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电学性能表征 基于 NH 4 2 S 溶液钝化的高效 Sb 2 S,Se 3 太阳电池 董家斌 1 ，陈墨晗 1 ，曹子修 1 ，张毅 1 * 1 南开大学光电薄膜器件与技术研究所，天津薄膜器件与技术重点实验室，天津300350 摘要 实验方法 结论 薄膜表征 u我们报道了利用NH 4 2 S简易的溶液处理方法,有 效地钝化了水热制备Sb 2 S,Se 3 太阳电池表面。 u该策略处理能有效钝化吸收层表面，提高薄膜质 量；还能有效刻蚀掉表面富S的Sb 2 S,Se 3 层，改善 其能带失配问题。 u器件转换效率从7.91提升至9.26，FF从62.2 提升至68.3。 u本研究证明了一种在水热沉积后通过溶液处理改善 Sb 2 S,Se 3 层和Spiro层传输特性的方法。 uNH 4 2 溶液处理可以钝化Sb 2 S,Se 3 薄膜表面，提 高薄膜结晶度，同时该处理能 有效 表面富S的 Sb 2 S,Se 3 层 Sb 2 S,Se 3 膜 S/Se ， 输 有利的能带 度 。 u 化 后， 高转换效率提升至9.26。 控制样的表面SEM 图a断面SEM图b 和接触角c；AS处 理样表面SEM图d 断面SEM图e和接 触角f。 控制样的表面AFM 图g表面电势图h 和AS处理样的表面 AFM图i表面电势 图j。 器件性能 dc b 1μm 500 nm 500 nm CA 84.06 CA 92.97 1μm a b c f e d g h i j a b a b c d e f c 性能分析a、b样品的二极管参数拟合结果,c暗态J-V 曲线,d1/C 2 vsV曲线,eV OC 和入射光强对数lnI的关系, fNyquist图。 器件的光伏性能 a基于硫化铵处理 和无处理器件的J-V 曲线和bEQE谱 图。 统计光伏参数c V OC ,dJ SC ,eFF, fPCE。 e d f ü 用水热沉积法 Sb 2 S,Se 3 薄膜沉积在CdS 。 和¡¢ £ ⁄¥ƒ § currency1 ƒ 和¡“。«用‹件 ›135 o C/110 fi，350 o Cfl 10 fi。 Sb 3 /SbO Se 2- S 2- ü利用–同†度的NH 4 2 溶液‡fl 后的薄膜 ·处理› ¶ ‚在NH 4 2 S溶液„一”时»， 后 其‰ 水¿一”时»， 后用 ´ˆ˜备用。 This work was supported by the National Key RD Program of China 2019YFB1503500, the National Natural Science Foundation of China U1902218.
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