单晶125电池片检验标准-solarbe文库

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第 1 页共 3 页质量管理体系支持性文件文件名称单晶 125电池片检验标准文件编号分发号版次修改状态受控状态实施日期1、目的为了规范晶体硅太阳能电池组件用电池片的技术要求、检验方法和检验规则等。2、适用范围本检验标准适用于光伏部晶体硅太阳能组件用电池片。3、职责3.1 技术部负责本检验标准的定稿、起草、编制和确认以及日后的修改、补充等工作。3.2 质检部负责按本检验标准的要求进行执行。4、标准要求和内容4.1 电池片尺寸电池片类型边长 a mm 对角 h mm 同一批厚度ｕｍ单晶 MM125 125.0± 0.5 165± 1.0 195± 354.2 电性能参数4.2.1 标准测试条件① AM1.5 ② 光强 1000W/㎡ ③ 温度 25℃ ④ 测试方法 IEC 60904-1. 4.2.2 电性能参数参考表电池片型号标称EFF 区间（）最大工作电流Imp A 最大工作电压Vmp V 开路电压Voc V 短路电流Isc A 并联电阻Rsh Ω 漏电流Irev2 A Eff （）功率（ W）MM125-23 17.7 2.74 17.7 5.254 0.523 0.626 5.615 ≥ 10 ≤ 3MM125-22 17.5 2.71 17.5--17.7 5.240 0.520 0.623 5.604 MM125-21 17.3 2.68 17.3--17.5 5.220 0.516 0.620 5.592 MM125-20 17.1 2.65 17.1--17.3 5.180 0.513 0.619 5.573 MM125-19 16.9 2.62 16.9--17.1 5.172 0.509 0.618 5.570 MM125-18 16.7 2.59 16.7--16.9 5.153 0.505 0.616 5.565 MM125-17 16.5 2.56 16.5--16.7 5.121 0.502 0.614 5.563 MM125-16 16.3 2.52 16.3--16.5 5.091 0.499 0.612 5.560 MM125-15 16.0 2.48 16.0--16.3 5.030 0.498 0.610 5.558 MM125-14 15.5 2.40 15.5--16.0 4.911 0.493 0.608 5.554 MM125-13 15.0 2.32 15.0--15.5 4.735 0.490 0.604 5.250 MM125-12 14.5 2.25 14.5--15.0 4.640 0.485 0.601 5.151 MM125-11 14.0 2.17 14.0--14.5 4.521 0.480 0.598 5.018 MM125-10 13.5 2.09 13.5--14.0 4.373 0.478 0.595 4.855 第 2 页共 3 页MM125-09 13.0 2.01 13.0--13.5 4.277 0.470 0.590 4.752 MM125-08 12.5 1.94 12.5--13.0 4.200 0.462 0.586 4.670 MM125-07 12.0 1.86 12.0--12.5 4.088 0.455 0.582 4.578 MM125-06 11.5 1.78 11.5--12.0 4.000 0.446 0.579 4.520 MM125-05 11.0 1.70 11.0--11.5 3.864 0.440 0.575 4.510 MM125-04 10.5 1.63 10.5--11.0 3.748 0.435 0.572 4.481 MM125-03 10.0 1.55 10.0--10.5 3.605 0.430 0.570 4.326 MM125-02 09.5 1.47 09.5--10.0 3.586 0.410 0.568 4.302 MM125-01 09.0 1.39 09.0--09.5 3.250 0.400 0.565 4.002 注 * 测试条件符合 AM1.5 ，辐照强度 1000W/ ㎡ ,电池温度 25℃，测试方法符合 IEC60904-1 ，容许偏差 Efficiency ± 1 rel 。* 这些栏目的参数为生产数据的典型值，仅供参考。4.2.3 外观检验和接收标准编号项目 A 级 B 级 C 级1 正面色彩及其均匀性同一批次电池片的颜色应该一样 . 同批次允许轻微不明显色差 . 同一批次允许轻微色差。2 裂纹、隐裂、破片、穿孔片、 V 形缺口不允许轻微允许 0.3 轻微允许 0.5 3 崩边、缺角深度 2mm。无崩穿。4 翘曲度 ≤ 2.00mm。 ≤ 3.00mm。 3 ～ 3.5mm。5 色差 /色斑 /指印 /水痕 /脏污颜色均匀一致，同一片电池片上因这些因素导致的色彩不均匀面积应 2c㎡（氮化硅沉积过程中硅片挂钩区域除外），一臂距离看不明显 . 超出 A 级， 2m 外看不到明；显色差 /色斑 /指印 /水痕/脏污超出 B 级6 线痕垂直细栅线的线痕长≤1cm,数量≤ 1 条；平行细栅线的线痕长≤3cm,数量≤ 1 条；且 1m距离看不明显。垂直细栅线的线痕长≤2cm,数量≤ 2 条；平行细栅线的线痕长≤3cm,数量≤ 2 条； 2 米外看不明显。线痕 3 米外看不明显。7 电池片正面漏浆单个面积≤ 0.5 0.5mm, 数量≤ 3 处。单个面积≤ 2m ㎡数量≤ 5 处。总面积≤ 5C ㎡ .8 正面主栅线断线 /缺失不超过 2 m ㎡扭曲及突出不超过0.2mm；无变色。断线 /缺失不超过 5 m㎡，扭曲及突出不超过0.5mm；无变色。断线 /缺失不超过 10 m ㎡及突出不超过1mm ；允许轻微变色。第 3 页共 3 页9 正面细栅线宽度 0.1～ 0.25 mm；断线 ≤ 1mm ，总数量 ≤ 3 处，同一条细栅线上不允许有连续 2 处断线；虚印总面积 5，且断栅、漏浆一臂距离看不明显；被氧化的细栅≤ 2 条，且1m 之外不明显。宽度 0.1～ 0.25 mm,断线 ≤ 2mm ；断线 ≤ 5 处，虚印总面积 15；被氧化的细栅线面积≤30。宽度 0.10.25 mm，断线，虚印；总面积30 ；且断线 ≤2mm，且离主栅线≥2mm。10 印刷偏移平行偏移细栅线边界与硅片边缘距离 d 满足1.25mm≤ d 窄≤ 1.5mm，1.5mm≤ d 宽≤ 1.75mm 旋转偏移细栅线边界距离硅片边缘的最近距离≥ 1.25mm。平行偏移细栅线边界与硅片边缘距离 d 满足 0.75mm ≤ d 窄 ≤1.25mm， 1.75mm≤ d 宽≤ 2.25mm；旋转偏移细栅线边界距离硅片边缘的最近距离 ≥0.75mm。平行偏移细栅线四边界与硅片边缘距离 d 满足 0.5mm≤ d窄 ≤ 0.75mm ，2.25mm ≤ d 宽 ≤2.5mm ；旋转偏移细栅线四边界与硅片边缘距离 d 满足 0.5mm≤ d 且印刷图形完整。11 背电极断线 /缺失不超过背电极总面积的 5；扭曲及突出不超过 0.5mm。断线 /缺失不超过背电极总面积的 10 ，扭曲及突出不超过1mm。断线 /缺失不超过背电极总面积的20 ，扭曲及突出不超过 2mm。12 背电场背电场缺损单个点状网带印缺损面积≤ 4m ㎡ .总面积≤ 25m ㎡；背电场无明显变色；背电场到硅片边缘距离 d 满足 0.5mm ≤ d 窄 ≤ 1mm ，1.5mm≤ d 宽≤ 2mm 。背电场缺损总面积≤ 1c㎡，变色面积不超过50；背电场到硅片边缘距离 d 满足0.3mm≤ d 窄≤ 0.5mm，1.5mm≤ d 宽≤ 1.7mm . 背电场缺损总面积≤ 2c ㎡，变色面积不超过 70；背电场到硅片边缘距离 d 满足 0mm≤ d 窄≤0.5mm ， 1.5mm ≤ d宽≤ 2mm 。13 铝珠或铝疱不允许存在尖锐性铝疱；非尖锐铝高度不超过 0.20mm，且总面积不超过4m ㎡ .注该技术要求由工艺技术人员负责编制，同时，工艺技术部门根据行业的技术发展有权做相应的修改、补充，品质参考此技术要求。检验员检验按一般检验 II 水平， AQL＝ 2.5编制 / 时间审核 / 时间审批 / 时间