120μm多晶硅太阳电池的研究-何仁-solarbe文库

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光伏技术研发中心报告人何仁河北省光电信息材料重点实验室河北大学光伏技术研发中心河北大学物理科学与技术学院，保定（ 071002） 2018.11.10 120μm多晶硅太阳电池的研究光伏技术研发中心研究背景研究内容结论和展望光伏技术研发中心 Physica Scripta. Vol. T69, 167-169, 1997 A. Hovinen 薄硅（ Solar Energy Materials Solar Cells 143 2015 260–268） Piotr Kowalczewski , Italy 一 .研究背景低效 ≠ 光伏技术研发中心现有薄硅制备工艺及电池效率一览表薄硅电池对硅表面的钝化水平要求更高光伏技术研发中心 50 100 150 200 0.633 0.634 0.635 Voc V Thickn ess μm 二 .研究内容 PC1D模拟实验内容 酸法腐蚀 ----制备薄硅降低成本 改善薄硅陷光结构 -----黑硅提升 JSC 50 100 150 200 8.7 8.8 8.9 9.0 9.1 Isc A Thickn ess μm 光伏技术研发中心 60 80 100 120 140 160 180 575 580 585 590 595 600 Thickness  m Impli ed V oc mV 60 80 100 120 140 160 180 620 630 640 650 660 with pa ssiva tio n Thickness  m Impli ed-V oc mV HNO3 HF H2O 混合溶液低温水浴，降低反应速度添加脱泡剂，使硅表面反应均匀酸法腐蚀 ----制备薄硅薄硅具有更高的开压，对表面钝化水平要求更高 6 7 8 9 10 11 12 13 14 80 90 100 110 120 130  d  m Time m in Tempreture 10   C 光伏技术研发中心 13 cm ,180μm10μm多晶硅丙酮、酒精分别超声 5分钟酸性腐蚀液将硅片减薄到 120μm 去离子水清洗，氮气吹干管式扩散成结线湿法腐蚀对背面和边缘刻蚀去除磷硅玻璃正面生长 SiO2 PECVD在前表面沉积 SiNX 丝网印刷烧结改善薄硅限光结构 -----黑硅 10 μm 黑硅电池实物图光伏技术研发中心光伏技术研发中心光伏技术研发中心三 .结论和展望 1.模拟开压高、电流低；表面钝化要求高； 2.实际表面钝化研究表明钝化技术很重要； 3.120μm电池与常规电池效率持平，开压略高，电流略低 4. Suns-Voc表明薄硅电池能获得更高的开路电压 , 通过优化工艺，有望进一步提高 120μm电池的效率 5.薄硅应用在高效结构的电池上 PERC、 Topcon、 HIT、 IBC电池光伏技术研发中心敬请指正，谢谢

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