影响晶体硅太阳能电池片效率的因素分析及改善措施

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３６影响晶体硅太阳能电池片效率的因素分析及改善措施张希堂１，任明淑２（１．中国乐凯集团有限公司，保定０７１０５４；２．中国乐凯胶片集团股份有限公司研究开发部，保定０７１０５４）摘要光电转换效率是晶体硅太阳能电池的核心技术指标。本文分析了影响晶体硅太阳能电池效率的主要因素光学损失和电学损失，总结了改善光学损失和电学损失的技术措施。目前业界在太阳能电池技术发展的重点在于改良现有制程与高效率的新结构。在太阳能电池效率的提升上必须仰赖更密切的产学合作、商讨才能够达到最佳经济效益，寻找到有效提升太阳能电池转换效率的方法。关键词光电转换效率；光学损失；电学损失；欧姆接触中图分类号ＴＱ１５文献标准码Ａ文章编号１００９－５６２４－（２０１３）０４－００３６－０７收稿日期２０１３－０７－２６作者简介张希堂（１９６５－），男，邯郸人，高工，现主要从事专利管理工作。１引言随着煤、石油等传统能源的日益枯竭和环境污染的加剧，新型清洁能源受到了人们的重视，其中最受瞩目的当属太阳能电池。太阳能电池是可以直接将光转换为电能的装置，且转换过程中不产生任何污染。晶体硅太阳能电池是目前多种太阳能电池中技术最为成熟、光电转换效率最高、应用最为广泛的一种，目前国外单晶硅太阳能电池实验室转换效率最高已达到２４．７％，多晶硅太阳能电池达到１９．８％。晶体硅（多晶和单晶）占据主流市场地位，未来１０～１５年将仍然以晶体硅为主。２太阳能电池结构简介太阳能电池是一种利用光电转换效应把光能直接转变为电能的半导体器件。目前，晶体硅太阳能电池制造工艺多基于Ｐ型硅晶片，经由硅片清洗、绒面织构、热扩散制Ｐｎ结、等离子增强型化学气相沉积（ＰＥＣＶＤ）制氮化硅减反射膜、正、背面厚膜浆料丝网印刷及烧结制金属化电极等一系列过程来实现。为了使硅太阳电池产生的电能可以输出，必须在电池上制作正、负两个电极。晶硅太阳能电池片生产需使用３种烧结浆料作为电极材料背铝浆、背银浆、正银浆。３种浆料均使用丝网印刷法印制在硅片表面，并经过干燥烧结形成金属化电极。其中背铝浆烧结后，背铝浆中的铝粉与硅材料发生合金共熔，形成ＰＰ＋冶金结，即背电场DOI10.16009/j.cnki.cn13-1295/tq.2013.04.011３７（ＢＳＦ）。背银浆用于电池背面印刷，烧结形成的电极与铝背场形成良好的导电接触。正面电极分为栅电极线和主电极线，都是由正银浆印刷烧结而成。栅线主要是吸收光能，产生载流子；而主电极主要是收集载流子，并使电池片与外部线路连接。要判别一个太阳电池性能的好坏，最重要的就是转换效率，光电转换效率是晶体硅太阳能电池的核心技术指标。太阳能电池转换效率受到光吸收、载流子输运、载流子收集的限制。只有尽量减少损失才能开发出效率足够高的太阳能电池。３影响晶体硅太阳能电池效率的因素分析太阳光之所以仅有很少的百分比转换为电能，原因归结于不管是哪一种材料的太阳能电池都不能将全部的太阳光转换为电能。晶体硅太阳电池的光谱敏感最大值没有与太阳辐射的强度最大值完全重合。在光能临界值之上一个光量子只产生一个电子空穴对，余下的能量又被转换为未利用的热量。由于光的反射，阳光中的一部分不能进入电池中。随温度升高，在ＰＮ结附近的厚度减少，从而电池的转换效率就会下降，所以电池的转换效率在冬季要高于炎热的夏天［１］。太阳能电池转换效率受到光吸收、载流子输运、载流子收集的限制。对于单晶硅太阳能电池，由于上光子带隙的多余能量透射给下带隙的光子，其转换效率的理论最高值是２８％。只有尽量减少损失才能开发出效率足够高的太阳能电池。影响晶体硅太阳能电池转换效率的原因主要来自两个方面，光学损失和电学损失［２］。如图１所示图１普通太阳能电池多种损失机制Ｆｉｇ１ｔｈｅｌｏｓｓｓｙｓｔｅｍｏｆｓｏｌａｒｃｅｌｌ３．１光学损失，包括电池前表面反射损失、接触栅线的阴影损失以及长波段的非吸收损失。当光线照射太阳能电池表面时，一部分光被硅基片吸收，一部分光被硅基片反射；未经处理的硅太阳能电池只能吸收６７．４％的阳光，这意味着近三分之一的阳光被反射掉了，从经济和效率的角度来看，这种情况已经成为太阳能吸收的一个主要障碍。由于电池的正面被接触发射极的金属栅线电极所覆盖，由此遮蔽阳光而造成一部分光学损失。３８普通硅基电池的正面遮光面积一般在７％左右［３］，如果能够进一步减少遮光损失则可直接提高效率和降低银浆耗量。太阳光中包含了多种不同波长的光，多（单）晶硅的能带宽度为１．１ｅＶ，所以其光谱响应范围为紫外到约１１００ｎｍ波长的范围。一般考虑的范围是４００８００ｎｍ左右，由于电池材料本身的光谱响应特性，对应波长大于１．１ μ ｍ的光透过，波长小于１．１ μ ｍ的光子能量大于Ｅｇ，一个光子只产生一个电子，多余能量变热量，造成了这部分的能量损失，从而降低了少子的寿命和扩散长度，影响了转换效率［４］。３．２电学损失，它包括半导体表面及体内的光生载流子复合损失及半导体和金属栅线的接触电阻损失。这其中最关键的是降低光生载流子的复合，它直接影响太阳能电池的开路电压。光生载流子的复合主要是由于高浓度的扩散层在前表面引入大量的复合中心。此外，当少数载流子的扩散长度与硅片的厚度相当或超过硅片厚度时，背表面的复合速度对太阳能电池特性的影响也很明显。在任何一个实际的太阳电池中，都存在着串联电阻，其来源可以是引线、金属接触栅或电池体电阻。不过通常情况下，串联电阻主要包括半导体材料的体电阻、金属电极体电阻和正背面金属电极与半导体材料的接触电阻三部分。串联电阻增大，会降低电池片的短路电流，从而影响电池片的转换效率。引起串联电阻增大的因素主要有以下几个方面原始硅片电阻率偏大；硅片扩散方块电阻偏大；印刷时浆料出现虚印；浆料配方存在缺陷；浆料与烧结工艺不匹配等。对电池片而言，始终是有一些有害的杂质和缺陷的，有些是材料本身就有的，也有的是工艺中形成的，这些有害的杂质和缺陷可以起到复合图２效率对串联电阻的拟合曲线Ｆｉｇ２ｃｕｒｖｅｔｆｉｔｔｉｎｇｏｆｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｔｏｓｅｒｉｅｓｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ中心的作用，可以虏获空穴和电子，使它们复合，复合的过程始终伴随着载流子的定向移动，必然会有微小的电流产生，这些电流对测试所得的暗电流的值是有贡献的，由薄层贡献的部分称之为薄层漏电流，由体区贡献的部分称之为体漏电流。电池边缘漏电、电池表面污浊或耗尽区内的复合电流构成了电池的并联电阻。并联电阻使光生电流产生反向分流，降低工作电压，严重影响电池片的填充因子。而并联电阻越大，漏电流也就越小，电池片的开路电压越大，有利于提高电池片的转换效率。引起并联电阻小的因素主要有以下几个方面片源本身金属杂质含量过高或缺陷密度过大导致体内漏电；硅片边缘蚀刻不彻底或蚀刻过宽；由于背面印刷铝浆过程污染正面，导致ＰＮ结烧穿；硅片方阻和烧结不匹配或银浆料与烧结不匹配导致的ＰＮ结烧穿等［５］。４提高晶硅太阳能电池转换效率的方法４．１减少光学损失的办法（１）光陷阱结构一般晶硅电池采用化学腐３９蚀制绒技术，采用选择性腐蚀溶液，利用腐蚀液对各个晶面腐蚀速率的不同，形成非均匀腐蚀，在硅表面形成类似金字塔形状的绒面。制得绒面的反射率可达到２０％。依靠表面金字塔形的方锥结构，对光进行多次反射，不仅减少了反射损失，而且改变了光在硅中的前进方向，延长了光程，增加了光生载流子的产量；曲折的绒面又增加了ｐｎ结面积，从而增加对光生载流子的收集率；并改善了电池的红光响应［６］。目前较为先进的制绒技术是反应等离子蚀刻技术（ＲＩＥ），该技术的优点是和晶硅的晶向无关，适用于较薄的硅片，通常使用ＳＦ６／Ｏ２混合气体，在蚀刻过程中，Ｆ自由基对硅进行化学蚀刻形成可挥发的ＳｉＦ４，Ｏ自由基形成ＳｉｘＯｙＦｚ对侧墙进行钝化处理，形成绒面结构。目前韩国周星公司应用该技术的设备可制得绒面反射率低于在２％～２０％范围［７］。（２）减反射膜减少太阳能电池入射光的表面反射，是电池设计和制造最重要组成部分之一。为了进一步减少表面反射，还需要沉积一层减反射膜。它的基本原理是用一种厚为１／４波长、折射率等于ｎ（ｎ为Ｓｉ的折射率）的涂层涂覆于硅基材表面，可以使入射光产生的各级反射相互间进行干涉从而完全抵消。可以采用ＴｉＯ２、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＺｎＳ、ＭｇＦ２单层或双层减反射膜。在制好绒面的电池表面上蒸镀减反射膜后可以使反射率降至２％左右。现在工业生产中广泛使用ＰＥＣＶＤ设备在硅片表面淀积一层ＳｉＮｘ作为减反射膜，由于ＰＥＣＶＤ淀积ＳｉＮｘ时，不光是生长ＳｉＮｘ作为减反射膜，同时生成了大量的原子氢，这些氢原子能对多晶硅片具有表面钝化和体钝化的双重作用，有效降低了载流子的复合，提高了电池的短路电流和开路电压，效率也有相当的提高［８］。德国夫朗霍费莱堡太阳能系统研究所采用光刻照相技术将电池表面织构化，制成倒金字塔结构。并在表面把一１３ｎｍ厚的氧化物钝化层与两层减反射涂层相结合。在电镀过程中增加栅极的宽度和高度的比率，制得的电池转化效率超过２３％，最大值可达２３．３％［９］。（３）电极形状在前表面上的金属栅线不能透过阳光，为了最大程度的利用太阳光，金属栅的遮挡的面积应最小。一般把不透光的金属栅做成又密又细的手指状（ｆｉｎｇｅｒ）（图三）或是网状，经过层层反射，可使大部分的入射光都能进入半导体材料中，并有效克服扩散层的方块电阻［１０］。图３手指状栅线电极Ｆｉｇ３Ｆｉｎｇｅｒｇａｔｅｅｌｅｃｔｒｏｄｅ４．２减少电学损失的办法（１）钝化层钝化工艺可以有效地减弱光生载流子在某些区域的复合。一般高效太阳电池可采用热氧钝化、原子氢钝化，或利用磷、硼、铝表面扩散进行钝化。热氧钝化是在电池的正面和背面形成氧化硅膜，可以有效地阻止载流子在表面处的复合。原子氢钝化是因为硅的表面有大量的悬挂键，这些悬挂键是载流子的有效复合中心，而原子氢可以中和悬挂键，所以减弱了复合。最有效的钝化是沉积ＳｉＮｘ前先热生长一层ＳｉＯ２钝化层，用氧原子将硅表面的悬挂件封闭起来，可以有效地阻止载流子的复合［１１］。（２）增加背场如在Ｐ型材料的电池中，背４０面印刷铝背场，在烧结过程中Ｓｉ与ＡＬ形成合金共熔体，Ｓｉ与ＡＬ的共熔体在降温时，Ｓｉ与ＡＬ重新结晶析出，析出的硅形成高掺杂ＡＬ（～３＊１０１８）的Ｐ＋层，与Ｐ型基区构成Ｐ＋／Ｐ高低结，形成Ｐ＋／Ｐ的结构，在Ｐ＋／Ｐ的界面就产生了一个由Ｐ区指向Ｐ＋的内建电场。由于内建电场所分离出的光生载流子的积累，形成一个以Ｐ＋端为正，Ｐ端为负的光生电压，这个光生电压与电池结构本身的ＰＮ结两端的光生电压极性相同，从而提高了开路电压Ｖｏｃ。同时由于背电场的存在，使光生载流子受到加速，这也可以看作是增加了载流子的有效扩散长度，因而增加了这部分少子的收集几率，短路电流Ｊｓｃ也就得到提高［１２］。图４背场Ｐ＋／Ｐ的结构Ｆｉｇ４ＴｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆＢＳＦ（３）最佳的前场效果太阳能正面银浆的质量和性能对提高硅太阳能电池的效率起着非常重要的作用，在硅光伏业界，电池效率的提高约为每年０．５％，主要来自金属化浆料方面，尤其是正面银浆，这已被公众所认可。太阳能电池正银浆料，是根据电池表面扩散薄层方块电阻、扩散结深以及表面减反射膜厚度与密度等开发的专用浆料，采用高品质超细银粉作为导电功能相、超细玻璃粉作为无机粘接相、独特的掺杂相和优化的有机物作为载体配制而成。为达到最佳的前场效果，正银浆料应具备以下要求ａ．浆料的粘度、流平性、触变性要好，具有优异的丝网印刷性能，制备的电极和栅线高宽比大、光滑度和平整度高，确保厚膜不断线、不堆积、无瑕疵，适用于电池正面电极和栅线厚膜的高速、高分辨率的丝网印刷工艺要求；ｂ．浆料在烧结过程中能有效穿透氮化硅减反射层，在优化的掺杂相作用下，使得电池主电极和栅线与硅基板具有良好的欧姆接触特性；ｃ．正银浆料工艺窗口宽，满足快速烘干和烧结工艺不同特性的要求；ｄ．在获得稳定高效的光电转换效率，达到太阳能电池开路电压、短路电流、填充因子、并联电阻、串联电阻的最佳匹配效果的同时，还必须兼容良好的导电性、可靠的附着力、优良的可焊性、良好的线膨胀系数匹配性。（４）浅结设计太阳能电池的浅结结构是实现高效太阳能电池的有效途径之一。通常所说的浅结结构是指ＰＮ结结深小于０．３ μ ｍ。波长越短，光的吸收系数越大，在硅片中被吸收的位置越靠近光照表面。利用浅结设计可以显著降低太阳能电池表面少数载流子的复合速度，提高短波段的光谱响应［１３］。图５少子寿命与掺杂量的关系Ｆｉｇ５Ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆｄｏｐｉｎｇａｍｏｕｎｔｔｏｍｉｎｏｒｉｔｙｃａｒｒｉｅｒｌｉｆｅｔｉｍｅ但浅结设计与丝网印刷工艺的矛盾是浅结的实现需要低浓度掺杂扩散，硅片的表面掺杂浓度过低将使上电极与硅之间的接触电阻增大，也４１图６载流子收集几率和产生几率与电池片位置的关系Ｆｉｇ６Ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆｐｏｓｉｔｉｏｎｔｏｃａｒｒｉｅｒｃｏｌｌｅｃｔｉｏｎａｎｄｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｐｒｏｂａｂｉｌｉｔｙ不能再屏蔽金属－硅接触区的严重复合，且结深过浅容易被烧穿。并且方阻越高，需要越密的栅线与之配合。这其中有两个难点其一是高方阻均匀性的控制，其二是银浆的选择，需要综合考虑银浆的导电特性、粘度等，使之符合密栅高方阻的印刷烧结。（５）高效晶体硅电池技术提高太阳能电池的转换效率是太阳光电产业的重中之重，一般太阳能电池效率提升１％，成本可下降７％。目前业界在太阳能电池技术发展的重点在于改良现有制程与高效率的新结构，前者如ＢＳＦ结构、ＳｈａｌｌｏｗＪｕｎｃｔｉｏｎ、ＳｅｌｅｃｔｉｖｅＥｍｉｔｔｅｒ等技术，后者如Ｓａｎｙｏ之ＨＩＴ结构电池、Ｓｕｎｐｏｗｅｒ之ＩＢＣ背电极接触电池、ＳｏｌｌａｎｄＳｏｌａｒ之ＭＷＴ电池、新南威尔士大学的ＰＥＲＬ电池等，其中ＰＥＲＬ电池效率达到２４．７％，接近理论值，是迄今为止的最高记录［１４］。目前实验室所制造出的太阳电池，其转换效率几乎可以达到最佳的水平，只可惜他们的制造过程多半过于复杂，量产不易；且实验室是在最佳条件之下制造太阳电池，实际量产则须考量许多不可抗拒因素。而要如何制造才能提升太阳电池的转换效率，一直是学术界努力的目标。主要的做法有减少太阳能电池的厚度、降低电池与接线的电阻以提高模块的转换效率、将太阳电池制成串叠型电池（ｔａｎｄｅｍｃｅｌｌ）、抗反射层技术的提升、电池外型的改变（如表面粗化处理、电极形状）以增加阳光入射量、太阳光版的角度调整等［１５］。然而，在研究过程中发现，许多影响太阳能电池转换效率的因素与改善方法中，理论和实际运用上会有不小的冲突（如太阳能电池的薄度在制造上的困难），所以不难看出，在太阳能电池效率的提升上仍须仰赖更密切的产学合作、商讨才能够达到最佳经济效益，寻找到有效提升太阳能电池转换效率的方法。５结束语光电转换效率是晶体硅太阳能电池的核心技术指标，各研究院校和企业都纷纷投入极大的人力物力财力去攻关突破。不论是单晶硅或多晶硅，在量产的效率上都还有相当幅度的进步空间。大面积、薄片化、高效率以及高自动化集约生产将是光伏硅电池工业的发展趋势。通过降低电池的硅材料成本，提升光电转换效率与延长其使用寿命来降低单位电池的发电成本。通过集约化生产节约人力资源降低单位电池制造成本。通过合理的机制建立优秀的技术团队、充分保证技术上的持续创新是未来光伏企业发展的核心竞争力所在。参考文献［１］庾莉萍．提高太阳能电池效率的主要措施［Ｊ］．光源与照明，２００９（４）１－２．［２］中国新能源网ｈｔｔｐ／／ｗｗｗ．ｃｈｉｎａ－ｎｅｎｇｙｕａｎ．ｃｏｍ／４２ｎｅｗｓ／３６９６２．ｈｔｍｌ．［３］滕道祥．提高光伏太阳能电池效率的几种途径－第十一届中国光伏大会曁展览会议论文集［Ｃ］北京中国社会科学出版社，２０１０９２－９４．［４］朴慧京．太阳能电池效率的上限或被突破［Ｊ］．技术与市场，２０１０（１７）１２．［５］机械仪表ｈｔｔｐ／／ｗｅｎｋｕ．ｂａｉｄｕ．ｃｏｍ／ｖｉｅｗ／２ｆ４ｃ１００４０２０２０７４０ｂｅ１ｅ９ｂ７６．ｈｔｍｌ．［６］陈强利，刘彬．高效晶体硅电池技术综述［Ｊ］．能源电力，２０１０（２）１２－１３．［７］范文慧，王永昌，龚平．一种有望提高太阳能电池效率的新材料［Ｊ］．电子元件与材料，１９９８（２）５６－５８．［８］中国新能源网ｈｔｔｐ／／ｗｗｗ．ｃｈｉｎａ－ｎｅｎｇｙｕａｎ．ｃｏｍ／ｎｅｗｓ／３６９６２．ｈｔｍｌ．［９］Ｂ．Ｔｈｕｉｌｌｉｔｅｒ，Ｊ．Ｐ．Ｂｏｙｅａｕｘ，Ａ．Ｋａｍｉｎｓｋｉ，Ａ．Ｌａｕｇｉｅｒ．ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎＭｉｃｒｏｓｃｏｐｙａｎｄＥＤＳＡｎａｌｙｓｉｓｏｆＳｃｒｅｅｎ－ｐｒｉｎｔｅｄＣｏｎｔａｃｔｓＦｏｒｍａｔｉｏｎｏｎＭｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎＳｏｌａｒＳｅｌｌｓ．ＭａｔｅｒｉａｌｓＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，２００３，Ｂ１０２５８－６２．［８］Ｊ．Ｈｏｏｒｎｓｔｒａ，Ｋ．Ｍ．Ｂｒｏｅｋ，Ｆ．Ｊ．Ｇｒａｎｅｋ，Ｇ．Ｓｃｈｕｂｅｒｔ，Ｃ．Ｌｅｐｒｉｎｃｅ．ＬｅａｄＦｒｅｅＭｅｔａｌｌｉｓａｔｉｏｎＰａｓｔｅｆｏｒＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｏｌａｒＣｅｌｌｓＦｒｏｍｍｏｄｅｌｔｏＲｅｓｕｌｔｓ．３１ｓｔＩＥＥＥＰｈｏｔｏｖｏｌ－ｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｉｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，２００５，１２９３－１２９６［１０］Ｇ．Ｓｃｈｕｂｅｒｔ，Ｆ．Ｈｕｓｔｅｒ，ａｎｄＰ．Ｆａｔｈ；ＣｕｒｒｅｎｔＴｒａｎｓｐｏｒｔＭｅｃｈａｎｉｓｍｉｎｐｒｉｎｔｅｄＡｇＴｈｉｎｋＦｉｌｍＣｏｎｔａｃｔｓｔｏａｎｎ－ｔｙｐｅＥｍｉｔｔｅｒｏｆａＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎＳｏｌａｒＣｅｌｌ．１９ｔｈＥｕ－ｒｏｐｅｎｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，Ｐａｒｉｓ，２００４，８１３－８１６．［１１］能源电力ｈｔｔｐ／／ｗｗｗ．ｄｏｃ８８．ｃｏｍ／ｐ－３６９１４４９２００１３．ｈｔｍｌ．［１２］申兰先．晶体硅太阳能电池电极系统的研究［Ｄ］．昆明云南师范大学农业生物环境与能源工程，２００６．［１３］高方阻与烧结介绍ｈｔｔｐ／／ｗｅｎｋｕ．ｂａｉｄｕ．ｃｏｍ／ｖｉｅｗ／２ｂｅｆ２３７２０１ｆ６９ｅ３１４３３２９４ｅ９．ｈｔｍｌ．［１４］广电电器网ｈｔｔｐ／／ｗｗｗ．ｇｏ－ｇｄｄｑ．ｃｏｍ／ｈｔｍｌ／ｓ１３８／２００６－０５／４０１５９１．ｈｔｍ．［１５］能源化工ｈｔｔｐ／／ｗｅｎｋｕ．ｂａｉｄｕ．ｃｏｍ／ｖｉｅｗ／９ａｃ０ｅｂ１４５ｆ０ｅ７ｃｄ１８４２５３６ｄ１．ｈｔｍｌ．ＴｈｅＦａｃｔｏｒｓＩｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃＣｏｎｖｅｒｓｉｏｎＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙａｎｄＩｍｐｒｏｖｉｎｇＭｅａｓｕｒｅｓｆｏｒＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｌｉｃｏｎＳｏｌａｒＣｅｌｌＺＨＡＮＧＸｉ－ｔａｎｇ１，ＲＥＮＭｉｎｇ－ｓｈｕ２（１．ＣｈｉｎａＬｕｃｋｙＧｒｏｐＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ，Ｂａｏｄｉｎｇ０７１０５４，Ｃｈｉｎａ；２．ＣｈｉｎａＬｕｃｋｙＦｉｌｍＣｏ．Ｌｔｄ，Ｂａｏｄｉｎｇ０７１０５４，Ｃｈｉｎａ）ＡｂｓｔｒａｃｔＰｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｉｓｔｈｅｋｅｙｔｅｃｈｎｉｃａｌｉｎｄｅｘｆｏｒｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌ．Ｔｈｅｍａｉｎｆａｃｔｏｒｓｉｎｆｌｕｅｎｃｉｎｇｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄ，ｉｎｃｌｕ－ｄｉｎｇｏｐｔｉｃａｌｌｏｓｓａｎｄｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃｌｏｓｓ．Ｔｅｃｈｎｉｃａｌｍｅａｓｕｒｅｓｗｅｒｅａｌｓｏｐｒｏｖｉｄｅｄ．Ｉｔ＇ｓｂｏｕｎｄｔｏｒｅｌｙｏｎｃｌｏｓｅｌｙｃｏｏｐｅｒａｔｉｏｎｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｐｒｏｄｕｃｅｒｓａｎｄｒｅｓｅａｒｃｈｅｒｓｔｏｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ；ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｌｏｓｓ；ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃｌｏｓｓ；ｏｈｍｉｃｃｏｎ－ｔａｃｔ