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资源描述:
非晶硅窗口层的自然氧化及其对 SHJ太 阳电池性能的改善 中国 西安 2018-11-10 上海微系统所 陈仁芳 主要内容 1. 背景介绍 2. n-a-SiH 薄膜的制备及特性 3. 后氧化窗口层对 SHJ电池的改善 4. 总结 1. 背景介绍 SHJ太阳电池入光面 a-SiH 寄生光吸收无法避免,可通过改 善结构降低其影响; Cat-CVD利用催化热丝分解反应气体(无高能粒子轰击), 通过调节气体流量等实现薄膜结构的调控; 原子 H在气体分解过程中,可以调控 a-SiH 达到短程有序长程 无序结构并钝化悬挂键 → 调控 H2流量 2. n-a-SiH 薄膜的制备及特性 1.氢稀释 RH增加 ,发生晶化; RH6.0,晶粒尺寸 7-12 Å [Appl. Phys. Lett. 69, 2001996] 2. RH6.0,薄膜质量密度明显下降。 不同氢稀释下, 原位沉积薄膜 的结构各异 在器件制备过程中,不同 结构薄膜随环境变化 各异 Si-Hx 原位沉积 自然后氧化 氢稀释 RH增加 ,a-SiH 薄膜氢含量与结构因子均降低; 薄膜发生快速且稳定的自然氧化,且氧化随制备氢稀释的增加而加 剧。 Si-H SiO2 out-of-phase O motion 1. SiO2形成在 a-SiH表面< 2.5nm范围,且高 RH下其含量较高; 2.对于 RH6.0,非标准配位的 SiOx氧化深度> 7nm,接近电池 N型 窗口层厚度 1.高氢稀释下后氧化 RH6.0的薄膜具有更好的短波( 300-600nm) 透光性 2.其电导保持与其他条件同等的数量级水平。 Cells Voc mV Jsc mA/cm2 FF Efficiency Cell-1 RH2.0 742.8 38.06 79.14 22.37 Cell-2 RH6.0 741.4 38.31 80.01 22.73 将发生深度自然氧化的 n-a-SiH 用作 SHJ电池的窗口层,可显著 提升电池的短波( 300-600nm) 的外量子效率 EQE,最大提升可 达 20。因此,电池短路电流密 度 Jsc 显著提升。 效率 Eff.提升。 3. 后氧化窗口层对 SHJ电池的改善 4. 总结 1. 利用 Cat-CVD高氢稀释的条件,制备出自然后氧化的 n-a-SiH 其结构因子低,短波透光性好,电学性能较好。 2.将高氢稀释下自然后氧化的 n-a-SiH薄膜用于 SHJ电池窗口层, 电池短路电流密度及效率显著提升。 Thanks for your attention
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