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本文由 888ronglin 贡献pdf 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT,或下载源文件到本机查看。竺竺兰竺兰翌 t 兰 t 兰垦竺竺兰竺竺竺竺墅。 l一能带不连续性对aSi/cSi(HIT)异质结构 光伏特性的影响①胡志华1,2廖, .g-4h1>-1宏伟。 曾湘波1 徐艳月1 孔光临1中国科学院半导体研究所,北京,1000832云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092摘要本文报道了运用AMPS模拟程序对a SIH,/cSj HIT(heterojunctionthin withanintrinsiclayer)异质结太阳电池数值模拟结果。研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对光伏性能的影响, 并与Tanaka M等的试验结果进行了比较。 为了解aSi/c-Si界面的能带补偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同GallS等报道的试验结果也进行了比较。 结果表明, 只有在较小的导带补偿 (~0. 18 eV)和较大的价带补偿 (~0. 5 eV) 时, 其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合。关键词aSi/c-Si HIT能带不连续性教值模拟-/.AbstractThis paper reports the numerical simulation ofaSi/c Si heteru]unction solar cellsatwithanintrinsicaSi thin layer(HIT)by usingAMPS model.developedonPenn StateUniversity.The effect of i-layer thickness and hand offsetphotovohaic performances wereetimresligated。 and compared with experimental results reported by M.Tanakatoa1.In orderunderstand the band edge discontinu|tiesataSi H/cSi interfaces。 we also investigatedathe voltageand temperaturedependent spectral response(SR)of solar cells withfixedthickness(100 nm)of i-aSiH layer,and compared with the experimental results reportedby S.Galleta1.Itais found that only by settingalarge amount of valence hand offset(~0.5 eV)andsmalj amount of conduction band offset(~0.18 eV)the HIT solar ceilsupcould reach high conversion efficienciesto~23%and have SR consistent with thereported experimental results.Keywordsa Si/eSi HITbandedge discontinuitiesnumerical simulation性主要集中在导带;而Mimura和Hatanaka¨3报道1前言a的结果却是导带不连续性很小,能带不连续性主要 集中在价带。Si/c Si HIT异质结太阳电池同时兼有非晶为了对这~问题有进一步的了织,我们运用AMeSE” 对不同能带构形和不同本征层厚度的HIT 太阳电池的伏安特性, 以及固定本征层厚度(100nm) 下光谱响应对电压和温度的依赖关系进行了数值模 拟计算,并将计算结果同Tanaka M”1和Gall 等的试验结果进行了比较。S。 “ “1硅的低温、廉价和和晶体硅的高效稳定特点,近年来 备受关注” 。-。然而,对这种异质结构的一些基础问题尚不十分清楚。 例如 关于a-Si/c-Si界面的能 带补偿就有各种不同的报道【 , 。Cuniot和 Marfaing-4’根据溅射a Si/eSi异质结的光电子发射 测量试验得出的结论是价带基本一致,能带不连续①斟家重点基础研究发腰规划(973)资助项目(批准号G2000028201)72雪计算中我们将迎光面的反射率设定为5%(400~2结构模型图1所示为不同的能带构形, 图中还标明了模 型的一些结构参数。 掺杂非晶硅和本征非晶硅的光1100nm波长范围) ,非晶硅和晶体硅的吸收系数取自文献[8] 。 3结果与讨论表1示出了计算所得三种能带构形时不同本征电参数参见文献[] 。箜类型A Fig.I厂j]幽£y_r一风iI层厚度的HIT太阳电池的短路电流密度(J。 ) 、填 充因子(FF) 、开路电压(V。 )和光电转换效率(7/)等 光伏特性参数。不难看出,对于(a) (价带持平) ,光 伏特性近乎完美, 与本征层厚度几乎没有关系; 对于 (c) (导带持平) , 光伏特性又异乎寻常的差,填充因 子和光电转换效率随本征层厚度的减小而变差。无o 68ev,P类型B上类型C图I三种不同的能带构形three different energy hand struetion论是(a)还是(c)都与Tanaka M的实验结果不一 致,只有(b) (导带补偿少许一O.18 eV,价带补偿大部分≈0.5 eV)与实际情况比较相符。图2是(b)情况下不同本征层厚度的JV曲缸37.1imA]era2线。 我们注意到, 随着本征层厚度的减小, 短路电流 和填充因子增加得很快, 而开路电压只是约有下降。 因而当本征层厚度从100nm减到10nm时,光电转换效率从一6%增至≈23%。艇嚣裂” ;23.80%(10nm i-a-Ski l)J嘶a-si thickness(rim)鼍 p {≤-10/100矿J另外从图2中我们还注意到JV曲线的s形现象, 这种s形JV特性在文献中也有过报道03。 价带边的不连续性似乎是导致这种现象的主要原因。.1眈o////10/40刃/lo/。o/"// 菊,m图3示出了本征层厚度为i00 nm时, (b)的图2Fig.2JV曲线中不同厚度的卜asi层动(b)Jvcurves versusHIT太阳电池在300K温度下不同偏置电压时的 光谱效应曲线。 当偏置电压V一0V时,亦即短路情况下光生电流主要来源于非晶硅层的光吸收,而different i-a-Si layerthickness for(b)叠1工竺至兰堡竺翌 兰 墨垦兰望兰竺竺竺竺墅J晶体硅对光生电流的贡献几乎可以忽略不计,这是谱响应的温度依赖情况。在短路条件下,亦即V一0V时光谱响应与温度无关, 这也从另一方面说明短 路条件下的光生电流主要来自非晶硅本征层。因为 非晶硅中的载流子是场助漂移过程,与温度关系不 十分密切。然而,在一1.0V的偏压条件下,光谱响因为晶体硅中光照产生的光生空穴难以通过由于价带不连续性所形成的空穴势垒的阻挡而被收集。 因 此, 光生电流主要是非晶硅短波光吸收的贡献,主要 集中于400720nm范围;长波范围(7zo~1100 nm)非晶硅吸收很少,因而也就没有多少光谱响应。应随温度而变化。随温度升高,长波段的光谱响应增大, 这是因为晶体硅中产生的光生空穴在通过价 带边势垒时是热发射过程, 必然与温度有关。 以上模拟计算结果同Tanaka M和Gatl S关于aSi/c-Si HIT结构所报道的实验结果相一致。Tanaka饲_霉船最蕊羹霉。jM在控制本征非晶硅层厚度10 nm左右获得了高达18%的光电转换效率,Gall S通过光谱响应和其他电学测试得出了能带不连续性主要在价带 的结论。T=300K/尹 , H一./.¨..4结论图8300K,太阳电池组件在不同 偏压下的光谱响应本文运用宾州大学发展的AMPS程序就带有本征非晶硅层的aSi/c Si HIT结构进行了数值模atFig.3Spectral response of modeled solar cell for dilferent bias voltages 300K拟,研究了本征层厚度以及带边补偿对其光伏特性的影响。计算结果与Tanaka M的实验结果相同。随着反向偏压从V=一1. 0 V变到V一 一1. 4V, 长波 (720~1100am)响应增加。这是由于 #l-自n反向电压降低了由于价带不连续性所形成的势参考文献1垒使得在晶体硅中的光生空穴(720~1有效收集增加的缘故。100nm)的Tanaka M,et a1.Jpn.J.Appl,Phys. ,1992,l3518对比之下,在1.0 V的正向偏压时(大于开路电 压V二一0.927V) ,长波范围(720~1 100nra)的光生2Rizzoli R,et a1.J.NonCryst.Solids 2002,2993021203~12073电流却即刻加大,这是因为导带不连续性所产生的势垒较低(o.18 eV) ,晶体硅中的光生电子很容易穿 过异质结区而得到收集。Xu X,Yang J,Banerjee A,and Guha S. Appl.Phys.Lett. ,1995,6723234Cuniot M and Marfaing Y.Philos.Mag. ,1988,B 572915MimuraH,HatanakaY。Appl.Phys.Lett. ,1987,503266Arch J K.et a1.J.Appl.Phys. ,1991,6970577胡志华等.太阳能学报.特刊,2003。9~138Meier J,Duhail S Cuperus J,et a1.J.Non-Crystal.Solids,1998,227-23012509FontoniA 31 4~3l 7eta1.ThinSolid Films,2001,383图4偏压为0和~1.0V,不同温度下的太阳电池 组件光谱响应Fig.4 Spectral response of modeled solarcell for10Gall S,et al,MRS Syrnp.Proc. ,t996,42024Sdifferent T under 0 and一1. 0 V bias voltages11Gall S,et a1.S01.Energy Mater.S01.Cells,1997,491S7图4所示为HIT太阳电池不同偏压条件下光五‘) . )1 本文由 888ronglin 贡献pdf 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT,或下载源文件到本机查看。竺竺兰竺兰翌 t 兰 t 兰垦竺竺兰竺竺竺竺墅。 l一能带不连续性对aSi/cSi(HIT)异质结构 光伏特性的影响①胡志华1,2廖, .g-4h1>-1宏伟。 曾湘波1 徐艳月1 孔光临1中国科学院半导体研究所,北京,1000832云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092摘要本文报道了运用AMPS模拟程序对a SIH,/cSj HIT(heterojunctionthin withanintrinsiclayer)异质结太阳电池数值模拟结果。研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对光伏性能的影响, 并与Tanaka M等的试验结果进行了比较。 为了解aSi/c-Si界面的能带补偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同GallS等报道的试验结果也进行了比较。 结果表明, 只有在较小的导带补偿 (~0. 18 eV)和较大的价带补偿 (~0. 5 eV) 时, 其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合。关键词aSi/c-Si HIT能带不连续性教值模拟-/.AbstractThis paper reports the numerical simulation ofaSi/c Si heteru]unction solar cellsatwithanintrinsicaSi thin layer(HIT)by usingAMPS model.developedonPenn StateUniversity.The effect of i-layer thickness and hand offsetphotovohaic performances wereetimresligated。 and compared with experimental results reported by M.Tanakatoa1.In orderunderstand the band edge discontinu|tiesataSi H/cSi interfaces。 we also investigatedathe voltageand temperaturedependent spectral response(SR)of solar cells withfixedthickness(100 nm)of i-aSiH layer,and compared with the experimental results reportedby S.Galleta1.Itais found that only by settingalarge amount of valence hand offset(~0.5 eV)andsmalj amount of conduction band offset(~0.18 eV)the HIT solar ceilsupcould reach high conversion efficienciesto~23%and have SR consistent with thereported experimental results.Keywordsa Si/eSi HITbandedge discontinuitiesnumerical simulation性主要集中在导带;而Mimura和Hatanaka¨3报道1前言a的结果却是导带不连续性很小,能带不连续性主要 集中在价带。Si/c Si HIT异质结太阳电池同时兼有非晶为了对这~问题有进一步的了织,我们运用AMeSE” 对不同能带构形和不同本征层厚度的HIT 太阳电池的伏安特性, 以及固定本征层厚度(100nm) 下光谱响应对电压和温度的依赖关系进行了数值模 拟计算,并将计算结果同Tanaka M”1和Gall 等的试验结果进行了比较。S。 “ “1硅的低温、廉价和和晶体硅的高效稳定特点,近年来 备受关注” 。-。然而,对这种异质结构的一些基础问题尚不十分清楚。 例如 关于a-Si/c-Si界面的能 带补偿就有各种不同的报道【 , 。Cuniot和 Marfaing-4’根据溅射a Si/eSi异质结的光电子发射 测量试验得出的结论是价带基本一致,能带不连续①斟家重点基础研究发腰规划(973)资助项目(批准号G2000028201)72雪计算中我们将迎光面的反射率设定为5%(400~2结构模型图1所示为不同的能带构形, 图中还标明了模 型的一些结构参数。 掺杂非晶硅和本征非晶硅的光1100nm波长范围) ,非晶硅和晶体硅的吸收系数取自文献[8] 。 3结果与讨论表1示出了计算所得三种能带构形时不同本征电参数参见文献[] 。箜类型A Fig.I厂j]幽£y_r一风iI层厚度的HIT太阳电池的短路电流密度(J。 ) 、填 充因子(FF) 、开路电压(V。 )和光电转换效率(7/)等 光伏特性参数。不难看出,对于(a) (价带持平) ,光 伏特性近乎完美, 与本征层厚度几乎没有关系; 对于 (c) (导带持平) , 光伏特性又异乎寻常的差,填充因 子和光电转换效率随本征层厚度的减小而变差。无o 68ev,P类型B上类型C图I三种不同的能带构形three different energy hand struetion论是(a)还是(c)都与Tanaka M的实验结果不一 致,只有(b) (导带补偿少许一O.18 eV,价带补偿大部分≈0.5 eV)与实际情况比较相符。图2是(b)情况下不同本征层厚度的JV曲缸37.1imA]era2线。 我们注意到, 随着本征层厚度的减小, 短路电流 和填充因子增加得很快, 而开路电压只是约有下降。 因而当本征层厚度从100nm减到10nm时,光电转换效率从一6%增至≈23%。艇嚣裂” ;23.80%(10nm i-a-Ski l)J嘶a-si thickness(rim)鼍 p {≤-10/100矿J另外从图2中我们还注意到JV曲线的s形现象, 这种s形JV特性在文献中也有过报道03。 价带边的不连续性似乎是导致这种现象的主要原因。.1眈o////10/40刃/lo/。o/"// 菊,m图3示出了本征层厚度为i00 nm时, (b)的图2Fig.2JV曲线中不同厚度的卜asi层动(b)Jvcurves versusHIT太阳电池在300K温度下不同偏置电压时的 光谱效应曲线。 当偏置电压V一0V时,亦即短路情况下光生电流主要来源于非晶硅层的光吸收,而different i-a-Si layerthickness for(b)叠1工竺至兰堡竺翌 兰 墨垦兰望兰竺竺竺竺墅J晶体硅对光生电流的贡献几乎可以忽略不计,这是谱响应的温度依赖情况。在短路条件下,亦即V一0V时光谱响应与温度无关, 这也从另一方面说明短 路条件下的光生电流主要来自非晶硅本征层。因为 非晶硅中的载流子是场助漂移过程,与温度关系不 十分密切。然而,在一1.0V的偏压条件下,光谱响因为晶体硅中光照产生的光生空穴难以通过由于价带不连续性所形成的空穴势垒的阻挡而被收集。 因 此, 光生电流主要是非晶硅短波光吸收的贡献,主要 集中于400720nm范围;长波范围(7zo~1100 nm)非晶硅吸收很少,因而也就没有多少光谱响应。应随温度而变化。随温度升高,长波段的光谱响应增大, 这是因为晶体硅中产生的光生空穴在通过价 带边势垒时是热发射过程, 必然与温度有关。 以上模拟计算结果同Tanaka M和Gatl S关于aSi/c-Si HIT结构所报道的实验结果相一致。Tanaka饲_霉船最蕊羹霉。jM在控制本征非晶硅层厚度10 nm左右获得了高达18%的光电转换效率,Gall S通过光谱响应和其他电学测试得出了能带不连续性主要在价带 的结论。T=300K/尹 , H一./.¨..4结论图8300K,太阳电池组件在不同 偏压下的光谱响应本文运用宾州大学发展的AMPS程序就带有本征非晶硅层的aSi/c Si HIT结构进行了数值模atFig.3Spectral response of modeled solar cell for dilferent bias voltages 300K拟,研究了本征层厚度以及带边补偿对其光伏特性的影响。计算结果与Tanaka M的实验结果相同。随着反向偏压从V=一1. 0 V变到V一 一1. 4V, 长波 (720~1100am)响应增加。这是由于 #l-自n反向电压降低了由于价带不连续性所形成的势参考文献1垒使得在晶体硅中的光生空穴(720~1有效收集增加的缘故。100nm)的Tanaka M,et a1.Jpn.J.Appl,Phys. ,1992,l3518对比之下,在1.0 V的正向偏压时(大于开路电 压V二一0.927V) ,长波范围(720~1 100nra)的光生2Rizzoli R,et a1.J.NonCryst.Solids 2002,2993021203~12073电流却即刻加大,这是因为导带不连续性所产生的势垒较低(o.18 eV) ,晶体硅中的光生电子很容易穿 过异质结区而得到收集。Xu X,Yang J,Banerjee A,and Guha S. Appl.Phys.Lett. ,1995,6723234Cuniot M and Marfaing Y.Philos.Mag. ,1988,B 572915MimuraH,HatanakaY。Appl.Phys.Lett. ,1987,503266Arch J K.et a1.J.Appl.Phys. ,1991,6970577胡志华等.太阳能学报.特刊,2003。9~138Meier J,Duhail S Cuperus J,et a1.J.Non-Crystal.Solids,1998,227-23012509FontoniA 31 4~3l 7eta1.ThinSolid Films,2001,383图4偏压为0和~1.0V,不同温度下的太阳电池 组件光谱响应Fig.4 Spectral response of modeled solarcell for10Gall S,et al,MRS Syrnp.Proc. ,t996,42024Sdifferent T under 0 and一1. 0 V bias voltages11Gall S,et a1.S01.Energy Mater.S01.Cells,1997,491S7图4所示为HIT太阳电池不同偏压条件下光五‘) . )1 本文由 888ronglin 贡献pdf 文档可能在 WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择 TXT,或下载源文件到本机查看。竺竺兰竺兰翌 t 兰 t 兰垦竺竺兰竺竺竺竺墅。 l一能带不连续性对aSi/cSi(HIT)异质结构 光伏特性的影响①胡志华1,2廖, .g-4h1>-1宏伟。 曾湘波1 徐艳月1 孔光临1中国科学院半导体研究所,北京,1000832云南师范大学太阳能研究所,昆明,650092摘要本文报道了运用AMPS模拟程序对a SIH,/cSj HIT(heterojunctionthin withanintrinsiclayer)异质结太阳电池数值模拟结果。研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对光伏性能的影响, 并与Tanaka M等的试验结果进行了比较。 为了解aSi/c-Si界面的能带补偿,我们还就固定本征层厚度的HIT结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同GallS等报道的试验结果也进行了比较。 结果表明, 只有在较小的导带补偿 (~0. 18 eV)和较大的价带补偿 (~0. 5 eV) 时, 其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合。关键词aSi/c-Si HIT能带不连续性教值模拟-/.AbstractThis paper reports the numerical simulation ofaSi/c Si heteru]unction solar cellsatwithanintrinsicaSi thin layer(HIT)by usingAMPS model.developedonPenn StateUniversity.The effect of i-layer thickness and hand offsetphotovohaic performances wereetimresligated。 and compared with experimental results reported by M.Tanakatoa1.In orderunderstand the band edge discontinu|tiesataSi H/cSi interfaces。 we also investigatedathe voltageand temperaturedependent spectral response(SR)of solar cells withfixedthickness(100 nm)of i-aSiH layer,and compared with the experimental results reportedby S.Galleta1.Itais found that only by settingalarge amount of valence hand offset(~0.5 eV)andsmalj amount of conduction band offset(~0.18 eV)the HIT solar ceilsupcould reach high conversion efficienciesto~23%and have SR consistent with thereported experimental results.Keywordsa Si/eSi HITbandedge discontinuitiesnumerical simulation性主要集中在导带;而Mimura和Hatanaka¨3报道1前言a的结果却是导带不连续性很小,能带不连续性主要 集中在价带。Si/c Si HIT异质结太阳电池同时兼有非晶为了对这~问题有进一步的了织,我们运用AMeSE” 对不同能带构形和不同本征层厚度的HIT 太阳电池的伏安特性, 以及固定本征层厚度(100nm) 下光谱响应对电压和温度的依赖关系进行了数值模 拟计算,并将计算结果同Tanaka M”1和Gall 等的试验结果进行了比较。S。 “ “1硅的低温、廉价和和晶体硅的高效稳定特点,近年来 备受关注” 。-。然而,对这种异质结构的一些基础问题尚不十分清楚。 例如 关于a-Si/c-Si界面的能 带补偿就有各种不同的报道【 , 。Cuniot和 Marfaing-4’根据溅射a Si/eSi异质结的光电子发射 测量试验得出的结论是价带基本一致,能带不连续①斟家重点基础研究发腰规划(973)资助项目(批准号G2000028201)72雪计算中我们将迎光面的反射率设定为5%(400~2结构模型图1所示为不同的能带构形, 图中还标明了模 型的一些结构参数。 掺杂非晶硅和本征非晶硅的光1100nm波长范围) ,非晶硅和晶体硅的吸收系数取自文献[8] 。 3结果与讨论表1示出了计算所得三种能带构形时不同本征电参数参见文献[] 。箜类型A Fig.I厂j]幽£y_r一风iI层厚度的HIT太阳电池的短路电流密度(J。 ) 、填 充因子(FF) 、开路电压(V。 )和光电转换效率(7/)等 光伏特性参数。不难看出,对于(a) (价带持平) ,光 伏特性近乎完美, 与本征层厚度几乎没有关系; 对于 (c) (导带持平) , 光伏特性又异乎寻常的差,填充因 子和光电转换效率随本征层厚度的减小而变差。无o 68ev,P类型B上类型C图I三种不同的能带构形three different energy hand struetion论是(a)还是(c)都与Tanaka M的实验结果不一 致,只有(b) (导带补偿少许一O.18 eV,价带补偿大部分≈0.5 eV)与实际情况比较相符。图2是(b)情况下不同本征层厚度的JV曲缸37.1imA]era2线。 我们注意到, 随着本征层厚度的减小, 短路电流 和填充因子增加得很快, 而开路电压只是约有下降。 因而当本征层厚度从100nm减到10nm时,光电转换效率从一6%增至≈23%。艇嚣裂” ;23.80%(10nm i-a-Ski l)J嘶a-si thickness(rim)鼍 p {≤-10/100矿J另外从图2中我们还注意到JV曲线的s形现象, 这种s形JV特性在文献中也有过报道03。 价带边的不连续性似乎是导致这种现象的主要原因。.1眈o////10/40刃/lo/。o/"// 菊,m图3示出了本征层厚度为i00 nm时, (b)的图2Fig.2JV曲线中不同厚度的卜asi层动(b)Jvcurves versusHIT太阳电池在300K温度下不同偏置电压时的 光谱效应曲线。 当偏置电压V一0V时,亦即短路情况下光生电流主要来源于非晶硅层的光吸收,而different i-a-Si layerthickness for(b)叠1工竺至兰堡竺翌 兰 墨垦兰望兰竺竺竺竺墅J晶体硅对光生电流的贡献几乎可以忽略不计,这是谱响应的温度依赖情况。在短路条件下,亦即V一0V时光谱响应与温度无关, 这也从另一方面说明短 路条件下的光生电流主要来自非晶硅本征层。因为 非晶硅中的载流子是场助漂移过程,与温度关系不 十分密切。然而,在一1.0V的偏压条件下,光谱响因为晶体硅中光照产生的光生空穴难以通过由于价带不连续性所形成的空穴势垒的阻挡而被收集。 因 此, 光生电流主要是非晶硅短波光吸收的贡献,主要 集中于400720nm范围;长波范围(7zo~1100 nm)非晶硅吸收很少,因而也就没有多少光谱响应。应随温度而变化。随温度升高,长波段的光谱响应增大, 这是因为晶体硅中产生的光生空穴在通过价 带边势垒时是热发射过程, 必然与温度有关。 以上模拟计算结果同Tanaka M和Gatl S关于aSi/c-Si HIT结构所报道的实验结果相一致。Tanaka饲_霉船最蕊羹霉。jM在控制本征非晶硅层厚度10 nm左右获得了高达18%的光电转换效率,Gall S通过光谱响应和其他电学测试得出了能带不连续性主要在价带 的结论。T=300K/尹 , H一./.¨..4结论图8300K,太阳电池组件在不同 偏压下的光谱响应本文运用宾州大学发展的AMPS程序就带有本征非晶硅层的aSi/c Si HIT结构进行了数值模atFig.3Spectral response of modeled solar cell for dilferent bias voltages 300K拟,研究了本征层厚度以及带边补偿对其光伏特性的影响。计算结果与Tanaka M的实验结果相同。随着反向偏压从V=一1. 0 V变到V一 一1. 4V, 长波 (720~1100am)响应增加。这是由于 #l-自n反向电压降低了由于价带不连续性所形成的势参考文献1垒使得在晶体硅中的光生空穴(720~1有效收集增加的缘故。100nm)的Tanaka M,et a1.Jpn.J.Appl,Phys. ,1992,l3518对比之下,在1.0 V的正向偏压时(大于开路电 压V二一0.927V) ,长波范围(720~1 100nra)的光生2Rizzoli R,et a1.J.NonCryst.Solids 2002,2993021203~12073电流却即刻加大,这是因为导带不连续性所产生的势垒较低(o.18 eV) ,晶体硅中的光生电子很容易穿 过异质结区而得到收集。Xu X,Yang J,Banerjee A,and Guha S. Appl.Phys.Lett. ,1995,6723234Cuniot M and Marfaing Y.Philos.Mag. ,1988,B 572915MimuraH,HatanakaY。Appl.Phys.Lett. ,1987,503266Arch J K.et a1.J.Appl.Phys. ,1991,6970577胡志华等.太阳能学报.特刊,2003。9~138Meier J,Duhail S Cuperus J,et a1.J.Non-Crystal.Solids,1998,227-23012509FontoniA 31 4~3l 7eta1.ThinSolid Films,2001,383图4偏压为0和~1.0V,不同温度下的太阳电池 组件光谱响应Fig.4 Spectral response of modeled solarcell for10Gall S,et al,MRS Syrnp.Proc. ,t996,42024Sdifferent T under 0 and一1. 0 V bias voltages11Gall S,et a1.S01.Energy Mater.S01.Cells,1997,491S7图4所示为HIT太阳电池不同偏压条件下光五‘) . )1
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