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GaAs/Ge太阳电池异常 I-V 特性曲线分析作者涂洁磊，王亮兴，张忠卫，池卫英，彭冬生，陈超奇， Tu Jielei ， Wang Liangxing， Zhang Zhongwei， Chi Weiying ， Peng Dongsheng， Chen Chaoqi作者单位涂洁磊 ,Tu Jielei 上海空间电源研究所 ,上海 ,200233;云南师范大学太阳能研究所 ,昆明,650092 ，王亮兴 ,张忠卫 ,池卫英 ,彭冬生 ,陈超奇 ,Wang Liangxing,Zhang Zhongwei,ChiWeiying,Peng Dongsheng,Chen Chaoqi上海空间电源研究所 ,上海 ,200233刊名半导体学报英文刊名 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS年，卷期 2005， 26z1被引用次数 2次参考文献 7条1. Tyagi R . Singh M. Thirumvalavan M The influence of As and Ga prelayers on the metal-organic chemicalvapor deposition of GaAs/Ge 2002032. Ringel S A . Sieg R M. Carlin J A Toward achieving efficiency Ⅲ -Ⅴ space cells on Ge/GeSi/Si wafers19983. Ringel S A . Sieg R M. Ting S M Ani-phase domain-fress GaAs on Ge substrates grown by molecular beamepitaxy for space solar cell applications 19974. Chang K I . Yeh Y C. Iles P A Heterostructure GaAs/Ge solar cells 19875. Friedman D J . Olson J M Analysis of Ge junctions for GaInP/GaAs/Ge three-junction solar cells 20016. Partain L D . Virshup G F . Kaminar N R Quantum yield spectra and I-V properties of a GaAs solar cellgrown on a Ge substrate 19887. Chang L L Conduction properties of Ge-GaAs1-xPx n-n heterojunctions 1965相似文献 1条1.会议论文涂洁磊 . 王亮兴 . 张忠卫 . 池卫英 . 彭冬生 . 陈超奇 GaAs/Ge太阳电池异常 I-V特性曲线分析 2004本文分析 GaAs/Ge单结太阳电池研制中 , 两种异常 I-V特性曲线出现的主要原因 GaAs/Ge界面的相互扩散 , 形成附加结或附加势垒 ; 并获得与实验有很好吻合的计算模拟结果 , 进一步证实了理论分析 . 此外 , 在上述分析的指导下 , 通过降低生长温度和优化成核条件 , 成功获得了效率为20.95﹪ AM0,25℃ ,2 4cm的 GaAs/Ge太阳电池.引证文献 2条1. 孔凡建太阳电池组件 I-V特性曲线异常 [期刊论文] -电源技术 201022. YU Jun. TANG Zhen-An. ZHANG Feng-Tian. WEI Guang-Fen. WANG Li-Ding Investigation of a Microcalorimeterfor Thin-Film Heat Capacity Measurement [期刊论文] -中国物理快报（英文版） 20059本文链接 http//d.g.wanfangdata.com.cn/Periodical_bdtxb2005z1050.aspx授权使用西安理工大学 xalgdx ，授权号 a86ed13c-a660-4c31-be09-9e0e01003a4d下载时间 2010年 10月 13日

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