｅｍｏｖｅｄａｎｄｈｏｎｅｙｃｏｍｂｅｔｃｈｅｄｐｉｔｓｗｅｒｅｄｅｎｓｅｌｙｃｏｖｅｒｅｄｗｉｔｈｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｕｒｆａｃｅ．Ｔｈｅｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙｏｆｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｄｅｃｒｅａｓｅｓｒｅｍａｒｋａｂｌｅｌｙｂｙｕｓｉｎｇｔｈｅｖａｐｏｒｅｔｃｈｉｎｇｍｅｔｈｏｄｓ．Ｔｈｅｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙｏｆｔｈｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｂｙｖａｐｏｒｅｔｃｈｉｎｇｉｓｌｏｗｔｏ１９．５１％．Ｔｈｅｍｉｃｒｏ－ｒｏｕｇｈｎｅｓｓｏｆｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｓａｗｎｍｕｌｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｅｔｃｈｅｄｗｉｔｈｖａｐｏｒｍｅｔｈｏｄｉｓａｃｔｕａｌｌｙａｂｏｕｔ２０％ｈｉｇｈｅｒｔｈａｎｔｈａｔｏｆｅｔｃｈｉｎｇｗｉｔｈｔｒａｄｉｔｉｏｎａｌａｃｉｄｍｉｘｔｕｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｍｅｔｈｏｄ．ＫｅｙｗｏｒｄｓＳａｗｍａｒｋｓ；Ｒｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙ；Ｖａｐｏｒｅｔｃｈｉｎｇ；Ｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎ；ＤｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｓａｗＯＣＩＳＣｏｄｅｓ１６０．０１６０；１６０．２１０００引言金刚石线锯切割（ＤｉａｍｏｎｄＷｉｎｅＳａｗｎ，ＤＷＳ）技术［１－３］具有切割效率高、切割准确度高、污染少、表面损伤层薄、切割硅屑易回收等优点．近些年，金刚石线锯切割技术逐步取代传统的砂浆切割技术，尤其是单晶硅棒的切割．但对于多晶硅片，金刚石线锯切割技术的产业化应用尚有两个障碍一是多晶硅片相对难切，较易断线［４］，可通过适当减慢切割速率（但仍比砂浆切割快）较好地解决；二是金刚石切割的多晶硅片难于沿用现行酸刻蚀方法实现理想制绒，硅片表面切割纹难以消除，反射率高．Ａ．Ｂｉｄｉｖｉｌｌｅ［１］等通过喇曼谱测量发现金刚石线锯切割硅片表面有一层耐酸蚀的非晶硅薄膜层．Ｂ．Ｍｅｉｎｅｌ［５］等发现硅片在切割过程中形成的初始结构与缺陷对硅片在酸混合溶液中制绒形成的绒面形貌有明显的决定作用．缺陷处是优先发生制绒反应的位置，初始的微观结构与缺陷分布决定制绒后的最终形貌．金刚石切割多晶硅片表面缺陷沿切割纹成条带分布，存在各向异性的特点并主要分布于切割纹的凹处，切割过程塑性变形形成难以刻蚀的非晶硅薄层分布于切割纹凸起处，这样的结构分布导致传统的酸混合溶液制绒不能去除切割纹，绒面不均匀，得不到符合１－６００６１１１光子学报多晶硅太阳能电池需要的反射率［６－８］．国内外已有研究组提出了在金刚石切割硅片去除切割纹的同时降低反射率的制绒方法．比较典型的有日本的喷砂技术［９］，在硅片酸液制绒前先对其进行喷砂预处理，还有等离子刻蚀［１０－１３］和黑硅技术［１４］．这些方法均能实现制绒并去除切割纹，但处理工序复杂，或者需要依赖昂贵的设备．本文采用一定体积比的ＨＦ－ＨＮＯ３－Ｈ２Ｏ酸混合溶液加硅反应产生的气相，对金刚石切割多晶硅片进行制绒研究．１实验方法实验所用硅片是Ｂｅｋａｅｒｔ公司提供的金刚石线锯切割的ｐ型多晶硅片，硅片试样尺寸为３３２６ｍｍ２，厚度为１９０～２１０ μ ｍ．刻蚀液用ＨＦ（４０％（ｗ／ｗ））、ＨＮＯ３（６５％（ｗ／ｗ）和去离子水（ＤｅｉｏｎｉｚｅｄＷａｔｅｒ，ＤＩ），按一定比例配制．先将多晶硅片放入丙酮超声清洗１０ｍｉｎ，取出用ＤＩ水冲洗几次，再用ＤＩ水超声清洗１０ｍｉｎ，最后用ＤＩ水冲洗，晾干．将２ｇ硅加入到４００ｍＬ、体积比为６３１的ＨＦ－ＨＮＯ３－Ｈ２Ｏ酸混合溶液中，室温下反应产生气相．金刚石切割多晶硅片气相制绒２～７ｍｉｎ，制绒结束，先用ＤＩ水冲洗，再用５％的ＮａＯＨ溶液清洗３０ｓ，最后再用ＤＩ水冲洗３遍．图１为气相制绒装置．实验过程中，金刚石线锯切割硅片平放在聚四氟乙烯支架上．硅片加入到ＨＦ－ＨＮＯ３－Ｈ２Ｏ酸混合溶液中，在室温下反应产生气相，产生的气相与平放的硅片发生制绒反应．图１气相制绒装置图Ｆｉｇ．１Ｓｃｈｅｍａｔｉｃｒｅｐｒｅｓｅｎｔａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｖａｐｏｒｔｅｘｔｕｒｉｎｇｓｅｔｕｐ将金刚石线锯切割多晶硅片在ＨＦ－ＨＮＯ３－Ｈ２Ｏ（砂浆切割多晶硅片酸混合溶液制绒的工业配比１３．７５２）酸混合溶液中，５ ℃ 制绒２ｍｉｎ做对比分析．采用激光共聚焦显微镜（ＯＬＳ４０００，Ｊａｐａｎ）测量硅片表面粗糙度并观察硅片表面微观形貌；采用扫描电镜观察记录硅片表面微观形貌；采用ＯｃｅａｎＯｐｔｉｃｓＵＳＢ－４０００型光纤光谱仪配合积分球测量硅片表面反射率．２结果与讨论２．１表面形貌、粗糙度与反射率图２为金刚石切割多晶硅片制绒后的扫描式电子显微镜（ＳｃａｎｎｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｅ，ＳＥＭ）图，从图２（ａ）可以看出，气相制绒能完全去除切割纹，出现大坑套小坑的蜂窝状蚀坑，蚀坑密布整个硅片表面．从图２（ｂ）可以看出，酸混合溶液制绒不能去除硅片表面的切割纹，蚀坑的条形形状和分布有明显的沿切割纹分布的特点，硅片表面切割纹凹处绒面明显，凸起处只有轻微腐蚀的痕迹，经酸混合溶液制绒后的形貌与硅片原始形貌存在遗传特性，这在文献［７］中有所阐述．比较两张ＳＥＭ图，可以看出气相制绒较酸混合溶液制绒硅片表面单位面积分布的蚀坑更多更深，蚀坑大小更均匀．图２金刚石切割多晶硅片制绒后的ＳＥＭ图Ｆｉｇ．２ＳＥＭｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｓｏｆＤＷＳｗａｆｅｒｓａｆｔｅｒｅｔｃｈｅｄ表１给出了用激光共聚焦显微镜测得两种不同制绒方法得到的硅片表面粗糙度（在取样长度Ｌ内轮廓偏距绝对值的算术平均值）．测量单元为分别１２０ μ ｍ表１在１２０ μ ｍ采样单元中测得的金刚石切割硅片酸混合溶液制绒与气相制绒的表面粗糙度Ｔａｂｌｅ１Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓｉｎ１２０ μ ｍｕｎｉｔｏｆｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｓａｗｎｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｂｙａｃｉｄｍｉｘｔｕｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｔｅｘｔｕｒｉｎｇａｎｄｖａｐｏｒｔｅｘｔｕｒｉｎｇＳａｍｐｌｉｎｇｕｎｉｔＡｃｉｄｍｉｘｔｕｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｔｅｘｔｕｒｉｎｇＲａ／ μ ｍＲｚ／ μ ｍＶａｐｏｒｔｅｘｔｕｒｉｎｇＲａ／ μ ｍＲｚ／ μ ｍ１０．４６１．８３０．５３２．０９２０．３６１．４３０．４６１．９９３０．３８１．６３０．４２２．０２４０．４１１．８４０．５４２．０５５０．４４１．７７０．５０２．１８Ａｖｅｒａｇｅ０．４１１．７００．４９２．０７的线形区域，在硅片上任意选５个点分别测量，最后取平均值，其中Ｒａ为轮廓算术平均粗糙度，为表面各点高度与表面平均高度之差绝对值的平均，其计算公式为Ｒａ＝１ｌ ∫ｌ０ｙ（）ｘｄｘ（１）或近似为Ｒａ＝１ｎ ∑ｎｉ＝１ｙｉ（２）２－６００６１１１刘小梅，等金刚石线锯切割多晶硅片的气相制绒研究式（２）中轮廓偏距ｙ指在测量方向上轮廓点与基准线之间的距离．基准线为轮廓的最小二乘中线，这条线划分轮廓并使其在取样长度内轮廓偏离该线的平方和为最小；Ｒｚ为微观不平度十点高度，在取样长度ｌ内５个最大的轮廓峰高的平均值和５个最大的轮廓谷深的平均值之和，即Ｒｚ＝（ ∑５ｉ＝１ｙｐｉ＋ ∑５ｉ＝１ｙｖｉ）／５（３）式中ｙｐｉ是第ｉ个最大的轮廓峰高，ｙｖｉ是第ｉ个最大的轮廓谷深．可以看到，在１２０ μ ｍ的线形区域，金刚石切割硅片气相制绒后的平均粗糙度值比在传统酸混合溶液中制绒后要高约２０％（Ｒａ值高１９．５１％，Ｒｚ值高２１．８％）．图３（ａ）为气相制绒不同时间的反射率，可以看出，反射率先降后升（反射率值取６５０ｎｍ处的反射率），从２ｍｉｎ到４ｍｉｎ反射率降低速率很快，降低了１０％，制绒４ｍｉｎ反射率最低为１９．５１％，４ｍｉｎ到７ｍｉｎ反射率缓升．反射率缓升的原因是制绒４ｍｉｎ后，相邻腐蚀坑出现相互兼并，腐蚀坑变大，微观粗糙度降低．从图３（ｂ）可以看出，在可见光范围内，金刚石切割多晶硅片气相制绒后的反射率明显低于工业酸混合溶液制绒硅片的反射率．反射率的高低结果与制绒后的硅片表面形貌及粗糙度数值相吻合，酸混合溶液制绒表面存在图３金刚石切割多晶硅片反射率谱图Ｆｉｇ．３ＲｅｆｌｅｃｔｉｖｉｔｙｃｕｒｖｅｏｆＤＷＳｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓ浅刻蚀区，表面平均粗糙度值小，吸光效果差［１５］．测得气相制绒的硅片表面６５０ｎｍ处的反射率为１９．５１％．２．２反应速率和气相制绒过程形貌衍变从图４可以看出，金刚石切割硅片气相制绒反应速率先快后慢（相邻两点连线的斜率逐渐变小），硅片气相制绒的失重 Δ Ｗ随制绒时间的延长，增加程度越来越小（相邻两点在纵坐标上的截距）．硅片加入到酸合溶混液中的反应非常迅速，瞬间被完全溶解，产生大量气体的同时释放大量热量，产生腐蚀性气体集中在前期，所以气相刻蚀反应开始时快，随着制绒反应的进行，腐蚀性气体被消耗，速率变慢．图４硅片的质量损失随制绒时间的变化Ｆｉｇ．４Ｗｅｉｇｈｔｌｏｓｓｏｆｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｗｉｔｈｔｈｅｅｔｃｈｉｎｇｔｉｍｅ图５（ａ）～（ｃ）为金刚石切割多晶硅片气相制绒随时间的形貌衍变图，作为对比，图５（ｄ）为硅片在工业配方酸混合溶液（ＨＦ－ＨＮＯ３－Ｈ２Ｏ体积比为１３．７５２），温度为８ ℃ 中制绒２ｍｉｎ的形貌图（激光共聚焦图片）．金刚石切割硅片气相制绒有很强的选择性，切割图５金刚石切割硅片的表面形貌图（激光共聚焦图片）Ｆｉｇ．５Ｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｓｏｆｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｓａｗｎｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓ（ｌａｓｅｒｃｏｎｆｏｃａｌｍｉｃｒｏｇｒａｐｈｓ）３－６００６１１１光子学报纹凸起光亮的部分优先反应，图５（ａ）～（ｃ）演示了硅片表面切割纹从模糊到消失的过程，且硅片表面越来越黑，陷光效果增强．观察图５（ｃ），发现切割纹被彻底去除，大坑套小坑的蜂窝状腐蚀坑密布硅片表面．图５（ｄ）中清晰可见切割纹．２．３讨论文献［９］中采用喷砂预处理成功去除金刚石切割多晶硅片切割纹的启发，本文采用气体对金刚石切割多晶硅片进行制绒研究．腐蚀性气相由ＨＦ、ＨＮＯ３、Ｈ２Ｏ气体组成．首先硅片加到酸混合溶液中，ＨＮＯ３蒸汽与硅片发生氧化还原反应生成ＮＯ气体和ＳｉＯ２，即３Ｓｉ＋４ＨＮＯ３ → ３ＳｉＯ２＋４ＮＯ ↑ ＋２Ｈ２Ｏ（４）接着硅片表面发生ＳｉＯ２的溶解反应，生成Ｈ２ＳｉＦ６，即ＳｉＯ２＋６ＨＦ → Ｈ２ＳｉＦ６＋２Ｈ２Ｏ（５）这两个化学反应交替进行放出大量热量，产生的热量加速ＨＦ、ＨＮＯ３、Ｈ２Ｏ的气化，逸出的ＮＯ气体也为ＨＦ、ＨＮＯ３、Ｈ２Ｏ的气化上升提供助力．Ｈ２ＳｉＦ６在无液态水的条件下不稳定，易分解生成ＳｉＦ４气体和ＨＦ，即Ｈ２ＳｉＦ６ → ＳｉＦ４ ↑ ＋２ＨＦ（６）腐蚀性气体优先接触金刚石切割硅片切割纹凸起部分，并液化成小液滴，在重力和润湿的双重作用下，出现先接触先刻蚀的现象，于是切割纹凸起处优先反应，凸起部分先被腐蚀变平，切割纹消失，随着制绒时间的推进，出现大坑套小坑的蜂窝状腐蚀坑，微观粗糙度变大，继续延长制绒时间，邻近的腐蚀坑会相互吞并，腐蚀坑变大，微观粗糙度降低，致使整个制绒过程中，硅片表面反射率先降后升．３结论本文对金刚石切割多晶硅片气相制绒进行了系统研究，并探讨了其反应特性，对制绒后的硅片表面的微观形貌、粗糙度、反射率等进行了表征．研究表明气相制绒能够完全去除多晶硅片表面切割纹的感观效果，出现大坑套小坑的蜂窝状蚀坑，蚀坑密布整个硅片表面．与传统酸混合溶液制绒相比，硅片气相制绒后的微观粗糙度较高，其１２０ μ ｍ微区范围微观粗糙度比传统酸混合溶液制绒后高约２０％．气相制绒后硅片反射率先陡降后缓升，制绒４ｍｉｎ反射率最低，低于传统工业酸混合溶液制绒硅片反射率，其值为１９．５１％．致谢作者诚谢Ｂｅｋａｅｒｔ公司为本研究提供金刚石切割多晶硅片样品和经费赞助．参考文献［１］ＢＩＦＩＢＩＬＬＲＡ，ＷＡＳＭＥＲＫ，ＫＲＡＦＴＲ，ｅｔａｌ．Ｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅ－ｓａｗｎｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓ – ｆｒｏｍｔｈｅｌａｂｔｏｔｈｅｃｅｌｌｐｒｏｄｕｃｔｉｏｎ［Ｃ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅ２４ｔｈＥｕｒｏｐｅａｎＰｈｏｔｏｖｏｌａｔｉｃＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅａｎｄＥｘｈｉｂｉｔｉｏｎ，２００９（ＰＶ－ＬＡＢ－ＣＯＮＦ－２０１０－０２６）１４００－１４０５．［２］ＣＨＥＮＣＣＡ，ＣＨＡＯＰＨ．Ｓｕｒｆａｃｅｔｅｘｔｕｒｅａｎａｌｙｓｉｓｏｆｆｉｘｅｄａｎｄｆｒｅｅａｂｒａｓｉｖｅｍａｃｈｉｎｉｎｇｏｆｓｉｌｉｃｏｎｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｆｏｒｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｃ］．ＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓＲｅｓｅａｒｃｈ，２０１０，１２６－１２８１７７－１８０．［３］ＨＯＬＴＡ，ＴＨＯＧＥＲＳＥＮＡ，ＲＯＨＲＣ，ｅｔａｌ．Ｓｕｒｆａｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆｍｏｎｏ－ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓｐｒｏｄｕｃｅｄｂｙｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｓａｗｉｎｇａｎｄｂｙｓｔａｎｄａｒｄｓｌｕｒｒｙｓａｗｉｎｇｂｅｆｏｒｅａｎｄａｆｔｅｒｅｔｃｈｉｎｇｉｎａｌｋａｌｉｎｅｓｏｌｕｔｉｏｎｓ［Ｃ］．ＩＥＥＥＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＰＶＳＣ），２０１０，３５０１－３５０４．［４］ＫＲＡＹＤ，ＳＣＨＵＭＡＮＮＭ，ＥＹＥＲＡ，ｅｔａｌ．Ｓｏｌａｒｗａｆｅｒｓｌｉｃｉｎｇｗｉｔｈｌｏｏｓｅａｎｄｆｉｘｅｄｇｒａｉｎｓ；ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｅｎｅｒｇｙｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎ［Ｃ］．ＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅＲｅｃｏｒｄｏｆｔｈｅ２００６ＩＥＥＥ４ｔｈＷｏｒｌｄＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＥｎｅｒｇｙＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎ，２００６，４９４８－９５１．［５］ＭＥＩＮＥＬＢ，ＫＯＳＣＨＷＩＴＺＴ，ＡＣＫＥＲＪ．ＴｅｘｔｕｒａｌｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＳｉＣａｎｄｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｓａｗｅｄＳｃ－Ｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒ［Ｊ］．ＥｎｅｒｇｙＰｒｏｃｅｄｉａ，２０１２，２７３３０－３３６．［６］ＣＨＥＮＷｅｎ－ｈａｏ，ＬＩＭｉａｏ，ＬＩＵＸｉａｏ－ｍｅｉ，ｅｔａｌ．Ｒｅｓｅａｒｃｈｏｆｔｈｅｃｕｔｔｉｎｇｍａｒｋｓｏｎｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｃｕｔｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓａｎｄｔｈｅｍｅｔｈｏｄｔｏｒｅｍｏｖｅｔｈｅｍ［Ｊ］．ＪｏｕｒａｎｌｏｆＳｙｎｔｈｅｔｉｃＣｒｙｓｔａｌｓ，２０１４，２（１４）３１４－３２０．陈文浩，李妙，刘小梅，等．金刚石切割多晶硅片切割痕性质与消除方法研究［Ｊ］．人工晶体学报，２０１４，２（１４）３１４－３２０．［７］ＬＩＵＸｉａｏ－ｍｅｉ，ＬＩＭｉａｏ，ＣＨＥＮＷｅｎ－ｈａｏ，ｅｔａｌ．Ｔｈｅｓｕｒｆａｃｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆｄｉａｍｏｎｄｗｉｒｅｓａｗｎｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗａｆｅｒｓａｎｄｔｈｅｉｒａｃｉｄｉｃｔｅｘｔｕｒｉｚａｔｉｏｎ［Ｊ］．ＡｃｔａＰｈｏｔｏｎｉｃａＳｉｎｉｃａ，２０１４，４３（８）０８１６００１．刘小梅，李妙，陈文浩，等．金刚石线锯切割多晶硅片表面特性与酸刻蚀制绒问题研究［Ｊ］．光子学报，２０１４，４３（８）０８１６００１．［８］ＺＨＡＮＧＦａ－ｙｕｎ，ＹＥＪｉａｎ－ｘｉｏｎｇ．Ｔｅｘｔｕｒｉｎｇｏｆｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｗｉｔｈａｃｉｄｉｃｅｔｃｈｉｎｇ［Ｊ］．ＡｃｔａＰｈｏｔｏｎｉｃａＳｉｎｉｃａ，２０１１，４０（２）２２２－２２６．张发云，叶建雄．多晶硅表面酸腐蚀制备绒面研究［Ｊ］．光子学报，２０１１，４０（２）２２２－２２６．［９］ＸＩＥＣ，ＥＩＣＨＭＡＮＤＪ．Ｐｒｅｔｒｅａｔｍｅｎｔｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒａｓｕｒｆａｃｅｔｅｘｔｕｒｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓ［Ｍ］．ＧｏｏｇｌｅＰａｔｅｎｔｓ．２００１．［１０］ＮＯＳＩＴＳＣＨＫＡＷ，ＶＯＩＧＴＯ，ＭＡＮＳＨＡＮＤＥＮＰ，ｅｔａｌ．ＴｅｘｔｕｒｉｓａｔｉｏｎｏｆｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｂｙＲＩＥａｎｄｐｌａｓｍａｅｔｃｈｉｎｇ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２００３，８０（２）２２７－２３７．［１１］ＲＵＢＹＤ，ＺＡＩＤＩＳ，ＮＡＲＡＹＡＮＡＮＳ，ｅｔａｌ．Ｒｉｅ－ｔｅｘｔｕｒｉｎｇｏｆｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２００２，７４（１）１３３－１３７．［１２］ＷＩＮＤＥＲＢＡＵＭＳ，ＲＥＩＮＨＯＬＤＯ，ＹＵＮＦ．Ｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇ（ＲＩＥ）ａｓａｍｅｔｈｏｄｆｏｒｔｅｘｔｕｒｉｎｇｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇ