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太阳能电池概况目录引言太阳能辐射太阳电池结构太阳电池制作一、引言传统能源的现状人类社会面临的问题及光伏发展的契机1.一次能源的面临枯竭；社会发展对能源需求的增加，加剧全球能源紧张。2.人类社会可持续发展。3.环境恶化的压力和减排 CO2 的需要，促进了可再生能源的利用。光伏技术是最直接和有效的途径和方法。环境压力温室效应酸雨相关的政策1.日本、欧洲、美国已经出台相关政策和法令 ,鼓励和补贴可再生能源发展2.2005 年 3 月中华人民共和国主席令 33 号正式颁布了中华人民共和国可再生能源法，2006 年开始实施太阳能发电整个产业链硅料、硅棒、硅片、电池片、组件、光伏系统太阳电池的历史1.1839 年法国实验物理学家 Edmund Bacquerel （贝克勒尔）发现了光生伏特效应2.1941 年奥尔在硅上发现了光伏效应3.1954 年 Chaipin（恰宾）和 Carlson 卡尔松等人在贝尔实验室制成了光电转换效率达 6的世界上第一块实用的硅太阳电池，标志着太阳电池研制工作的重大进展4.1959 年第一个光电转换效率为 5％的多晶硅太阳电池问世5.1960 年硅太阳电池发电首次并入常规电网6.1975 年，美国科学家制作出非晶硅太阳电池 80 年代初，太阳电池开始规模化生产太阳电池按材料分类太阳电池将太阳光能直接转换为电能的半导体器件● 种类 ● 硅太阳电池1 硅太阳电池 1 单晶硅片2 化合物太阳电池 2 多晶硅片3 染料敏化电池 3 非晶硅薄膜4 硒光电池 4 多晶硅薄膜二、太阳能辐射1、太阳辐射能的来源电磁辐射2、太阳光是一种电磁波 ,具有波粒二相性大气层对太阳辐射的影响大气质量大气层对太阳光线通过大气程路程对到达地球表面的太阳辐射的影响AM0地球大气层外的太阳辐射AM1穿过 1 个大气层的太阳辐射（太阳入射角为 0）AM1.5太阳入射角为 48°的太阳辐射三、太阳电池结构单晶与多晶硅片由于单晶和多晶硅片的生产工艺不一，多晶是正方的，单晶硅片的四个边缘是有弧度的 ,准方片对于成品电池更好区分单晶是有绒面的，而多晶由于晶界排列不整齐我们看到的多晶硅片表面有花纹。尺寸 125x125,150x150, 156x156 太阳电池的工作过程光生伏特效应| 吸收光子，产生电子空穴对电子空穴对被内建电场分离，在 PN结两端产生电势将 PN结用导线连接，形成电流在太阳电池两端连接负载，实现了将光能向电能的转换太阳电池等效电路当受光照射的太阳能接上负载时，光生电流经负载，并在负载两端建立起端电压。这时太阳能电池的工作情况可由左图所示等效电路来描述。图 3 中把太阳能电池看成稳定的产生光电流 IL 的电流源（只要光源稳定）。由图中可以看出，流经负载的电流为 II L－ I D-I sh 。UOC RL ∞ 时（ I0，相当于开路）的电压 U 为开路电压 UOC。ISC RL0 时（ U0，相当于短路）的电流 I 为短路电流 ISC。Rsh 周边刻蚀没有完全刻掉，存在漏电，上下导通的电阻为并联电阻。RS 由材料体电阻、接触电阻、探针及导线电阻几部分组成。IrevID P-N 结漏电 Ish （边缘漏电，等离子刻蚀）从上述参量关系中我们可以判断数据异常的原因（ 1）串联电阻大可能原因为银浆混合不均匀玻璃粉少 ,或探针压力不够等。（ 2）并联电阻小银浆中玻璃粉太多或周边刻蚀没有做好或工艺卫生不合格造成污染。相应还会导致漏电流加大。（ 3）漏电流大周边刻蚀没有做好，一次清洗有离子粘污、扩散间洁净度不够。（ 4）短路电流偏小观测电池颜色 PECVD镀膜是否正常 ;观察绒面是否大小均匀 ,反光是否强 . 太阳能电池片生产工艺流程一次清洗、扩散、等离子刻蚀、二次清洗、 PECVD、丝印、烧结、分选测试、检验入库1.清洗 .制绒NaOH去除表面损伤层和制备绒面（陷光）HCL去除硅片表面的金属离子HF 去除硅片表面的硅酸钠和氧化物化学腐蚀的原理热的 NaOH 溶液去除硅片表面机械损伤层HF 去除硅片表面氧化层HCl 去除硅片表面金属杂质盐酸具有酸和络合剂的双重作用，氯离子能与 Pt 2、 Au 3、 Ag 、 Cu 、 Cd 2、 Hg 2等金属离子形成可溶于水的络合物。2.扩散扩散的目的形成 PN结在 P 型半导体表面掺杂五价元素磷在硅片表面形成 PN 结PN 结太阳电池的心脏POCl3 磷扩散原理POCl3 在高温下（ 600℃）分解生成五氯化磷（ PCl5）和五氧化二磷（ P2O5），其反应式如下生成的 P2O5 在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（ SiO2）和磷原子，其反应式如下3.等离子体刻蚀目的去除边缘 PN结，防止上下短路2322 H2SiONaOHNaOH2SiOH2SiFHHF6SiO 26225253 OP3PClC6005POCl4P5SiO5SiO2P 252首先，母体分子 CF4在高能量的电子的碰撞作用下分解成多种中性基团或离子。其次，这些活性粒子由于扩散或者在电场作用下到达 SiO2 表面，并在表面上发生化学反应。生产过程中，在中 CF4 掺入 O2，这样有利于提高 Si 和 SiO2 的刻蚀速率。4.去磷硅玻璃用 HF酸把上下表面的磷硅玻璃去除什么是磷硅玻璃在扩散过程中发生如下反应25223 6ClO2P3O4PClPOCl3 分解产生的 P2O5 淀积在硅片表面， P2O5 与 Si 反应生成 SiO2 和磷原子PSiOSiOP 4552 252这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的 SiO2，称之为磷硅玻璃。磷硅玻璃的去除氢氟酸能够溶解二氧化硅是因为氢氟酸能与二氧化硅作用生成易挥发的四氟化硅气体。 O2HSiF4HFSiO 242若氢氟酸过量，反应生成的四氟化硅会进一步与氢氟酸反应生成可溶性的络和物六氟硅酸。 ][SiFH2HFSiF 624总反应式为5.PECVD PECVDPlasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等离子增强化学气相沉积” 。它是借助等离子体使含有薄膜组成原子的气态物质发生化学反应，而在基片上沉积薄膜的一种方法。PECVD的反应过程PECVD的作用在太阳电池表面沉积深蓝色减反膜 SiNxHy 膜。其还具有卓越的抗氧化和绝缘性能，同时它们的离子以及CF,CF,,CF,CFCF 23e4O2H][SiFH6HFSiO 262224335034 H12Ni43 SNHSiH ℃等离子体HSiHSiSSiH ℃ 6HiH3 32233504等离子体HNNNH ℃ 3HH2 223503等离子体具有良好的阻挡钠离子、掩蔽金属和水蒸汽扩散的能力；它的化学稳定性也很好，除氢氟酸和热磷酸能缓慢腐蚀外，其它酸与它基本不起作用。SiNxHy 膜作用优良的表面钝化效果高效的光学减反性能（厚度和折射率匹配）低温工艺（有效降低成本）体内的氢钝化6.背电极印刷在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极使用浆料是银铝浆7.背电场印刷在太阳电池背面丝网印刷铝浆通过烧结穿透背面 PN结和 P 型硅形成良好的接触8.前电极印刷在太阳电池正面丝网印刷银浆，形成负电极正面电极有主栅线和副栅线组成9.分选检测通过模拟太阳灯光照射到电池片表面测试太阳电池的电性能参数光强 1000W/m 2 光谱分布 AM1.5 电池温度 25℃太阳电池电性能参数 Isc、 Voc、 Imp、 Vmp、 Pmax、 Rs、 Rsh、 FF 短路电流（ Isc）理想情况下，等于光生电流 IL。影响因素面积、光强、温度125 太阳电池 5A 左右 156 太阳电池 8A 左右开路电压（ Voc）影响因素光强、温度、材料特性晶体硅太阳电池 600mV 左右填充因子（ FF）最大输出功率与开路电压和短路电流乘积之比FFPm/V OCISCVmIm/V OCISC 影响因素串联电阻、并联电阻转换效率（ η ） PinVmIm