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PECVD考试试题一、单选1、当膜厚由薄逐渐变厚时,膜的颜色变化过程( )A、红色→深蓝→蓝色 B 、深蓝→淡蓝→蓝色C、淡蓝→蓝色→深蓝2、当折射率较大时,工艺调整时需( )A 、增大硅烷通量B 、减小氨气通量C 、减小硅烷通量3、工艺运行过程中,当左侧膜厚偏小,右侧膜厚偏大时( )A 、增大左侧微波源功率,减小右侧微波源功率B 、减小左侧微波源功率,增大右侧微波源功率C 、减小左侧微波源功率,同时减小右侧微波源功率4、下列反应方程式,正确的是( )A、 SiH 4NH3→ Si xNyH2 B、 SiH 4NH3→ SiNH2C、 SiH 4NH3→ Si 3N4H2 5、哪种气体不是 PECVD所需特气( )A、硅烷B、氨气C、甲烷二、多选1. PECVD沉积减反射膜的优点是 ( )A.衬底温度低 B .淀积速率高C.衬底温度高 D .淀积速率低2. PECVD的能量源有( )A.高频电源 B .微波C.直流电源 D .加热器3. 下列哪些参数可以调整膜厚( )A.工艺压力 B .沉积时间C.加热温度 D .带速4. 常用的氮化硅沉积设备有哪些( )A.板式 B .管式C.丝网印刷 D .清洗机5. 管式 PECVD的设备组件有( )A.石墨舟 B .石英炉管C.石墨框 D .真空泵三、判断1、工艺压力与沉积速率无关( )2、板式 PECVD增加带速能增加膜厚( )3、管式 PECVD的载片设备为石墨舟( )4、管式 PECVD设备报警退舟后,能通过补镀来完成完整的氮化硅膜沉积( )5、氮化硅膜减反射原理为陷光原理( )四、填空1. 板式 PECVD具体操作时,上完片应轻轻的敲击一下 的边缘,防止在 掉落 . 2. 当传输新工艺时要 后方可大量生产 . 3. 对于石墨框固定位置产生色差的处理方式 . 4. 氮化硅膜厚超出范围,偏小时应 石墨框传输速度;偏大时应 石墨框传输速度。一般情况下, 1cm/min 对应 nm, 具体视调整后的第一框膜厚为基准 . 5. 氮化硅膜的作用主要是 和 . 五、简答题1、简述 PECVD的原理及目的 . 2、简述更换石英管流程及注意事项 . 3、为什么后清洗出来的片子在 PECVD前搁置时间过长需要进行酸洗六、计算156 电池片的功率为 4W,则其转换效率是多少七、案例分析管式 PECVD镀膜过程中发生高频报警,请具体说出高频报警的引起原因,并说出解决方案。答案一、 ACBAC 二、 AB AB ABCD AB ABD 三、 √√四、 石墨框 硅片 工艺腔 验证电性能 开腔取出掉片 减小 增大 1nm 减反射 钝化五、1、原理氨气硅烷反应生成氮化硅膜。目的减反射,钝化2、降温、开腔体卸石英管、卫生清理、通气孔(注意通透) 、换上新石英管(铜管要直,密封圈无变形,胶带上无气泡,铝帽无划痕,关仓(擦干净密封圈) 、抽真空。3、因为长期暴露空气中硅片表面一方面被氧化,另一方面表面会被杂质污染六、S0.156 0.1560.024336m 2P4W 效率 P/1000S16.44 七、原因1、 电池片没插好,接触到另一电极,导致短路。2、 电池片有隐裂,在周内破碎,接触到另一电极,导致短路。3、 炉内碎片接触到石墨舟的两个电极导致短路。4、 高频电源故障,发生警报。5、 高频电源冷却水流量不足,电源工作异常,发生警报。处理措施判定故障原因,退舟冷却后,补镀剩余时间。
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