异质结硅太阳能电池aSiH薄膜的研究-solarbe文库

资源描述：

异质结硅太阳能电池 “ 数值求解方程对热平衡态 AB 27/ C. D 07/ . 异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 E 结果指出采用更薄 AB 27/ C . 薄膜设计能有效增强光生载流子的传输与收集从而提高 27/ D07/ 异质结太阳能电池的性能 E 同时还讨论了 AB 27/ C . 薄膜中 A 型掺杂浓度对光生载流子传输与收集的影响 E 高强度光照射下模拟计算表明 27/ D07/ 异质结结构太阳能电池具有较高光稳定性 E关键词异质结太阳能电池 F G5H 67I 2A1解法 F 隙态密度分布 F 27/ C F 载流子收集中图分类号 J K LMNON* 文献标识码 P 文章编号 M, , Q7, , R- * , , * . , Q7, N- , 7, QS T UVWWXY Z[ ] W TY X_ “gk 4 n 12 C545 * , , * - n 12.S oWZ_ aZP 0 A9 653 9;26 m5; 4 AB 27/ C . D 07/ . 1 5653p906;23 05;; 26 6153 mk 72 0 5q9;r 39 9g2/ 01 2345665378 9 5; ;964 s 5q9261 2 r 55m5l 5;A5mOJ 15359;6 m0265 6126 61 5 m5g 4 6153 AB 27/ C . ;2k53 5 A;k5m65 44506l 5;k 03525 615 0;7;5062m632A36 4 A167g553265m0 23353 5120g6 15 A5343 205 4 27/ D07/ 15653p90;23 05;;OP ; 61 5 4;9505 4 A76k A5 mAAg0 056326AB 27/ C . 61 4; 615 0;;5062m632A36 4 A167g553265m0 23353 AB 27/ C . D 07/ . 15653p90;23 05;; m095mOi m53 61 5 0m64 A3;g5m; g16 2t g 615 9;261H 61 26 27/ D07/ 1 5653p90639076935 ;23 05;; A55 1g1; g16 62r ;6kOu Vv X_wWC 5653p906;23 05;;F G5H 67I 2A1;966501q95F h 56k 4 6265F 27/ C Fn 23353 n ;;506x 引言非晶薄膜 . 7晶态 / 异质结诸如 27/ D07/ yz 07/ D07/ 和 27/ 0D07/ 等结构太阳能电池近年来得到人们的关注 { M| N} E 原因是晶态 / 太阳能电池能量转换效率虽高达 * N 但造价昂贵 F而 27/ C 基太阳能电池不仅能大面积生产造价又低廉但内在的/ 625r ;537 3t 效应使其稳定性差 E 非晶薄膜 . 7晶态 / 异质结结构是综合两者优点 y 充分发挥各自长处的最佳设计 E而且这种结构电池能在较低温度下 “ * Q, . 制造从而避免采用传统的高温 L, , . 扩散工艺来获得 A7结 E这不但节约能源而且低温环境使得 27/ C 基薄膜掺杂 y禁带宽度和厚度得以较精确控制为优化器件特性提供机会 F低温沉积过程中单晶 / 片弯曲变形小因而其厚度可取作为本底光吸收材料光学所要求的最低值约 R, z 改善少数载流子扩散长度与电池总厚度比值从而允许采用低品质 k 7/ { } E 非晶薄膜 . 7晶态/ 异质结在制造大面积 y高效率 y 低价格和稳定性好的太阳能电池具有巨大的潜力 E27/ C 薄膜光带隙比晶态 / 宽 ’ g MO * 5* 在 M* , 下通过化学气相沉积 0, e 253 * ;OM GOQ K2 k* , , *’ 收稿日期 * , , M7, L 7M* 修订日期 * , , * 7, M7MQ/ 基金项目国家自然科学基金资助项目 - LR - , * N. “ 薄膜直接沉积于型单晶 “ ; 数值求解 AB“CCB方程 . 对热平衡态 * L 6 5. M7NF 8准中性区低场死层 “ 低场死层降低 - . / 01 2 太阳能电池对光生载流子收集 “ 使电池性能随着光照射而衰退本文继续应用计算机数值模拟方法分析 5A - . / 012 67 ./ 0异质结结构太阳能电池的稳定性 “用 B A 来表示在光照射下 - . / 012 中由于空穴俘获正空间电荷密度的增加量 “ 取 B A C 9* * 597 9 ABC*D 薄膜的 E 型杂质浓度选择如果降低 G; . ; H40 I 7 计算的 2, ;3’ , A-BAC 12D,B - EF C;DABDAGH51;2 ,H ;;DB22D AGH51;2,H ;;DB2 6, 5, ABI92D5;B2 HB1AD , H 7 ’ J ’ KLL ’ MNOP’ 3QQR3STUVWQVWQ“ ’ X 11A,H 73YD6ABEE4 Z [ ’ 4 B,B - 56 , 9--, A 1G, A ;256, 1D5;0, I92D5;B2 ;2 1C BAE6B9HDAGH51;2, H;;DB26, 5, ABI92D5;B2H B1A D, H 7 ’ J ’ KLL ’ MNOP’ 32‘ B2aH6 , 2a3’ 4 12a,B- 01;b;5GB- 56, H9A- 1D, E6B5B0B51a, b;--9 H;B2 , 2a56C ,1H9A, C , 25U DBC E95, AH ;C 915;B2 7 ’ J ’ KLL ’MNOP’ 3Q3cd ] U2‘ B2aH6, 2a3.B BA, ’ _ ;a65;2b9D, bb, aA1b15;B2; 29 2bBE, b6 GbABa, 215, b1 C BAE6B9H H;;DB2- ;C HH59 b;, b G 56, H9A-1D, E6 B5B0B51a, U DBC E1A;HB2B - ;-, 5;C,0 , AH9H HE1D, D61Aa,, --, D5H 7 ’ J ’KLL ’ MNOP’ 3Q3cd ] U2Y , C ;DB2b9D5BAH12bY , C ;C , 51H 4 ’ , b;5, b G12j B0, 7[ 3b1U D1b, C ;D A, HH[ 2D’ 3QX32‘ B2aH6, 2a’ [C EAB0, C , 25 ;25 6 , H9A-1D,E6 B5B0B51a,C , 56BbB -b , 5, AC ;2;2ab ;--9H;B2 , 2a56;25 6;2- ;C HB- 6GbABa, 215, b 1CBAE6B9HH;;DB2 7 ’ J ’K LL ’ MNOP’ 3QR3cg W] UXVXQ’ W . [ l 1B69 13 _ [ ‘ B2a B3mn Z 792C ;2a 3’ e , o.B b, -BA _ ;a6 5 p A1EE;2aY D6, C,B - 1Y; YB1A* , 12b[ 5Hq E5;C;r15;B2 7 ’ J ’ stu L sPw 光电子 z 激光 ] 32* 6;2, H, ]作者简介 U林鸿生 Q Q|] 3男 3教授 3主要从事半导体太阳能电池等器件研究 3在国内外杂志和重要会议上发表论文 VW余篇 }zXVXz 光电子 z 激光 WW 年第卷异质结硅太阳能电池 a-SiH 薄膜的研究作者林鸿生，段开敏，马雷作者单位中国科学技术大学物理系 ,安徽 ,合肥 ,230026刊名光电子·激光英文刊名 JOURNAL OF OPTOELECTRONICS· LASER年，卷期 2002， 135被引用次数 3次参考文献 10条1. Borcgert D . Grabosch G. Fahrner W R Preparation of na-SiH/pc-Si heterojunction solar cells 19972. Tanaka M. Taguchi M . Tsuda S Development of new a-Si/c-Si heterojunction solar cellsArtificiallyconstructed junction-heterojunction with intrinsic thin-layer 1992113. Cleef M W Mvan. Rath J K . Rubinelli Performance of p microcrystalline silicon n crystalline siliconheterojunction solar cells 19974. Pallares J . Schropp R E I Role of the buffer layer in the active junction in amorphous-crystallinesilicon heterojunction solar cells 2000015. McElheny P J . Arch J K . Lin Hongsheng Range of validity of the surface-photovoltage diffusion lengthmeasurementA computer simulation 1988036. 林鸿生 PIN型非晶硅太阳能电池中的空间电荷效应 -太阳能电池光致性能衰退的计算机模拟 1994027. Hegedus S. Lin Hongsheng . Moore A Light-induced degradation in undoped hydrogenated amorphous siliconfilms studied by the surface photovoltageA comparison of lifetime versus space-charge effects1988038. Carlson D E . Solar cells 查看详情 19849. Moore A. Lin Hongsheng Improvement in the surface photovoltage method of determining diffusionlength in thin films of hydrogenated amorphous silicon 19871010. MAI Yao-hua. LI Hong-bo . XUE Jun ming A New Model for Light Trapping Scheme of a-Si Solar Cell andIts Optimization [期刊论文] -光电子·激光 2001相似文献 3条1.期刊论文林鸿生 . 段开敏 . 马雷 a-SiC/c-Si 异质结太阳能电池设计分析 - 半导体学报 2002,235通过应用 Scharfetter-Gummel解法数值求解 Poisson方程 , 对热平衡态 a-SiC/c-Si 异质结太阳能电池进行计算机数值模拟 , 详细分析不同制备条件下 a-SiC/c-Si 异质结太阳能电池的能带结构和电池中电场强度分布 , 指出采用更薄 pa-SiC∶ H薄膜和在 pn异质结嵌入 ia-Si ∶ H缓冲薄层设计能有效增强光生载流子的传输与收集 , 从而提高 a-SiC/c-Si 异质结太阳能电池的性能 , 而高强度光照射下模拟计算表明 ,a-SiC/c-Si 异质结太阳能电池具有较高光稳定性.2.期刊论文林鸿生 . Lin Hongsheng 嵌入 a-SiH薄层的μ c-Si/c-Si pn 异质结太阳能电池热平衡态特性的数值模拟分析 - 半导体技术 19996应用计算机数值模拟方法计算 pμ c-SiH/nc-Si 及 pμ c-SiH/ia-SiH/nc-Si 异质结太阳能电池中的电场强度分布 , 说明μ c-Si/c-Si 异质结电池制造中μ c-SiH膜厚选择 , 进而对嵌入 a-SiH薄层的μ c-Si/c-Si 异质结太阳能电池设计进行分析 , 包括 a-SiH薄层 p型掺杂效应及本底单晶硅的电阻率选择 , 最后讨论μ c-Si/c-Si 异质结太阳能电池稳定性.3.期刊论文林鸿生 . 段开敏 . 马雷 a-SiC/c-Si 异质结太阳能电池中 a-SiCH薄膜的设计分析 - 半导体技术2001,2612通过应用 Scharfetter-Gumme1解法数值求解 Poisson方程 , 对热平衡 pa-SiCH/nc-Si 异质结太阳能电池进行计算机数值模拟分析 . 给出了 pa-SiCH膜厚及其 p型掺杂浓度设计 , 还讨论了 pa-SiCH/nc-Si 异质结太阳能电池稳定性.引证文献 3条1. 任丙彦 . 王敏花 . 刘晓平 . 李彦林 . 羊建坤 . 励旭东 . 许颖 . 李海玲 . 王文静 AFORS-HET软件模拟 N型非晶硅 /p型晶体硅异质结太阳电池 [期刊论文] -太阳能学报 200822. 黄金昭 . 徐征 . 李海玲 . 亢国虎 . 王文静氧化铁镍薄膜的制备与表征 [期刊论文] -光电子·激光 200743. 陈城钊多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响 [期刊论文] -韩山师范学院学报 20043本文链接 http//d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_gdzjg200205007.aspx授权使用济南大学 jndx ，授权号 a2c5383a-e323-43dc-99f1-9ea00108e83c下载时间 2011年 3月 8日