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---艾佩科（上海）气体有限公司徐学强 2019年 6月 5日半导体隧穿钝化技术中的工艺气体 1 TOPCon/隧道氧化层钝化接触 TOPCon技术是在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，二者共同形成了钝化接触结构。 2 我们的关注 1. 硼扩散 2. 扩散清洗 3. ALD沉积 Al2O3 4. SiNx层 5. 多晶硅膜 6. 原位掺杂源 3 1.1 硼扩散的关键工艺气体 ---三溴化硼 /BBr3 4 三溴化硼为无色或稍带黄色的具有强烈刺激臭味的发烟液体。电子级三溴化硼用于半导体集成电路、太阳能电池、半导体分离器件等行业中作为 P型掺杂源，通过热扩散对晶体硅进行 P型掺杂。是制造 N型电池的主要原料。在恒温器中，通过鼓泡形式，掺杂硼源。三溴化硼还是制造高纯硼及其他有机硼化物的原料。 1.2 硼扩散的关键工艺气体 ---BCl3/三氯化硼无色发烟液体或气体，有刺激性酸味，遇水分解生成氯化氢和硼酸，熔点 -107.3℃ 沸点 12.5℃ 。可用以制造高纯硼、有机合成用催化剂、硅酸盐分解时的助熔剂、可对钢铁进行硼化，半导体的掺杂源，合金精制中作为除氧剂、氮化物和碳化物的添加剂。还可用来制造氮化硼及硼烷化合物。 5 1.3 BBr3与 BCL3应用上的区别 BBr3 优点常规扩散源，液体，危险性相对低一些；缺点 1, 对石英腐蚀，石英管使用寿命短； 2, B2O3呈黏状，有副产物，需要 DCE去清洗，维护成本高； 3, 自身成本高； BCL3 优点 1, 无腐蚀性（石英管使用寿命大幅延长）； 2, B2O3呈颗粒状，含 CI，带自清洁功能； 3, 自身成本低；缺点 1, 气体，危险性比较高； 2, 扩散均匀性稍差； 6 2. 扩散清洗材料 ---反式 -1,2-二氯乙烯 /DCE 7 无色略带刺激气味液体，易燃。高纯度氯源，主要用于晶圆制造过程中加快硅片氧化和清洗炉管。直接安装在恒温箱内使用，比起传统方式清洗，更加方便快捷，并且降低炉管的损坏率；是太阳能、半导体、分立器件、微机电系统（ MEMS）、光伏制造业所需的电子化学品。与 BBr3一样的石英瓶包装。 3.1 Al2O3沉积材料 ---三甲基铝 /TMA PERC电池使用 PECVD或 ALD机台沉积氧化铝（ Al2O3）钝化膜；在集成电路制造，用于沉积 High-K材料介质薄膜。 14.2kg/22L 72kg/110L 300kg/500L 8 3.2 TMA在 ALD工艺中的应用 9 沉积 Al2O3方法 ALD、 PECVD、 Solgel、 Sputtering； CH33Al O2/O3/H2O Al2O3 表现高质量的钝化性能；机理良好的化学钝化和场效应钝化；其中化学钝化源于降低了表面缺陷密度（ Dit）场效应钝化通过大量在 c-Si/Al2O3界固化了的负电荷 Qf电场屏蔽少数载流子来实现的。 4. SiNx层 ---SiH4NH3制备氮化硅层氮化硅层的影响因素 SiH4/NH3流比、沉积时间、总流量、温度、功率等。 10 5. 多晶硅膜层 --- LPCVD通硅烷生长多晶硅膜硅烷热解原理优点 1，均匀性好； 2，含氧量低； 3，表面不起雾 4，生产量大影响因素温度、硅烷浓度、反应压力 11 6. 原位掺杂源 ---磷烷 /PH3 磷烷无色气体，有蒜臭味，剧毒。 PH3形态纯 PH3； PH3混合气；负压 PH3；来源磷烷气体已经国产化，交货周期及成本均大幅下降； 12 我们的努力 1，品种齐全，尽可能地降低成本 BBr3产能 100t/a BCL3产能 100t/a DCE产能 100t/a TMA供应能力 200t/a （全球最大的 TMA生产线，韩国） 2，品种保证先进的提纯技术和国际最先进的检测设备（ ICP-MS、 GC 、 NMR）。 3，安全保障危化品车队，安全培训，为客户上门换瓶服务。 13 谢谢 14