AZO+薄膜的制备和性能研究及其在CIGS+太阳能电池中的应用.pdf-solarbe文库

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硕士学位论文AZO 薄膜的制备和性能研究及其在CIGS 太阳能电池中的应用THE MANUFACTURE AND PERFORMANCE OF AZO THIN FILMS AND THE APPLICATION IN THE THIN FILM CIGS SOLAR CELL 贺凡哈尔滨工业大学2011年 6 月国内图书分类号 TB34 学校代码 10213 国际图书分类号 539 . 密级公开工学硕士学位论文AZO 薄膜的制备和性能研究及其在CIGS 太阳能电池中的应用硕士研究生贺凡导师翁履谦教授副导师肖旭东教授申请学位工学硕士学科材料学所在单位深圳研究生院答辩日期 2011 年 6 月授予学位单位哈尔滨工业大学Classified Index TB34 U.D.C 539Dissertation for the Master’ s Degree in Engineering THE MANUFACTURE AND PERFORMANCE OF AZO THIN FILMS AND THE APPLICATION IN THE THIN FILM CIGS SOLAR CELL Candidate He FanSupervisor Prof.Weng LvqianVice Mentor Prof.Xiao XudongAcademic Degree Applied for Master of EngineeringSpeciality Materials ScienceAffiliation Shenzhen Graduate School Date of Defence June, 2011 Degree-Conferring-Institution Harbin Institute of Technology哈尔滨工业大学工学硕士学位论文I 摘要在当今世界能源危机日益严重的形势下，人们对太阳能电池的研究取得了很大的发展。高质量的太阳能电池，特别是薄膜太阳能电池，其性能强烈的依赖于作为窗口电极的透明导电膜层的性能。目前 ZnOAl 透明导电材料以其自身的一些优势成为了太阳能电池窗口层最常用的材料。因此，与太阳能电池的制备工艺整合起来研究 AZO 透明导电薄膜的制备工艺，对于太阳能电池光转化效率的提高和整个光伏产业的发展具有重大的意义。本试验采用射频磁控溅射法，以 2wtA1 2O3 的 ZnO 靶材在玻璃衬底上制备AZO 薄膜，分别研究溅射气压、溅射功率、衬底加热温度以及薄膜厚度对薄膜光电性能的影响，同时，考虑这些制备参数在应用于 CIGS 太阳能电池时的适用范围，并将 AZO 薄膜的制备与 CIGS 太阳能电池制备工艺整合起来，研究薄膜性能对电池性能的影响。在 AZO 薄膜的制备与性能研究中，我们以电学性能为参照标准，得出最佳溅射气压为 0.05Pa，最佳溅射功率为 750W，最佳衬底加热温度为 220℃ 。在最佳制备工艺参数条件下，所制备的 AZO 薄膜的方块电阻最低为 6.005Ω /sq，电阻率最低为 5.9 10-4Ω· cm，迁移率最高为 20.3cm2/V · S，同时，可见光区范围内透过率为 87.5。在对溅射气氛中掺氢制备的 AZO 薄膜的研究中发现，用高铝含量的ZnO 靶材掺氢后制备的 AZO 薄膜其光电性能，尤其是近红外波段的光透过率并没有提高，这可能是因为靶材中铝的含量已经很高，导致薄膜中的载流子浓度依然很高，所以近红外波段的自由载流子吸收依然很高，氢的掺杂起不到降低光吸收的作用。我们将 AZO 薄膜的不同制备工艺应用于 CIGS 薄膜太阳能电池，来研究 AZO薄膜的制备工艺对电池性能的影响。结果显示，过高的溅射功率和衬底加热温度会使电池的性能受到损坏。最终，我们优化出应用于 CIGS 薄膜太阳能电池窗口层的 AZO 薄膜的最佳制备工艺参数为溅射气压 0.05Pa、溅射功率 750W、衬底加热温度 160℃、薄膜厚度 700nm。改进电池吸收层的制备工艺后，以此工艺沉底电池窗口层，获得的电池效率最高达到了 14.2。关键词 AZO 薄膜；射频磁控溅射； CIGS 太阳能电池哈尔滨工业大学工学硕士学位论文II Abstract Great development of the research of solar cell has been achieved at the situation of today s world energy crisis increasing seriously. The performance of the high quality solar cells, especially for thin film solar cells, strongly depend on the performance of the transparent conductive film of window electrode layer. Because some its own advantages, ZnOAl transparent conductive film has been the most commonly used material of the window layer of solar cell. Therefore, associating with the study to the manufacture technics of ZnOAl transparent conductive film, manufacture technics of solar cells has great significance for the increase of the transform efficiency of the solar cells and the development of the photovoltaic industry. ZnO target contained 2wtA12O3 was used to prepare the AZO thin films on glass substrate by the radio frequency magnetron sputtering. The relationship between the electrical and optical properties of the thin films and the preparation process conditions have investigated. Moreover, the preparation process parameters of the AZO thin films has been considered under the situations of the preparation process conditions of the CIGS thin films solar cell. In addition, the performance of the solar cells influenced by AZO thin films has been studied. The electrical properties of AZO thin films was used as reference standards to drawback the preparation process conditions of the films. Finally, the optimum preparation process conditions was achieved at 0.05Pa sputtering pressure, 750W sputtering power and 220 substrate temperature. In the optimum conditions℃ , the square resistance of the AZO thin films is 6.005 Ω /sq, the resistivity is 5.9 10-4Ω· cm, the mobility is 20.3cm2/V· S, and the transmittance is 87.5 at the wavelength of visible range.When H added in the sputtering atmosphere, AZO thin films prepared by high aluminium content of ZnO target didn t show improvement in electrical and optical properties, especially in the transmittance at the wavelength of near infrared area. One possible reason is that the high aluminum content in target results in the high carrier concentration in the film and the high absorption in near infrared area so that the H doping can’ t lower the optic absorption. Different preparation process conditions of AZO thin films were used in the preparation of CIGS solar cells to study its influence to the performance of the cells. 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文III And the result showed that exorbitant sputtering power or substrate temperature may cause the damage of the solar cell. Finally, a optimum preparation process conditions of AZO thin films used for the window layer of CIGS solar cells was obtained at 0.05Pa sputtering pressure, 750W sputtering power, 160 substrate temperature℃ , and the thickness of the AZO film was 700nm. After improving the preparation process conditions of the absorption layer of the cells, deposited the window layer AZO films at its optimum preparation conditions, a transformation efficiency of 14.2 of the cells was achieved. Keywords AZO thin films, radio frequency magnetron sputtering, CIGS solar cells 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文IV 目录摘要 .I Abstract .II 第一章绪论 1 1.1 课题研究的来源及背景 1 1.2 AZO 透明导电薄膜概述 2 1.2.1 透明导电薄膜简介 . 2 1.2.2 ZnO 材料的结构特征 3 1.2.3 ZnO 材料的基本特性 3 1.2.4 AZO 薄膜的导电机理 . 4 1.2.5 AZO 薄膜的研究进展状况 . 5 1.3 AZO 薄膜在 CIGS 太阳能电池中的应用 6 1.3.1 CIGS 太阳能电池简介 6 1.3.2 AZO 薄膜在 CIGS 太阳能电池中的作用 . 9 1.4 AZO 薄膜的制备 10 1.4.1 磁控溅射法简介 . 10 1.4.2 AZO 薄膜的射频磁控溅射法制备 11 1.5 课题研究的内容、目的及意义 . 12 1.5.1 课题研究的内容 . 12 1.5.2 课题研究的目的和意义 . 13 第二章试验方法与过程 15 2.1 溅射镀膜装置 . 15 2.2 溅射材料 . 15 2.3 玻璃衬底的清洗与处理 16 2.4 试验参数与过程 16 2.5 样品分析 . 18 第三章结果与讨论 20 3.1 制备工艺参数对 AZO 薄膜性能的影响 . 20 3.1.1 溅射气压对 AZO 薄膜性能的影响 20 3.1.2 溅射功率对 AZO 薄膜性能的影响 23 3.1.3 衬底加热温度对 AZO 薄膜性能的影响 26 3.1.4 厚度对 AZO 薄膜性能的影响 . 29 3.2 AZO 薄膜的形貌 31 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文V 3.3 掺氢 AZO 薄膜的性能研究 33 3.4 AZO 薄膜对 CIGS 太阳能电池性能的影响 35 结论 40 参考文献 42 哈尔滨工业大学学位论文原创性声明及使用授权说明 46 致谢 47 哈尔滨工业大学工学硕士学位论文1 第一章绪论1.1 课题研究的来源及背景随着未来全球人口的持续高速增长，以及各种高能耗产业的发展，人类社会的生存和发展对于能源的需求越来越高，越来越紧迫，能源已经成为可以左右国家与人类命运的关键。但是地球上石油资源日益枯竭，原油价格不断飙升，能源以及环境危机对人类的挑战越来越严峻并将长时间持续。这使得人类对于清洁可再生新能源的需求迫在眉睫，包括我国在内的许多国家都提出和制定了各自的可再生能源的发展目标，这其中光伏太阳能电池技术具有最为广阔的发展与应用前景 [1] 。对于高质量的太阳能电池，特别是薄膜太阳能电池，其性能强烈的依赖于作为窗口电极的透明导电膜层的性能 [2] 。因此，对于透明导电薄膜的理论研究和制备工艺研究，对太阳能电池光转化效率的提高和整个光伏产业的发展具有重大的意义。对于太阳能电池来说，作为其窗口层的透明导电薄膜应该满足以下几个方面的条件（ 1）具有极低的电阻率，以满足其作为电池前电极传导电流的要求。（ 2）在工作波段范围内具有高的透过率，尽可能的减少入射太阳光的损失，以满足电池吸收层对光的充分利用。（ 3）性能稳定，以保证电池具有长时间的使用寿命。（ 4）材料易得，成本低廉。目前 ,太阳能电池窗口层所使用的透明导电材料一般为宽禁带的氧化物半导体材料，如掺杂的氧化铟，氧化锡以及氧化锌等。综合以上几点要求，掺铝氧化锌 ZnOAl 透明导电材料以其低成本，环保无毒，以及在氢等离子体还原气氛中具有高的稳定性等特点 [3] ，在太阳能电池特别是基于 CdTe、 CuInSe2 和 CuInS2 体系的薄膜异质结太阳能电池制备应用中占有统治性的地位 [4] 。本课题主要研究通过溅射参数的优化控制，实现高质量大尺寸均匀性质的ZnOAlAZO 透明导电薄膜沉积，并将溅射制备 AZO 薄膜的步骤整合到整个CuInGaSe2CIGS太阳能电池流程中去，以此辅助形成完整的 CuInGaSe2 太阳能电池生产流水线。此研究课题属于导电透光薄膜领域，研究结果将可帮助提高CuInGaSe2 薄膜太阳能电池的效率，加快其生产向产业化迈进。哈尔滨工业大学工学硕士学位论文2 1.2 AZO 透明导电薄膜概述1.2.1 透明导电薄膜简介透明导电氧化物（ TCO）薄膜因为其极低的电阻率以及在可见光区内高的透过率等优异的光电性能，在许多领域和各种光电器件中得到了广泛的应用 [5] ，例如， TCO 薄膜可以用来做平面显示器的透明电极，飞机、汽车等交通工具的挡风玻璃，高层建筑的视窗玻璃，电磁波的屏蔽罩，接触式控制板，温室玻璃以及太阳能电池的窗口层等。最早的 TCO 薄膜出现在 20 世纪初， Badeker 在 1907 年制备出了最早的 TCO薄膜 CdO 透明导电膜。 20 世纪 50 年代前后， In2O3 基和 SnO2 基透明导电膜开始兴起。到了 20 世纪 80 年代初期， ZnO 基透明导电膜开始出现并得到不断发展。到目前为止，人们已经发展了数十种透明导电薄膜材料，归纳起来主要有以下几类 [6] （ 1）金属材料薄膜 Au， Ag， Cu， Al ， Rh， Pt， Pd， Cr （ 2）氧化物半导体薄膜 ZnO， In2O3， SnO2， TiO2， CdO， CdIn2O4， ZnSnO4，CdSnO4（ 3）导电氮化物薄膜 TiN， HfN ， ZrN （ 4）导电性硼化物薄膜 LaB4目前商业使用的透明导电薄膜材料基本上是掺锡氧化铟 ITO ，这主要是因为ITO 薄膜具有低电阻率、高可见光透过率等优良的光电性能，以及其硬度高、耐碱耐潮，易于刻蚀加工，并且技术成熟。但是 ITO 材料价格较高，并且具有一定的毒性 [7] ，这制约了 ITO 材料的长远发展和应用，因此，近年来各国的科研工作者们都在不断地寻找其它材料来替代 ITO 材料。其中氧化锌、氧化锡等材料的研究较多并取得了一定的发展。纯的氧化锌材料的电阻较高，而且在高温环境中其电阻也不稳定，但是掺杂的氧化锌材料具有很大的优势。掺杂的氧化锌材料中人们研究最多的就是掺铝氧化锌 AZO 材料， AZO 材料与 ITO 材料相比其优点主要有以下几个方面 [8] 1不含有铟等稀有元素，在自然界中数量很多并且价格较低；2ITO 材料中的重金属元素含有毒性，而 AZO 材料不含有毒性； 3AZO 材料在氢等离子体中很稳定。由于 ZnO 薄膜具有这些重要的优势，各国的研究人员对它的性能和制备工艺进行了大量的研究工作，取得了很多重要的成果，并且在一些领域里也得到了一定程度的应用，这使得 ZnO 薄膜取代 ITO 薄膜成为新一代透明导电薄膜材料成为了可能。哈尔滨工业大学工学硕士学位论文3 1.2.2 ZnO 材料的结构特征氧化锌是一种典型的 Ⅱ -Ⅵ族化合物半导体，室温下它的禁带宽度约为3.37ev，为直接带隙宽禁带半导体材料。自然界中存在着三种 ZnO 的晶体结构 [9] ，分别为六方纤锌矿结构、立方岩盐结构和立方闪锌矿结构。其中，立方岩盐结构的 ZnO 只有在高压条件下才能获得，立方闪锌矿结构的 ZnO 只能在六方结构的衬底上稳定存在，而六方纤锌矿结构的 ZnO 具有最稳定的热力学晶体结构，因此自然界中 ZnO 最主要的存在形式就是六方纤锌矿结构。图 1-1 为 ZnO 晶体六方纤锌矿结构示意图。图 1-1 ZnO 晶体六方纤锌矿结构示意图ZnO 的六方纤锌矿晶体结构具有六方对称性，其原子堆积最紧密，属于 C46v或 P63mc 空间群，晶格常数为 a0.32496nm， c0.52065nm。 ZnO 晶体结构中， Zn原子和 O 原子各自组成一个六方密堆积结构，同时，每四个 Zn 原子以一个 O 原子为中心形成一个四面体，每四个 O 原子也以一个 Zn 原子为中心形成一个四面体，其化学键处于共价键和离子键的中间状态。 ZnO 的晶体结构由 Zn 原子层和O 原子层堆积而成， Zn 原子层和 O 原子层形成双原子层，每个原子层都是（ 001）晶面，其密排面也是（ 001），并且 Zn 原子层和 O 原子层按 ABAB 顺序规则堆积，Zn 原子与 O 原子之间在 c 轴方向上的距离为 0.196nm。平衡状态下， ZnO 晶体中的（ 001）晶面是光滑的， ZnO 薄膜在生长过程中有强烈的 c 轴择优取向。1.2.3 ZnO 材料的基本特性哈尔滨工业大学工学硕士学位论文4 作为一种有着广泛用途的薄膜材料， ZnO 材料具有很多特性，具体可以归纳为以下几个方面（ 1）透明导电性。薄膜的光透过性能和导电性能是两个相互制约的性能，导电性能越好，其光透过率就会越低。薄膜的光电性能与薄膜的结晶程度、氧空位数量、化学组成以及能带结构等有着密切的关系 [10] 。 ZnO 薄膜中大量的 O 空位和Zn 间隙原子，以及人为掺杂，使其导电性能大幅度增加，电阻率可以达到 10-4数量级，导电性能良好。另外，由于 ZnO 薄膜的带隙宽度很宽，以及短波吸收较好（短波吸收大约在 380nm 左右），它在可见光波范围内的光透过率平均可高达90以上。 ZnO 薄膜由于其高的光透过率以及良好的导电性能，得到了人们的广泛关注和研究，使得 ZnO 薄膜取代目前广泛应用的 ITO 薄膜成为可能。（ 2）紫外发射特性。在室温下， ZnO 的带隙宽度为 3.37eV，是一种直接宽带隙半导体材料，因此，其激子束缚能比较大，这使得室温下激子能够大量存在。有报道 [11] 称由激子 -激子散射机理引起的受激发现象在温度升高到 550℃时仍可以在 ZnO 中观测到。另有报道 [12] 称在制备 ZnO 薄膜中，衬底加热温度为 600℃ ，氧分压为 2Pa 时，可以得到能发射强紫外光的高质量 ZnO 薄膜。（ 3）湿敏性和气敏性。 ZnO 材料具有湿敏性和气敏性的特点，当它所处环境中的湿度和气体成分发生变化后， ZnO 的某些性能会发生改变，其中最主要的表现就是随着湿度和气体成分的变化， ZnO 材料的电阻率会发生明显的改变。利用这一特性， ZnO 材料可以被用来做成各种湿敏气敏原件和传感器。（ 4）压电特性。 ZnO 材料在电压作用下会发生极化，从而在两端出现电位差，这使得 ZnO 成为了一种良好的压电材料，再加上其性质稳定以及容易制备等优点， ZnO 材料的压电特性已经被应用到了很多领域中，并且达到了实用化的程度 [13] 。1.2.4 AZO 薄膜的导电机理AZO 就是掺入了 Al 的 ZnO。因为 Al 3离子的半径 0.039nm比 Zn2离子的半径 0.060nm小，所以 ZnO 较易实现铝掺杂，在掺杂中铝原子容易占据锌原子的位置成为替位原子。另外，由于铝的外层电子结构为 3s23p1，比 Zn 的外层电子结构 4s2多了一个电子，所以适当的铝掺杂就会使 ZnO 的导电性能增强，因此 AZO薄膜是较为理想的 n 型透明导电材料 [14-15] 。ZnO 在进行铝掺杂时，铝原子容易占据锌原子的位置成为替位原子，由于铝原子是三价的而锌原子是二价的，因此在掺杂中三价的 Al 原子趋向于以 A133e哈尔滨工业大学工学硕士学位论文5 的方式发生固溶，晶格中 Zn2的位置被 A13占据，同时，铝原子的三个价电子中有两个电子与氧结合，形成饱和的化学键，使得另外一个电子不能进入己经饱和的键中而从杂质原子上分离出去，这就形成一个多余的价电子和一个一价的正电荷中心 AlZn 。这个来自于铝原子的多余价电子在获得足够的能量条件下，就可以吸收能量从施主能级跃迁到导带上而成为自由电子。在外加电场的作用下，这些自由电子就能定向运动而形成电流。每个 A13对 Zn2的替换都会提供一个导电电子，增加净电子的数目，因此铝的掺入使得氧化锌薄膜的电导率增加。AZO 薄膜的导电机理可以用下式表示 ZnOxA1 3→ -21 xZn （ Al 3· e） xxZn2 1.2.5 AZO 薄膜的研究进展状况1.2.5.1 AZO 薄膜的国外研究进展状况AZO 透明导电膜由于其良好的光电性能和低廉的制造成本以及性能稳定等优点引起了人们的广泛关注，世界各国的科研人员在对 AZO 薄膜的制备和性能研究上投入了巨大精力，并取得了许多成果，这使得 AZO 薄膜取代目前技术成熟但是价格昂贵并且具有毒性的 ITO 薄膜成为了可能，并且目前已经在许多领域得到了实际应用。国外科研人员对 AZO 透明导电薄膜的研究工作最早开始于 20 世纪 80 年代初期， Chopra K.L. 等人 [16] 最早报道了利用乙酸锌和少量 aic13 的混合溶液热喷涂的方法制备 AZO 薄膜。日本的 Igasaki 等人在蓝宝石衬底上制备了 AZO 薄膜，对薄膜的光电性能的影响因素进行了分析，并证明了 AZO 薄膜属于单晶体薄膜。Gordon R.G.和 Agashe C.等人 [17-18] 对 AZO 薄膜在 360-800nm 波长范围内的光致发光光谱研究中发现，温度对发光位置和发光强度，以及铝掺杂的浓度对发光带都有着明显的影响。南非维特斯特夫兰德大学的 D.R.Sahu 和台湾成功大学的Jow-Lay Huang 等人 [19] 采用电子束蒸发的方法将 AZO 和 Ag 做成交替混合层薄膜，其方块电阻最低可达 5Ω /sq，透过率在 90以上，并且在 500℃时仍能保持很好的稳定性。 D.J.Goya 等人 [20] 在研究溶胶 -凝胶法制备 AZO 薄膜的过程中发现Zn2 浓度的改变会影响薄膜的择优取向性和生长机制。韩国成均馆大学的Young-Sung Kim 和 Weon-Pil Tai[21] 采用溶胶 -凝胶的方法制备出 AZO 薄膜后，研究了后沉积加热温度对薄膜的影响，表明随着后沉积加热温度的升高， AZO 薄膜的 002晶粒取向增强，并且薄膜表面表现出均匀的纳米尺寸的微结构。日本丰桥大学的 A.Wakahara， A.Yoshida 和印度德里大学南校区的 A.V.Singh， R.M.Mehra哈尔滨工业大学工学硕士学位论文6 等人 [22] 采用脉冲激光沉积工艺在康宁玻璃衬底上制备出的 AZO 薄膜，其最低电阻率小于 1.32 10-4Ω cm，最大光透过率为 91。德国布伦瑞克大学的 V.Sittinger，B.Sryszka和 R. J. Hong等人采用磁控溅射的方法在 1000 600mm2大面积衬底上制备出了消光系数小于 2 l0-3，电阻率低于 2.7 10-4Ω· cm，并且均匀性良好的 AZO薄膜。1.2.5.2 AZO 薄膜的国内研究进展状况相对于国外来说，国内对 AZO 透明导电膜的研究起步较晚。但是由于 AZO薄膜具有巨大的发展潜力和应用前景，国内的科技工作者对 AZO 的制备工艺和性能研究也投入了很大的精力。国内对 AZO 的研究工作开始得较早的是中科院金属研究所的闻立时和江健等人 [23] ，他们探讨了 AZO 薄膜制备过程中不同工艺参数对薄膜的组织结构和性能的影响。清华大学的付恩刚和庄大明等人 [24] 采用中频交流磁控溅射法制备了 AZO 薄膜，研究了薄膜的红外反射性能与薄膜厚度、衬底加热温度以及氩分压之间的关系，对制备具有高红外反射率 AZO 薄膜的工艺提供了参考和依据。工程物理研究院的杨晓峰、李强等人 [25] 采用低真空烧结、冷等静压成型以及热等静压烧结技术对 AZO 靶材的制备进行了研究。中南大学周宏明和易丹青等人 [26] 采用溶胶 -凝胶法制备的 AZO 薄膜电阻率为 3.2 10-3Ω· cm，可见光波长范围内平均透过率超过 90％，并研究了溶胶 -凝胶法制备 AZO 薄膜过程中铝掺杂量和退火温度等工艺参数对薄膜的光电性能和微观结构的影响。南京航空航天大学的张惠等人 [27] 采用射频磁控溅射法和氢气退火处理，在石英玻璃上得到了电阻率为 5.1 10-4Ω· cm，迁移率为 23.3cm2V-1s-1，可见光区透过率平均在85以上的 AZO 薄膜，并证明了 AZO 薄膜的禁带宽度会随着氢气退火和衬底温度的升高而变宽。杨田林等人 [28] 首次在柔性有机材料 PPA 上成功制备了 AZO 薄膜，并对在 PPI 和玻璃两种不同衬底上制备的 AZO 薄膜进行了比较研究。北京大学的焦飞和寥成等人 [29] 对 300mm 300mm 大面积 AZO 薄膜的直流磁控溅射法制备工艺进行了研究，得到了定向性好、均匀、致密、电阻率低、透过率高的薄膜，为工业大面积 AZO 薄膜的制备和生产提供了依据。随着国内外科技工作者对 AZO 透明导电膜研究工作的不断深入，相信不久的将来， AZO 薄膜的性能将会更为深入的为人所知，制备工艺很快趋于成熟，从而取代价格昂贵并且有毒性的 ITO 透明导电膜，在很多领域中得到实际应用。1.3 AZO 薄膜在 CIGS 太阳能电池中的应用1.3.1 CIGS 太阳能电池简介哈尔滨工业大学工学硕士学位论文7 1.3.1.1 CIGS 太阳能电池的结构作为新型太阳能电池的一种，薄膜太阳能电池无论是对原材料的需求，还是制作工艺都比硅太阳能电池成本低。薄膜太阳