黑硅的形貌结构对晶体硅电池性能影响研究-姬濯宇-solarbe文库

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黑硅的形貌对晶体硅电池性能影响研究陕西，西安， 2018 CSPV， 2018年 11月 8-10 姬濯宇 *、孙恒超、高志博、姜伟、贾锐 * Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences, Beijing, China 中国科学院微电子研究所中科立晟新能源技术有限公司中科信电子装备有限公司 2018-11-10 jizhuoyuime.ac.cn / jiaruiime.ac.cn 1、中科院微电子所黑硅工艺介绍 2、中科院微电子所黑硅电池 3、黑硅结构对电池性能造成的影响 4、结论提纲中科院微电子所黑硅研究历史这个过程也是对黑硅工艺和黑硅电池的光电转换不断深入的一个过程无 Ag 无金属陷光技术，是提升电池效率的有效途径 Cu一步法黑硅绒面 结构和 Ag高度相似 制程简单 废液容易处理 添加剂种类少 2种 尺寸 700-1100nm 丘陵状小突起 200-500nm 纳米结构金字塔 200-600nm 平躺三角锥形 1000-2000nm 亚微米弹坑形 500-800nm 无金属催化方法黑硅 300-1000nm独立创新局部放大 1、中科院微电子所黑硅工艺介绍 2、中科院微电子所黑硅电池 3、黑硅结构对电池性能造成的影响 4、结论提纲不同结构尺寸的单晶倒金字塔黑硅大小均匀不同条件处理的单晶倒金字塔黑硅反射率最低加权平均反射率为 4.5 单晶黑硅片无色差单晶黑电池片无色差 1、中科院微电子所黑硅工艺介绍 2、中科院微电子所黑硅电池 3、黑硅结构对电池性能造成的影响 4、结论提纲编号是否进行黑硅制绒后处理中 HNO3 HF H2O2H2O 腐蚀时间 C1 无黑硅 C2 有黑硅 C3 有黑硅 1531 20 1min C4 有黑硅 1531 20 3min C5 有黑硅 1531 20 6min 黑硅后处理工艺对于电池性能的影响。对相同的黑硅结构进行不同时间的后处理， C1常规酸制绒后的金刚线切割的多晶硅片表面； C2黑硅表面； C3黑硅后，后处理 1min； C4黑硅后，后处理 3min； C5黑硅后，后处理 5min。黑硅太阳电池的制备及性能分析结论 1. 黑硅虽然都可以达到陷光的目的，但不同的结构陷光机理不同； 2. 黑硅的后处理工艺，对于黑硅效率有着显著影响 3.不同的黑硅结构会对电池性能造成显著影响；谢谢 jizhuoyuime.ac.cn / jiaruiime.ac.cn

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