N型晶硅太阳电池用无氧扩散技术研究--南昌大学-solarbe文库

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N型晶硅太阳电池用无氧扩散技术研究张衡杨烁黄海宾* 周浪南昌大学光伏研究院 2020 -11 - 5 江苏 · 无锡 CSPV1 6目录 ⚫N型晶硅电池扩硼技术研究背景 ⚫模拟氧硼扩散结果 ⚫常压有氧气氛、无氧气氛扩散结果 ⚫低压扩散路线及设备简介 ⚫实验结果1-低压扩散两种无氧气氛 ⚫实验结果2BBr 3 /BCl 3 扩散有（形成硼硅玻璃）产线应用硼浆旋涂扩散有（形成硼硅玻璃）未获得产线应用硼离子注入源层无未获得产线应用无氧扩散源层无，气氛无研发中（本团队） P-N结 N型晶硅电池扩硼技术研究模拟氧硼扩散结果常压有氧气氛、无氧气氛扩散常压无氧气氛XPS 常压有氧气氛XPS 结论常压无氧扩散，解决了氧进入扩硼层的问题（但导电性无明显改善） 97 171制备掺杂非晶硅源层无氧扩散推结去除源层低压无氧扩散路线及设备简介Reference 实验结果1-低压扩散两种无氧气氛氧浓度曲线硼浓度曲线 ➢扩散过程中无氧的引入 ➢样品掺杂浓度曲线较为陡峭（接近突变结） ◆扩散片氧、硼掺杂浓度曲线（SIMS）实验结果1-低压扩散两种无氧气氛Atmosphere Ⅰ Atmosphere Ⅱ ◆两种不同气氛方阻对比 ➢ 三组温度序列下均为Atmossphere Ⅱ样品方阻值更优 ➢ 且Atmossphere Ⅱ相对于Atmossphere Ⅰ方阻更加均匀 At m o s ph er e Ⅰ At m os ph er e Ⅱ Reference N/cm 3 6.010 19 8.010 19 4.110 19 µ（cm 2 /Vs） 51.1 49.5 52.3 Sheet resistenceΩ/□ 68 55 97 实验结果1-低压扩散两种无氧气氛➢ 通过参数的调整，可便捷的获得我们需要的方阻值、结深、掺杂曲线等。实验结果1-低压扩散两种无氧气氛ECV 硼浓度曲线 SIMS 硼浓度曲线 ◆扩散片氧、硼掺杂浓度曲线 ➢低压无氧扩散可获得高的硼激活浓度实验结果2➢ 1000 ℃为当前较优温度实验结果2总结 ➢ 低压无氧扩散得到无氧扩硼层 ➢ 通过工艺参数的改变可以得到可控的方阻及理想的掺杂浓度分布突变结谢谢关注指导老师黄海宾电话135 7690 6107 Emailhaibinhuangncu.edu.cn 周浪电话130 6516 3492 Emaillzhouncu.edu.cn

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