激光掺杂及相关损伤研究-杨宁-solarbe文库

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2018第十四届中国太阳能级硅及光伏发电研讨会激光掺杂及相关损伤研究华东理工大学新能源材料与器件课题组杨宁 2018-11-09 目录 1.激光与选择性发射极 2.激光磷掺杂 3.激光硼掺杂 4.总结激光与选择性发射极掩膜激光技术电镀技术对准技术激光 /SE 刻槽埋栅电镀 /化学镀激光刻蚀对准激光掺杂对准选择性发射极（ SE,selective emitter）  光吸收区轻掺杂，减少复合；  电极区重掺，降低接触电阻。刻槽埋栅电镀 /化学镀激光刻蚀对准以发射极制备形成的 PSG/BSG或者其他固 /液态源作为掺杂源，工艺简单。激光与选择性发射极光斑形状由圆形转变成方形，光斑重叠率降低。光斑形状圆形光斑高低重叠率均无法实现均匀掺杂。方形光斑零重叠率可实现均匀掺杂。激光磷掺杂以 POCl3扩散后形成的 PSG作为掺杂源，零光斑重叠率时，激光磷掺杂不会破坏表面金字塔结构。局部重叠零重叠激光磷掺杂激光磷掺杂在不破坏表面绒面的同时实现重掺，可实现 0.24的效率提升。 Voc（ mV） Isc（ A） FF（） Eff（）单晶 PERC 668.2 9.59 81.97 21.50 单晶 PERCSE 676.7 9.59 81.81 21.74 激光硼掺杂以丝印纳米硼墨作为激光掺杂源激光硼掺杂激光掺杂致使硅片表面、体内存在大量缺陷。 3 m/s 4 m/s 5 m/s 多孔硅位错激光硼掺杂硅片熔化后重新结晶时，部分硅材料以非晶态的形式存在。拉曼特征峰晶态 520 cm-1；界面态 500 cm-1；非晶态 480 cm-1 。 3 m/s4 m/s 5 m/s 激光硼掺杂超过 11.13的硅材料激光掺杂后以非晶态的形式存在。总结 1. 激光磷掺杂，以 PSG作为掺杂源，激光磷掺杂在不改变表面绒面结构的同时可以实现重掺，通过附加 SE工艺，可以将 PERC电池效率提升 0.24； 2. 激光硼掺杂，以丝印纳米硼墨作为硼掺杂源，能够实现 1E21的超高掺杂浓度，但是会有大量孔洞、位错等缺陷，同时部分硅材料激光掺杂后以非晶态的形式存在。谢谢

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