分析晶体硅太阳电池前电极形成机理-solarbe文库

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本文由黑色枫叶２贡献ｐｄｆ文档可能在ＷＡＰ端浏览体验不佳。建议您优先选择ＴＸＴ，或下载源文件到本机查看。８材料导报研究篇２００９年７月（下）第２３卷第７期（中山大学太阳能系统研究所，国家新能源工程技术研究中心华南分中心，广州５１０００６）（ＮａｔｉｏｎａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＲｅｓｅａｒｃｈＣｅｎｔｅｒｆｏｒＲｅｎｅｗａｂｌｅＥｎｅｒｇｙＣｅｎｔｅｒｏｆＳｏｕｔｈＣｈｉｎａ，ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＳｙｓｔｅｍｓ，ＳｕｎＹａｔ２ｓｅｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｇｕａｎｇｚｈｏｕ５１０００６）０前言１９７５年丝网印刷技术首次应用于太阳电池制备前、背电极［１］。目前市场上８５％以上的晶体硅太阳电池都是采用丝网印刷技术［２］，通过丝网印刷设备将Ａｇ浆料印制在太阳电池前表面氮化硅减反射膜上，再经过高温烧结工艺形成Ａｇ２Ｓｉ接触电极。烧结工艺的主要功能是Ａｇ浆料溶解ＳｉＮｘ减反射膜，形成Ａｇ２Ｓｉ电极接触；Ｈ原子由表层向内部扩散，钝化体内杂质和缺陷；形成Ａｌ２Ｓｉ合金背表面场。本实验主要对在高温烧结条件下Ａｇ２Ｓｉ接触的形成机理及电流传输机制进行了分析。Ａｇ浆料主要包含导电材料、玻璃料（Ｇｌａｓｓｆｒｉｔ）、有机粘μ 合剂、有机溶剂，其中导电材料主要是０．１ｍ至十几微米的银颗粒，占浆料总质量的６０％～８０％，玻璃料主要是氧化物（ＰｂＯ、２Ｏ３、２、３、）粉末，占浆料总质量的５％～ＢＳｉＯＢｉＯＺｎＯ［２－４］１０％。到目前为止，对丝网印刷前电极的烧结工艺机理还存在许多争议，但是并不影响其在商业化太阳电池生产上的广泛应用［４］。烧结工艺使电极能与硅片之间形成良好的欧姆接辉通讯作者，男，１９５６年生，博士生导师，教授Ｅ２ｍａｉｌｓｈｅｎｈｕｉ１９５６＠１６３．ｃｏｍ３国家８６３计划基金项目（２００６ＡＡ０５Ｚ４０９）；广东省科技计划项目（２００７Ａ０１０７００００２）李军勇男，１９８１年生，硕士研究生，主要从事晶体硅太阳电池研究工作Ｔｅｌ０２０２３９３３２８６４Ｅ２ｍａｉｌｌｉｊｕｎｙｏｎｇ＠ｇｍａｉｌ．ｃｏｍ沈ｆｒｏｎｔｃｏｎｔａｃｔｓａｎｄｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｏｆＡｇ２Ｓｉｃｏｎｔａｃｔｓａｒｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄ．Ｆｏｕｒｔｙｐｅｓｏｆｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｆｎｉｓｍｓａｒｅｃｏｎｃｌｕｄｅｄｔｏｂｅｔｗｏ２ｓｔｅｐａｎｄｍｕｌｔｉ２ｓｔｅｐｔｕｎｎｅｌｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｆｒｏｍｅｍｉｔｔｅｒｔｏｔｈｅｓｉｌｖｅｒｔｈｒｏｕｇｈｇｌａｓｓｌａｙｅｒｓ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓｓｏｌａｒｃｅｌｌ，ｆｒｏｎｔｃｏｎｔａｃｔ，ｓｉｎｔｅｒ，Ａｇ２ＳｉｃｏｎｔａｃｔｓａｎｉｓｍｓｏｆＡｇ２Ｓｉｃｏｎｔａｃｔｓａｎｄｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｔｒａｎｓｐｏｒｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｓａｒｅｓｔｉｌｌｎｏｔｗｅｌｌｕｎｄｅｒｓｔｏｏｄ．Ｔｈｅｓｉｎｔｅｒｉｎｇｐｒｏｃｅｓｓｏｆ接触形成机理以及电流传输机制，对前电极烧结工艺以及Ａｇ２Ｓｉ接触的形成机理进行了分析，提出了４种Ａｇ２Ｓｉ界面的接触形式。根据不同的界面接触形式，指出两步隧道效应和多步隧道效应电流传输机制是最主要的电流传输方式。太阳电池前电极烧结２Ｓｉ接触Ａｇ关键词Ａｇ２Ｓｉｃｏｎｔａｃｔｓａｒｅｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．Ａｃｃｏｒｄｉｎｇｔｏｄｉｆｆｅｒｅｎｔｔｙｐｅｓｏｆｉｎｔｅｒｆａｃｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，ｔｈｅｍａｉｎｃｕｒｒｅｎｔｔｒａｎｓｐｏｒｔｍｅｃｈａ２ｓｃｒｅｅｎｐｒｉｎｔｉｎｇｔｅｃｈｎｉｑｕｅｔｏｆｏｒｍｔｈｅｓｉｌｖｅｒｆｒｏｎｔｃｏｎｔａｃｔｓａｎｄａｌｕｍｉｎｉｕｍｒｅａｒｃｏｎｔａｃｔｓ．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｔｈｅｆｏｒｍａｔｉｏｎｍｅｃｈ２摘要目前市场上８５％以上的晶体硅太阳电池采用丝网印刷技术制备前、背电极。为了了解前电极的Ａｇ２ＳｉＡｎａｌｙｓｉｓｏｆｔｈｅＦｏｒｍａｔｉｏｎＭｅｃｈａｎｉｓｍｓｏｆＦｒｏｎｔＣｏｎｔａｃｔｓｏｆＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉＳｏｌａｒＣｅｌｌｓＬＩＪｕｎｙｏｎｇ，ＬＩＡＮＧＺｏｎｇｃｕｎ，ＺＨＡＯＲｕｑｉａｎｇ，ＪＩＮＪｉｎｇｓｈｅｎｇ，ＳＨＥＮＨｕｉＡｂｓｔｒａｃｔｐｒｅｓｅｎｔ，ｍｏｒｅｔｈａｎ８５％ｏｆｔｈｅｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｓｏｌａｐａｇｅ１ｒｃｅｌｌｓｉｎｔｈｅｗｏｒｌｄｍａｒｋｅｔａｒｅｐｒｏｄｕｃｅｄｕｓｉｎｇＡｔ晶体硅太阳电池前电极形成机理分析３李军勇，梁宗存，赵汝强，金井升，沈辉１实验触，其最重要的参数为烧结峰值温度。烧结峰值温度过低，则正面电极不能穿透ＳｉＮｘ膜，导致串联电阻过大，表面Ｈ原子扩散至体内的深度不够，不能有效钝化体内缺陷；而烧结峰值温度过高，Ａｇ电极会穿透ｎ＋层发射区，与ｐ型硅衬底接触，形成肖特基旁路结，导致低的并联电阻和较大的反向漏电流，降低太阳电池转换效率。采用电阻率为１～３Ω 、１００］向的单晶硅片制备太ｃｍ［阳电池。太阳电池的生产工艺为去表面损伤层及制备表面金字塔绒面；液态ＰＯＣｌ３扩散形成ｎ＋层，方块电阻为４５～＋５５Ω／ｓｑ；等离子体刻蚀边缘ｎ层；去除磷硅玻璃；ＰＥＣＶＤ镀ＳｉＮｘ减反射膜，约７５ｎｍ厚；分别采用丝网印刷工艺制备背电极、背表面场和Ａｇ正电极，Ａｇ浆料采用商用Ｆｅｒｒｏ３３２Ａｌ４６２型浆料；链式烧结炉一次烧结，最高温度设定为８８０ ℃。测试Ｉ２Ｖ特性。采用Ｑｕａｎｔａ４００ＦＥＧ场发射扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察Ｓｉ２Ａｇ电极断面，并采用ＥＤＳ（Ｅｎｅｒｇｙｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅｓｐｅｃｔｒｏｍ２ｅｔｅｒ，能量色散谱仪）分析其成分。晶体硅太阳电池前电极形成机理分析／李军勇等９在图１中点３位置，烧结完的Ａｇ电极里含有较多的Ｓｉ，说明玻璃料对ＳｉＮｘ有腐蚀作用。Ｇ．Ｓｃｈｕｂｅｒｔ等［８］通过ＳＥＭ／ＥＤＳ分析也发现，烧结后玻璃料中有Ｐｂ沉淀产生。Ｂ．Ｓｏｐｏｒｉ等［４］认为，在低温烘干时，浆料中Ａｇ颗粒被小片状玻璃料颗粒分离，而在４５０ ℃ ，玻璃料开始熔化并覆盖在时Ａｇ颗粒表面，在６００ ℃ ，Ａｇ颗粒被熔融的玻璃料所包围。时随着温度的升高，当Ａｇ颗粒分布于熔融的玻璃料中时，Ａｇ颗粒表面与玻璃料发生离子交换，并在Ａｇ颗粒表面形成一层Ａｇ２Ｍ２Ｓｉ液态相（Ｍ为玻璃料中的金属元素）。当玻璃料熔透ＳｉＮｘ层后，开始与硅ｎ＋发射区层接触，并继续发生氧化还原反应（式（１））。生成的ＳｉＯ２溶解于玻璃料中，Ａｇ颗粒在界面处聚集，远离Ｓｉ表面的Ａｇ颗粒也相互聚集接触在一起。如图１所示，烧结后，Ａｇ颗粒间并不是形成非常紧密的结构，而是多孔结构，可以判断实际形成Ａｇ２Ｓｉ接触的Ａｇ成分并不是Ａｇ颗粒，而是通过离子交换溶解于玻璃料中的Ａｇ原子。如图１中点１、４所示，在界面处存在Ａｇ、、，可点ＰｂＳｉ见玻璃料与硅片发生了反应，Ａｇ在该处沉淀。玻璃料还可以作为一阻挡层来减少Ａｇ扩散进入ｎ＋发射区和ｐ２ｎ结区［９］，从而有助于减少结区旁路结合漏电流。有研究认为［１０］，如果没有玻璃料介于Ａｇ颗粒与硅之间，在烧结过程 μ 中，Ａｇ原子可以扩散至硅基体５ｍ深处。烧结峰值温度过后进行快速冷却，Ａｇ电极与Ｓｉ基体之间能形成多种界面接触形式。玻璃料中的硅在硅片上外延重结晶，而Ａｇ晶粒在硅片表面上析出且随意分布。在适当的烧结温度下，Ａｇ晶粒的结晶生长与Ｓｉ外延方向一致［１１，１２］。有研究者通过ＴＥＭ分析［１３，１４］发现，倒金子塔形状的Ａｇ晶粒生长进入到ｎ＋发射区内部，有些只有几纳米大小，而有些则有几百纳米大小，且这类沉淀在界面处分布没有规则，一般认为倒金字塔表面属于｛１１１｝晶面。实际上，Ａｇ晶粒进入发射极并不是直接与Ｓｉ接触［１５］，在Ａｇ与Ｓｉ之间还存在约５ｎｍ的玻璃料层。图１中点２位置主要是Ａｇ和Ｓｉ元素。在该点应该是富Ａｇ相沉淀。Ａｇ沉淀可以进入ｎ＋区内部达１３０ｎｍ［１２］。由于首先是熔融玻璃料与硅ｎ＋发射区接触，溶解在玻璃料中的Ａｇ会在硅表面析出结晶或进入ｎ＋发射区结晶，因此对于形成的界面应该存在以下几种形式（１）大Ａｇ颗粒／薄层玻璃料（０～２０ｎｍ）／Ａｇ晶粒／薄层玻璃料（５ｎｍ左右）／Ｓｉ；（２）大Ａｇ颗粒／溶解了Ａｇ原子的厚玻璃料层／Ｓｉ；（３）大Ａｇ颗粒／溶解了Ａｇ原子的厚玻璃料层／Ａｇ晶粒／薄层玻璃料／Ｓｉ，而在此类接触形式中，厚的玻璃料层中在靠近Ｓｉ发射极的一侧会存在一些无Ａｇ粒子的区域（正常烧结情况下小于２０ｎｍ）［１５］，这主要是由于在冷却过程中，Ａｇ粒子过饱和析出并在Ｓｉ表面重新结晶生长，消耗了玻璃料中的Ａｇ粒子；（４）有研究者还发现［１５］，残留的ＳｉＮｘ膜ｐａｇｅ２也会出现在某些区域，特别是在单晶硅金字塔绒面结构的底部，烧结温度越低，残留的ＳｉＮｘ膜越多，从而阻止了玻璃料中的Ａｇ向硅中结晶生长。不同界面的接触形式见图２。从以上分析可知，玻璃料中的氧化物与Ｓｉ表面发生氧化还原反应生成Ｐｂ，Ｐｂ溶解于玻璃料中，对形成欧姆接触起到２结果及分析对电池栅指电极和主栅线断面进行ＳＥＭ分析，其结果如图１所示。对Ａｇ２Ｓｉ界面不同位置进行ＥＤＳ分析，其各元素含量在表１中汇总。表１ＥＤＳ分析图１中各点成分含量汇总图１（ａ）点２点３Ｔａｂｌｅ１ＥＤＳａｎａｌｙｓｉｓｒｅｓｕｌｔｓｏｆｔｈｅｐｏｉｎｔｓｉｎＦｉｇ．１成分Ｓｉ％（原子分数）ＡｇＰｂ点１点４图１（ｂ）点１１２．７１５２．５６０．７９３３．９４４２．２９１０．５９２．３０４４．８２５０．８３０．５２０７．８５０２３．５８７．９６０．６９４２．３３４９．８２其它４８．６５６７．７７“其它” 注表示测试过程中出现的Ｃ、等成分Ｏ２．１烧结工艺段。烧结炉低温温度一般在４００ ℃ 以内，中温温度为３００～７００ ℃，高温温度为７００～９００ ℃。在低温阶段，浆料中的有机溶剂和有机粘合剂被蒸发或被燃烧；在中温阶段，玻璃料开始熔化，Ａｇ颗粒开始聚合；在高温阶段，Ａｇ、及玻璃料成分Ｓｉ发生反应，形成Ａｇ２Ｓｉ接触；冷却时，Ａｇ粒子在硅片表面结晶生长。高温驱动表面Ｈ原子向硅片内部扩散。实际在硅片上发生的反应温度远低于烧结炉设定的温度，Ｋｙｕｎｇｈａｅ［５］Ｋｉｍ等研究发现，Ａｇ与Ｓｉ的实际最佳反应温度为６０５ ℃，远低于Ａｇ２Ｓｉ共晶点的温度８３５ ℃，这可能是由于反应体系中含有多相成分（Ａｇ、、、等）而使合金熔点降低。因此ＳｉＰｂＢｉ＋需要综合考虑ｎ层的扩散浓度、浆料成分、减反射膜厚度等诸多因素来设定烧结炉各温区实际的温度。腐蚀穿透ＳｉＮｘ膜，使Ａｇ颗粒能够与硅发射区发生电学接触［６］。在蒸发和燃烧完有机溶剂物质之后，玻璃料开始熔化、液化和润湿ＳｉＮｘ表面，继而溶解Ａｇ颗粒和腐蚀掉ＳｉＮｘ层。玻璃料腐蚀ＳｉＮｘ层过程发生的氧化还原反应为［７］ｘＳｉ＋２ＭＯｘ，ｇｌａｓｓｘＳｉＯ２＋２Ｍ式中Ｍ为玻璃料中的金属元素，主要是Ｐｂ。（１）２．２２Ｓｉ接触的形成机理Ａｇ图１电池栅指电极（ａ）和主栅电极（ｂ）剖面的ＳＥＭ图像Ｆｉｇ．１ＳＥＭｃｒｏｓｓ２ｓｅｃｔｉｏｎｉｍａｇｅｏｆＡｇｇｒｉｄｌｉｎｅ（ａ）ａｎｄＡｇｂｕｓｂａｒ（ｂ）标准烧结工艺需要经过低温、中温、高温、冷却４个阶玻璃料在Ａｇ２Ｓｉ接触形成过程中发挥了关键的作用，它１０材料导报研究篇２００９年７月（下）第２３卷第７期一定的作用［１６］。但在Ａｇ的结晶生长区域应该还有Ｐｂ粒子的结晶生长，如图１（ｂ）中点１所示。Ｐｂ的沉淀机理并不清楚，目前还没有相关报道。ｐａｇｅ３２．３电流传输机制目前，对丝网印刷Ａｇ电极的电流传输机制还没有得到很好的解释，在界面处存在多种接触形式（如上面所分析的４种接触形式）。早期研究者［１７］认为电流传输是经过直接的Ａｇ２Ｓｉ接触而发生的，但是通过分析烧结过程中玻璃料的流动性及其溶解Ａｇ在玻璃料中析出的结晶认为，玻璃料应该存在于任何的Ａｇ２Ｓｉ接触之间，因此不存在直接的Ａｇ２Ｓｉ接触。玻璃料一般被认为是绝缘体，其电阻率高达１０９Ω ｃｍ［１２］。由于玻璃料中溶解了Ａｇ粒子，目前普遍认同通过隧道效应来传输电流［６，１２，１８］。Ｃｈｉｎｇ２ＨｉｓＬｉｎ等［１５］认为起决定作用的是通过Ａｇ晶粒２薄玻璃料层２Ｓｉ界面的电流传输。由于此种接触形式的玻璃料层非常薄（小于５ｎｍ），不足以成为电流传输的阻挡层，电子可由隧道效应通过。考虑第一种接触形式，由于ｎ＋发射区层、晶粒、颗粒之间都是相隔薄的玻璃料层可认为ＡｇＡｇ电流是通过两步隧道效应传输的。而对于第二、三种接触形式，厚的玻璃料中溶解的金属粒子为电流的传输起中介作用，多步隧道效应通过金属粒子到达Ａｇ颗粒层实现电流传输。玻璃料层的厚度直接影响着太阳电池串联电阻的大小［１９］，厚的玻璃料层导致高的接触电阻，阻碍电流的传输。电流传输的机制见图３。Ｆｉｇ．３Ｓｃｈｅｍａｔｉｃｄｉａｇｒａｍｏｆｃｕｒｒｅｎｔｔｒａｎｓｐｏｒｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｓ［１５］有研究认为还存在一部分热激发电子的电流传输机制。当隧道电流占主导地位时，接触电阻可以很小，可以用图２２Ｓｉ界面的接触形式ＡｇＦｉｇ．２ＳｃｈｅｍａｔｉｃｄｉａｇｒａｍｏｆＡｇ２Ｓｉｃｏｎｔａｃｔｓｔｒｕｃｔｕｒｅ图３２Ｓｉ界面电流传输的机制ＡｇｔｈｒｏｕｇｈＡｇ２Ｓｉｃｏｎｔａｃｔ作欧姆接触［２０］。哪种传输方式占主导地位应视烧结工艺而定，不同的烧结工艺对形成不同的Ａｇ２Ｓｉ接触界面形式有很大的影响。一般来说，高温（不过烧）情况下，两步隧道效应占多数，接触电阻低；温度稍低情况下，多步隧道效应占多数，接触电阻会稍高些。３结论本实验分析了丝网印刷Ａｇ电极烧结工艺下Ａｇ２Ｓｉ接触的形成机理。玻璃料在电极形成过程中发挥了关键作用。大量的Ａｇ粒子溶解于玻璃料之中，冷却过程中，过饱和的Ａｇ粒子析出并结晶生长，在Ｓｉ表面形成倒金字塔状的Ａｇ晶粒。该Ａｇ晶粒可进入Ｓｉ发射极达１３０ｎｍ。至少存在４种硅２电极接触形式。电流的传输机制普遍被认为是以隧道效应方式传输。根据Ａｇ颗粒、晶粒、三者之间玻璃料ＡｇＳｉ厚度的不同，电流传输方式又分为两步隧道效应方式和多步隧道效应方式。参考文献１ＲａｌｐｈＥＬ．Ｒｅｃｅｎｔａｄｖａｎｃｅｍｅｎｔｓｉｎｌｏｗｃｏｓｔｓｏｌａｒｃｅｌｌｐｒｏ２ｃｅｓｓｉｎｇ［Ｃ］／／ＩｎＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅ１１ｔｈＩＥＥＥＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ．ＳｃｏｔｔｓｄａｌｅＡｒｉｚ，１９７５３１５２Ｄｉｒｋ２ＨｏｌｇｅｒＮｅｕｈａｕｓ，ＡｄｏｌｆＭｕｎｚｅｒ．Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌｓｉｌｉｃｏｎｗａ２３ＡｎｔｏｎｉｏＬｕｑｕｅ，ＳｔｅｖｅｎＨｅｇｅｄｕｓ．Ｈａｎｄｂｏｏｋｏｆｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓｃｉｅｎｃｅａｎｄｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ［Ｍ］．ＬｏｎｄｏｎＪｏｈｎＷｉｌｅｙ＆Ｓｏｎｓ，Ｌｔｄ，２００３２７６４ＳｏｐｏｒｉＢ，ＭｅｈｔａＶ，ＲｕｐｎｏｗｓｋｉＰ，ｅｔａｌ．Ｓｔｕｄｉｅｓｏｎｆｕｎｄａ２５ＫｙｕｎｇｈａｅＫｉｍ，ＳｕｒｅｓｈＫｕｍａｒＤｈｕｎｇｅｌ，ｅｔａｌ．Ａｎｏｖｅｌａｐ２６ＧｕｎｎａｒＳｃｈｕｂｅｒｔ，ＦｒａｎｋＨｕｓｔｅｒ，ＰｅｔｅｒＦａｔｈ．Ｐｈｙｓｉｃａｌｕｎ２ｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇｏｆｐｒｉｎｔｅｄｔｈｉｃｋｆｉｌｍｆｒｏｎｔｃｏｎｔａｃｔｓｏｆｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｍｅｎｔｓ［Ｊ］．ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２００６，９０３３９９７ＹｏｕｎｇＲＪＳ，ＡｌａｎＦＣａｒｒｏｌｌ．Ａｄｖａｎｃｅｓｉｎｆｒｏｎｔ２ｓｉｄｅｔｈｉｃｋｆｉｌｍｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｓｆｏｒｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｃ］／／Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆ１７３１ｔｈｅ１６ｔｈＥｕｒｏｐｅａｎＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＥｎｅｒｇｙＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，２０００ｔｈｉｃｋｆｉｌｍｆｒｏｎｔｃｏｎｔａｃｔｓｏｎｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｃ］８ＳｃｈｕｂｅｒｔＧ，ＦｉｓｃｈｅｒＢ，ＦａｔｈＰ．ＦｏｒｍａｔｉｏｎａｎｄｎａｔｕｒｅｏｆＡｇ２００２３４３９ＳｈａｉｋｈＡ，ＳｒｉｄｈａｒａｎＳ，ＰｈａｍＴ，ｅｔａｌ．ＤｅｓｉｇｎｉｎｇａｆｒｏｎｔｃｏｎｔａｃｔｉｎｋｆｏｒＳｉＮｘｃｏａｔｅｄｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｐａｇｅ４ｓｉｏｎ，２００３１５００Ｓｉｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ２ｒｅｖｉｅｗｏｆｅｘｉｓｔｉｎｇｍｏｄｅｌｓａｎｄｒｅｃｅｎｔｄｅｖｅｌｏｐ２ｐｒｏａｃｈｆｏｒｃｏ２ｆｉｒｉｎｇｏｐｔｉｍｉｚａｔｉｏｎｉｎＲＴＰｆｏｒｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｌａｒｇｅａｒｅａｍｃ２Ｓｉｓｏａｌｒｃｅｌｌ［Ｊ］．ＴｈｉｎＳｏｌｉｄＦｉｌｍｓ，２００６，５１１２５１２２２８ｍｅｎｔａｌｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｉｎａｆｉｒｅ２ｔｈｒｏｕｇｈｃｏｎｔａｃｔｍｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎｏｆＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，２００７８４１Ｓｉｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｃ］ ∥ ｎｄＥｕｒｏｐｅａｎＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙ２２ｆｅｒｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｊ］．ＡｄｖＯｐｔｏ２Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，２００７，２００７１５∥ ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓｉｎＥｕｒｏｐｅＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，［Ｃ］／／３ｒｄＷｏｒｌｄＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅｏｎＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＥｎｅｒｇｙＣｏｎｖｅｒ２晶体硅太阳电池前电极形成机理分析／李军勇等１０ＲｏｌｌｅｒｔＦ，ＳｔｏｌｗｉｊｋＮＡ，ＭｅｈｒｅｒＨ．Ｓｏｌｕｂｉｌｉｔｙ，ｄｉｆｆｕｓｉｏｎａｎｄｔｈｅｒｍｏｄｙｎａｍｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｓｉｌｖｅｒｉｎｓｉｌｉｃｏｎ［Ｊ］．ＪＰｈｙｓＤＡｐｐｌＰｈｙｓ，１９８７，２０１１４８１１ＭｏｈａｍｅｄＭＨｉｌａｌｉ，ＢｏｂｂｙＴｏ，ＡｊｅｅｔＲｏｈａｔｇｉ．Ａｒｅｖｉｅｗａｎｄｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｉｎｇｏｆｓｃｒｅｅｎ２ｐｒｉｎｔｅｄｃｏｎｔａｃｔｓａｎｄｓｅｌｅｃｔｉｖｅ２ｅｍｉｔｔｅｒｆｏｒｍａｔｉｏｎ［Ｃ］ ∥１４ｔｈＷｏｒｋｓｈｏｐｏｎＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｏｌａｒＬａｂ）．ＷｉｎｔｅｒＰａｒｋ，Ｃｏｌｏｒａｄｏ，２００４８ＣｅｌｌＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＰｒｏｃｅｓｓｅｓ（ＮａｔｉｏｎａｌＲｅｎｅｗａｂｌｅＥｎｅｒｇｙｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｊ］．ＭｉｃｏｒｓｃｏｐｙａｎｄＭｉｃｒｏａｎａｌｙｓｉｓ，２００５，１１２０７８ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ［Ｃ］ ∥Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅ２９ｔｈＩＥＥＥＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ．Ｌ．ＡＮｅｗＯｒｌｅａｎｓ，２００２３６０１１ｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆＡｇ２ｂｕｌｋ／ｇｌａｓｓｙ２ｐｈａｓｅ／ＳｉｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓｏｆＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２００８，９２１０１１ｔａｃｔｓｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｎｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｊ］．ＭａｔｅｒＳｃｉＥｎｇＢ，２００３，１０２５８１２８９ｐｒｉｎｔｅｄＡｇｃｏｎｔａｃｔｓｏｎｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｊ］．Ｓｏｌａｒ１６ＴｈｕｉｌｌｉｅｒＢ，ＢｏｙｅａｕｘＪＰ，ＫａｍｉｎｓｋｉＡ，ｅｔａｌ．ＴｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙａｎｄＥＤＳａｎａｌｙｓｉｓｏｆｓｃｒｅｅｎ２ｐｒｉｎｔｅｄｃｏｎ２ｓｉｓｏｆｓｉｌｖｅｒｔｈｉｃｋ２ｆｉｌｍｃｏｎｔａｃｔｆｏｒｍａｔｉｏｎｏｎｉｎｄｕｓｔｒｉａｌｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｃ］ ∥ＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，２００５ｃｏｎｔａｃｔｉｎａｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌ［Ｃ］∥ＴｅｃｈｎｉｃａｌＤｉｇｅｓｔｏｆｔｈｅＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌＰＶＳＥＣ２１４．ＴｈａｉｌａｎｄＢａｎｇｋｏｋ，２００４４４３材料导报创刊于１９８７年，是中文核心期刊，中国科技论文统计源期刊（科技核心期刊），中国科学引文数据库来源期刊和ＣＮＫＩ期刊全文数据库收录期刊。科学技术的飞速发展使研究成果产出的周期缩短，对快速及时发布科学研究新成果的需求也日益增强。为使科技工作者及其单位抢先获得科技成果的首发权和知识产权，本刊将特设一个新栏目 “研究简报” 。此栏目以创新性和快速发布研究成果为特色，主要征集学术性强、具有创新思想的研究报道，以促进成果推广和学术交流。（５）文稿必须经过导师和课题组的严格讨论和审查，保证文稿的质量和原创性，投稿作者主要针对博士、教授及研究员。稿件中需有第一作者简介、２ｍａｉｌ、、Ｅ电话通讯地址等，以便联系。（６）研究课题必须为国家或省部级基金资助项目。（７）来稿一律不退，请自留底稿。目”同时将稿件的电子版发送至ｍａｔ２ｒｅｖ＠１６３．ｃｏｍ。，（２）投稿一经采用将在３个月内安排发表。（３）如有一稿多投、剽窃或抄袭行为者，一切后果由作者本人负责。１２ＢａｌｌｉｆＣ，ＨｕｌｊｉｃＤＭ，ＷｉｌｌｅｋｅＧ，ｅｔａｌ．Ｓｉｌｖｅｒｔｈｉｃｋ２ｆｉｌｍＬｅｔｔ，２００３，８２（１２）１８７８ｉｚａｔｉｏｎｏｆＡｇｐｒｅｃｉｐｉｔａｔｅｓｉｎｓｃｒｅｅｎｐｒｉｎｔｅｄＡｇｃｏｎｔａｃｔｓｆｏｒＳｉ１４ＢａｌｌｉｆＣ，ＨｕｌｊｉｃＤＭ，Ｈｅｓｓｌｅｒ２ＷｙｓｓｅｒＡ，ｅｔａｌ．Ｎａｔｕｒｅｏｆｃｏｎｔａｃｔｓｏｎｈｉｇｈｌｙｄｏｐｅｄｎ２ｔｙｐｅｓｉｌｉｃｏｎｅｍｉｔｔｅｒｓＳｔｒｕｃｔｕｒａｌｔｒａｎｓｍｉｓｓｉｏｎｅｌｅｃｔｒｏｎｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙｓｔｕｄｙｏｆｃｒｏｓｓ２ｓｅｃｔｉｏｎａｌａｎｄｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｅｉｎｔｅｒｆａｃｅ［Ｊ］．ＡｐｐｌＰｈｙｓｔｈｅＡｇ２Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｎｓｃｒｅｅｎ２ｐｒｉｎｔｅｄｃｏｎｔａｃｔｓＡｄｅｔａｉｌｅｄ１３ＪｏｎｅｓＫＭ，ＹａｎＹ，Ａｌ２ＪａｓｓｉｍＭＭ，ｅｔａｌ．ＴＥＭＣｈａｒａｃｔｅｒ２１５ＬｉｎＣｈｉｎｇ２Ｈｉｓ，ＴｓａｉＳｏｎｇ２Ｙｅｕ，ＨｓｕＳｈｉｈ２Ｐｅｎｇ，ｅｔａｌ．Ｉｎ２ｐａｇｅ５材料导报研究简报征稿一投稿要求（１）研究简报是学术论文、科技报道的一种新形式，是对课题研究成果的快速报道，具有原创性和较强的学术性、创新性。（２）报道内容应为研究课题的最新阶段性或部分科研新成果或进展。（３）文稿应论点明确、论据可靠、数据准确、逻辑严谨、文字通顺。（４）文稿格式与研究论文相同。二投稿及刊发（１）投稿时请邮寄２份打印稿到重庆市渝北区洪湖西路１８号材料导报编辑部，并请在信封上注明 “特投研究简报栏１７ＦｉｒｏｒＫ，ＨｏｇａｎＳＪ，ＢａｒｒｅｔｔＪＭ，ｅｔａｌ．Ｓｅｒｉｅｓｒｅｓｉｓｔａｎｃｅａｓ２ｉｎｇｓｏｆｔｈｅ１６ｔｈＩＥＥＥＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｐｅｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ，１９８２８２４１８ＧｕｎｔｈｅｒＧｒｕｐｐ，ＤａｎｉｅｌＢｉｒｏ，ＧｅｍｏｔＥｍａｎｕｅｌ，ｅｔａｌ．Ａｎａｌｙ２１９ＫｈａｄｉｌｋａｒＣ，ＫｉｍＳ，ｅｔａｌ．Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｓｉｌｖｅｒｆｒｏｎｔ２０刘恩科，朱秉升，罗晋生，等．半导体物理学［Ｍ］．北京电子ｓｏｃｉａｔｅｄｗｉｔｈｔｈｉｃｋ２ｆｉｌｍｃｏｎｔａｃｔｓｔｏｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ｃ］ ∥Ｐｒｏｃｅｅｄ２工业出版社，２００３２３８（责任编辑）王炎材料导报编辑部１ｐａｇｅ６