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高效晶硅PERC电池产业化 技术的现在和未来 张忠卫 博士 Dr.Zhang Zhongwei 首席技术官/CTO 苏民新能源科技有限公司 苏民新能源简介  高效晶硅电池产业化进展  高效PERC电池产业化技术发展趋势  总结 纲要 苏民新能源简介  高效晶硅电池产业化进展  高效PERC电池产业化技术发展趋势  总结 纲要 53.7 5GW 3GW 10 1.2GW PERC N 6.2GW AGV 1. PERC PERC 2. N HIT 3. AOI EL MES 24 100 4.0 AOI / EL ECV QE SEM WCT120 苏民新能源简介  高效晶硅电池产业化进展  高效PERC 电池产业化技术发展趋势  总结 纲要苏民产品特色 250 260 270 280 290 300 310 320 黑硅5BB 黑硅PERC5BB 双面黑硅PERC5BB 黑硅PERC12BB 双面黑硅PERC12BB 黑硅PREC12BB半片 多晶PREC 叠瓦 多晶产品系列 组件功率W ) 270 280 290 300 310 320 330 340 单晶5BB 单晶PERC5BB 双面单晶PERC5BB 单晶PERC12BB 双面单晶PERC12BB MBB 半片 叠瓦 单晶产品系列 组件功率W )  兼 容 性好 自主设 计的单 多晶制 绒设备 ,兼容 单多晶 电池工 艺;  全 面 检测100 EL 、AOI 检验, 保证产 品质量 可 靠性;  可 靠 性高LID free 、LeTID free 、PID free ;  中 高 端功率 全覆盖 多 晶产品 实现275W--305W 功率 范围全 覆盖, 主 打 产 品多晶PERC 系列285W 以上; 单晶产 品实现290W 315W 功 率范 围 全 覆盖 , 主打 产 品单 晶PERC系列305W 以上。 SE 技术,MBB 技 术,双 面电池 技术,MWT 技术, 并结合 掺镓 wafer 、 薄片、 大尺寸wafer 和细 密栅 设 计等 , 提高 电 池输 出 功 率 和 稳定性 ,提升 产能、 良率, 最终提 升性价 比。 PERC PERC PERC PERC Cell Eta ( ) Voc V Jsc mA/cm² FF 多晶PERC 20.40 0.663 38.270 80.40 多晶双面PERC 20.30 0.662 38.220 80.24 单晶PERCSE 22.10 0.680 40.275 80.70 单晶双面ERCSE 22.03 0.678 40.245 80.77 单多晶PERC电池产线性能 特点  低 压 扩 散、热氧化退火技术,提高开压,PID性能优异;  半 片 整 片统 一设 计, 兼容 整片 和半 片组 件工 艺;  独 特 的 低反射制绒工艺路线设计,兼容单多晶硅片制绒;  SE高 方阻细厚密栅 技术;  独 特 的 抗光衰(LeTID\TID )技术。铸锭单晶电池 创新点  单多晶制绒工艺相结合,保证优异的电池外观;  独 创 的 热处理工艺和电注入技术 ,保证铸锭单晶的效 率 提 升 ,降低光照衰减;  叠加PERC 技术,推升效率提高1以上,兼容SE工艺;  全线兼容157.75尺寸铸锭单晶硅片,面积提高约2 。 铸 锭 单晶 兼 顾 两 者的 优点 直拉单晶 位 错 密 度低、转换效率高 普通多晶 高 产 能 、低 封装 损失 Cell Eta ( ) Voc V Jsc mA/cm² FF 铸锭 单晶 21.55 0.666 40.032 80.83单多晶PERC MBB双面 创新点  半片图形设计,兼容整片 、半片 组件工 艺;  叉状图形 背面镂空设计 ,降低 电池焊 接隐裂 ;  兼容双面电池工艺,提高整 体功率 输出10 以 上。 Cell Eta ( ) Voc V Jsc mA/cm² FF 多晶 PERCMBB 20.60 0.665 38.488 80.49 多晶双面 PERCMBB 20.50 0.664 38.265 80.29 单晶 PERCMBB 22.25 0.680 40.420 80.96 单晶双面 PERCMBB 22.15 0.678 40.322 81.03 PERCMBB PERCMBB PERCMBB PERCMBB多晶PERC-MWT电池 Cell Eta ( ) Voc V Jsc mA/cm² FF Irev2 多晶 PERC- MWT 20.7 0.662 39.185 79.94 0.097 创 新 点  156.75mm-158.75mm 兼 容集 成 ,灵 活 切换 ;  独 特 的水膜 覆盖和 背抛技 术,改 善电池 的正 背 面 性能;  优 良 的背 钝 化技 术 和绝 缘 隔离 技 术, 保 证了 电 池 的逆电 流在0.1A 以下 (-12V ) ,与常 规多晶PERC 电池相 当。 苏民新能源简介  高效晶硅电池产业化进展  高效PERC电池产业化技术发展趋势  总结 纲要PERC电池将未来一段时间内主导行业发展 PERC 电池市 场占有 率不断 攀升;  电 池 转换效 率屡创 新高。 0 40 80 120 160 200 2017 2018 2019 2020 2021 2022 电池片产能预估,unitGW Thin Film N-type Mono P-type Mono PERC P-type Mono Mluti PERC Mluti PVInfoLink 量产 目标 Eta ( ) Voc V Jsc mA/cm² FF 单晶 PERC 23.0 0.690 41.0 81.4高质量WaferSE 金属 化方案 钝 化技术 减 反射设 计,产 线平均效率达到单晶23 、铸 造晶22 以 上的转 换效率 。 技术突破方向- 理论分析 SE 金属化 MBB 高质量 Wafer 钝化技术 减反射 Mono SE 金属化 MBB 长晶技术 钝化技术 减反射 Poly技术突破方向- 理论分析 ISFH 以P 型硅片叠加POLO-IBC电池技术,效率达到 26.1。说明在P-type wafer 的基础上做产品的进一 步升级优化有较大潜力。技术突破方向- 理论分析 理 想 太阳电 池结构 基 体 无缺 陷; 接 触 选择 性接触 ; 表 面 状况 良好 的 钝化 ; 光 吸 收低 反射率 。 功 率 损失 复合 B-O 、金 属杂 质 等SRH 复合 损失;  发 射 极复 合 损失 ;  背面LBSF 复 合损失 。 电阻  发 射 极横向 传输电 阻损失 ;  背面Al/Si 接触 电阻 损 失。技术突破方向1- 高品质硅片 关 键 点 掺Ga 硅 片 光 衰 较 低 , 更 适 合 高 效 电 池 的 制 造 ; 杂 质 缺陷 、 位错 、 氧含 量 的控 制 ; 低 硅 片 电 阻 率 及 其 窄 收 敛 性 范 围 的 有 效 控 制 ; 铸 锭 技术和 拉晶技 术的革 新 。技术突破方向2- 正面SE技术 SE增益 化0.3 PSG 量的 一步 化控制; 密 SE 的精确 位; SE 射极 性 化技 。技术突破方向3- 新型背钝化 正面栅线 SiNx 减反射层 超薄AlOx 钝化层 p 扩散发射极 n 型硅片 超薄隧穿SiO 2 磷掺杂n 型硅薄层 背面金属电极 研 究 单位 硅片 面积cm² 效率 V oc (mV ) J sc mA/cm² FF 年份 Fraunhofer n-FZ 4 25.7 724.9 42.5 83.3 2017 Fraunhofer n-FZ 100 22.9 694.0 40.8 81.0 2017 GA Tech/Suniva n-Cz 239 21.2 683.4 39.7 78.1 2016 Fraunhofer n-mc 4 22.3 672.6 40.8 79.7 2017技术突破方向3- 新型背钝化 正面 ITO 磷掺杂n 型微晶硅 超薄隧穿SiO 2 P 型硅片 超薄隧穿SiO 2 P 掺杂微晶硅 银电极 关 键 点  P 区 超薄SiO2 钝 化层的 制备及 隧穿控 制;  P 区 非晶 硅or 多 晶硅层 的制备 技术;  P 掺杂 剂的 选择 及 沟道 效 应控 制  金 属 化方案 的挑战 ;  电 池 正面Topcon 技 术的评 估及如 何实现 SiNx SiO 2 超薄 化 N-Emitter 超薄隧穿SiO 2 P 掺杂多晶硅 银电极 P 型硅片 正面 技术突破方向4- 先进减反射设计 关 键 点  无 损 伤倒 金 字塔等 精确 陷 光 结构 如 何实 现 如 何 解 决环保 问题  与 陷 光结构 匹配的 减反 射 膜 如何制 备技术突破方向5- 先进金属化 关 键 点 MBB 优 化 设计; 高 阻 细厚 密 栅设 计 、浆 料 升级 及 印刷 方 式革 新 ; 新一代Floating paste ( 非烧穿 型浆料 )的突 破。 AB Floating Package With extra Voc gain from busbar关 键 点 单晶 1 6 0 μ m , 多晶 1 7 0 μ m 逐 渐成 为 趋势; 批 产 装备的 适应性 技改、 自动化 装备和 碎片率 的控制 ; 表 面 复合需 进一步 优化, 平衡性 能与成 本; 背 反 射技术 的创新 ,双面 电池正 背面综 合优化 。 技术突破方向6- 薄片化技术突破方向7- 无接触传输 接触传输 优势  自动化成本低,设备制作 简单;  易操作。 劣势  碎片率高;  Wafer与 皮带或 滚轮有 相对摩 擦;  Wafer或 电池 易 被交 叉 脏污 ;  影响电池转换效率;  影响电池EL良率。 随着PERC电池转换效率不断提高、良率的不 断提升,无接触传输技术迫在眉睫S N N a - c - b - d - e - f - g - 技术突破方向7- 无接触传输技术突破方向7- 无接触传输 气体传送硅片系统原理图 无接触传输可有效降低EL不良比例 优化 苏民新能源简介  高效晶硅电池产业化进展  高效PERC电池产业化技术发展趋势  总结 纲要总结  P 型 电池PERC 技 术在 未 来一 段 时间 内 仍是 光 伏电 池 的主 流 产品 ;  建立P 型 单晶23 , 铸造 晶 硅22 的产 业化 技 术 路线 图;  SE 技术 、双 面电池 技术已 逐渐成 为PERC 电池产 线标配;  高品质硅片 、 金属化 、 表 面 钝 化 技 术 ( Topcon 、POLO ) 和 精 确 陷 光 减 反 射 等 先 进 技 术 的 应 用 会 进 一步提 高PERC 电池的 转换效 率;  无 接 触传输 技术可 以使PERC 电池 批产电 池效率 和良率 再提高 一个层 次;  苏 民 新能源 智能化 产线兼 容铸锭 单晶电 池 ,单 多晶MBB 电池 ,MWT 电 池及叠 瓦电池 等产品 工艺;  苏 民 新 能 源 拥 有 先 进 的 单 多 晶PERC 单面电池 、 双面电池、 铸 锭 单 晶 及 大 尺 寸 电 池 生 产 线 , 力争 成 为 行业前 三甲专 业电池 品牌供 应商 。 Thank you for your attention
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