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ＥＷＴ太阳电池技术进展倡赵恒利，涂洁磊，廖华，李景天，李光明，何京鸿，张树明（云南师范大学太阳能研究所；教育部可再生能源材料先进技术与设备重点实验室；云南昆明６５００９２）摘要介绍了ＥＷＴ太阳电池发展历史、研究现状及国内外ＥＷＴ太阳电池的技术研究进展，指出了ＥＷＴ太阳电池研究中的难点，提出了ＥＷＴ太阳电池的发展方向，并对ＥＷＴ太阳电池的发展前景进行了展望。关键词ＥＷＴ太阳电池；技术进展；激光打孔；ＰＮ区域的界定中图分类号ＴＭ６１５文献标识码Ａ文章编号１００７－９７９３（２０１１）０２－００３９－０５目前大规模生产的常规硅太阳电池，为了提高载流子的收集效率，ＰＮ结的发射区处于电池的正面，电池的受光面都有栅线电极。栅线电极的存在阻挡了部分阳光，降低了电池的效率。另一方面，由于电池的正负电极分别位于电池的两面，在电池进行串联封装时，要从一块电池的正面焊接到另一块电池的背面，这样就加大了自动化生产的难度［１］。为此，１９９３年ＪａｍｅｓＭ．Ｇｅｅ研制出ＥＷＴ（Ｅｍｉｔｔｅｒｗｒａｐ－ｔｈｒｏｕｇｈ）硅太阳电池［２］。这种电池将金属电极栅线完全转移到了电池的背面，使正负电极的主栅分布在电池背面的两侧，成功的解决了上述难题。１ＥＷＴ硅太阳电池的结构及特点ＥＷＴ硅太阳电池是一种前结背接触电池。它的ＰＮ结依然位于电池的正面，以有利于提高载流子的收集效率，通过重扩散或者镀有金属的孔（目前用的最多的是激光打孔）把电池正面发射区和背面局部发射区连接在一起，将前表面发射区引入背面，实现把前后表面收集的电子传导到背面电极上，正负电极细栅全部交叉排列在电池背面，主栅排列在电池背面的两侧。前表面依然采用优良的金字塔结构和减反射膜，以减少光的反射损失。ＥＷＴ硅太阳电池的结构如图１所示［３］。ＥＷＴ硅电池具有以下显著优点（１）由于正面完全没有电极栅线，增加了有效受光面积，故可以提高光生电流的密度，从而获得较高的效率。（２）由于正负电极均位于电池背面，可简化光伏组件的封装，使自动化生产更容易实现［４］。（３）电池背面采用定域合金制背场的方法，既产生了内建电场，同时减少电极与基体的接触面积，使金属与半导体界面的高复合速率区大大减少，降低了背面的表面复合，因而可更好地提高电池性能；（４）可实现从电池的前结和背结共同收集电荷，故有很高的电荷收集率。而且，薄的硅片因为减少了电荷的传输路径，降低了孔电阻，故也可以提高电池的填充因子。因此，低品质的薄基硅片更能体现ＥＷＴ太阳电池结构的优越性［５］。目前，硅基电池已经成为市场的主流，基于ＥＷＴ硅太阳电池的以上优点，并且随着人们对进第３１卷第２期２０１１年３月云南师范大学学报ＪｏｕｒｎａｌｏｆＹｕｎｎａｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙＶｏｌ．３１Ｎｏ．２Ｍａｒ．２０１１倡收稿日期２０１１－０１－１０作者简介赵恒利（１９７７－），男，山东临沂人，硕士生，主要研究方向为光伏科学与应用工程。Ｅｍａｉｌｚｈａｏｈｅｎｇｌｉ＠１３９．ｃｏｍ基金项目云南省重点基金项目（２００９ＣＣ０１２）、霍英东青年教师基金项目（１１１０６１）、云南省中青年学术技术带头人后备人才（２００８ＰＹ０５４）项目资助通讯作者涂洁磊，女，博士，教授，主要从事太阳电池方面的研究。图１ＥＷＴ硅太阳电池结构示意图Ｆｉｇ．１ＩｌｌｕｓｔｒａｔｉｏｎｏｆＥＷＴｃｅｌｌ一步提高电池效率和降低电池成本的要求，ＥＷＴ硅太阳电池正越来越受到人们的重视。２ＥＷＴ太阳电池的国内外研究现状国外对于ＥＷＴ电池的研究较为深入，主要的代表机构有德国Ｆｒａｕｎｈｏｆｅｒ实验室、美国Ｓａｎｄｉａ国家实验室、德国ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＫｏｎｓｔａｎｚ、美国Ａｄ－ｖｅｎｔ太阳能公司等。德国ＦｒａｕｎｈｏｆｅｒＩＳＥ采用ＳｉＯ２钝化及光刻技术，在４ｃｍ２的Ｆｚ－Ｓｉ衬底上制作出实验室效率为２１．４％的ＥＷＴ电池，成为目前ＥＷＴ电池的最高效率保持者［６］。但光刻技术复杂，成本高，不适宜规模化生产。美国Ｓａｎｄｉａ国家实验室采用光刻发射极图案结合丝网印刷接触技术在４１ｃｍ２的Ｆｚ－Ｓｉ上获得了１５．６％（ＡＭ１．５）的效率［７］。德国ＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＫｏｎｓｔａｎｚ研究了两种技术路线。Ａ．Ｋｒｅｓｓ，Ｒ．Ｔｏｌｌｅ等人在１０１０ｃｍ２的Ｃｚ－Ｓｉ上采用丝网印刷扩散阻挡层和二次扩散技术，得到了１６．１％的效率，开路电压６００ｍＶ，短路电流３７．９ｍＡ／ｃｍ２，填充因子大约为７０％［８］；Ｈ．Ｋｎａｕｓｓ，Ｗ．Ｊｏｏｓｓ等人采用金属化学镀层技术（ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓｐｌａｔｉｎｇｍｅｔａｌｌｉｓａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）在２４ｃｍ２的Ｃｚ－Ｓｉ上获得了１６．６％的效率，其开路电压是５９１ｍＶ，短路电流密度是３７．７ｍＡ／ｃｍ２，填充因子达到７４．６％，并预计如果能优化打孔工艺进一步去除激光损伤的话，效率将能达到１７．３％［９］［１０］。但该技术大大的增多了工艺步骤，关键步骤Ｐ－Ａｌ共同扩散又不易控制［１１］。美国ＡｄｖｅｎｔＳｏｌａｒＣｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ采用多晶硅材料和比较成熟的丝网印刷技术，实现了１５．２％的效率，其电池的开路电压是６００ｍＶ，短路电流密度是３５．４ｍＡ／ｃｍ２，填充因子为７１．３％［１２］。在国内，北京科技大学材料学院的刘维和中科院电工研究所的周春兰曾对ＥＷＴ背结电池中的激光刻槽及腐蚀工艺进行过研究［１３］。云南师范大学太阳能研究所深入研究了激光打孔对单晶硅材料性能的影响，并对ＥＷＴ硅电池的结构进行了设计与性能模拟［１４］。３ＥＷＴ太阳电池的关键技术进展３．１激光打孔ＥＷＴ太阳电池完全去除了正表面的栅线电极，依靠电池中的无数导电小孔来将收集到的载流子传递到背面的发射区电极上。导电孔的制作，早期主要采用光刻和湿法化学腐蚀法，目前最常用的方法是激光打孔。激光打孔方便易行，适合大规模化生产，但初期激光打孔精度不高，包括激光打出的孔是不是精确地排列在一条直线上、激光打孔的精确定位、激光打孔后的机械损伤等等问题，曾经是ＥＷＴ太阳电池无法用激光打孔技术大规模化生产的主要原因。故激光打孔是实现ＥＷＴ太阳电池的一个关键技术。随着近几年激光技术的飞速发展，现在这些问题已经得到了较好的解决［１５］。云南师范大学太阳能研究所的研究还发现，打孔激光进行打孔作用后，使得硅材料本身的性质趋向于好的方向发展，对下一步太阳电池的制作提供了较好条件。这是因为，在制备硅太阳电池材料的过程中，机械加工往往使材料表层微结构产生缺陷；掺杂时杂质离子能量高，进入基片后会使基片形成错位、层错及各种类型的缺陷，注入层遭到了破坏，加之，注入的杂质未进入晶格位置，导电性能较差。在激光的作用下，破坏的表面层再结晶，部分消除了材料表面的缺陷，改善了晶格结构；恢复了注入杂质的电活性，增加了Ｐ型杂质的固溶度，改善了晶格的质量，同时使杂质离子进入了晶格的位置，使得硅的电阻率下降，少子寿命提高［１４］。３．２电池背面ＰＮ区域的界定与常规硅太阳电池不同，ＥＷＴ太阳电池的Ｐ型区域和Ｎ型区域间隔排列在电池的背面，导电孔和背面的Ｎ型区域相连，并且要求Ｐ型区域和Ｎ型区域要靠的很近，而且还不能够短路，这就对０４云南师范大学学报（自然科学版）第３１卷电池背面ＰＮ区域的界定提出了很高的要求，故电池背面ＰＮ区域的界定是实现ＥＷＴ太阳电池的一个关键技术。目前，实现ＥＷＴ太阳电池背面ＰＮ区域的界定的方法主要有下列几种３．２．１丝网印刷法早期的ＥＷＴ太阳电池背面的制备多采用光刻的方法，其优点是设计精度高，缺点是成本高，制备工艺较复杂，容易引入对人体有毒的化学物质，不利于大规模工业化生产。从上世纪九十年代末开始，随着丝网印刷技术的成熟，丝网印刷法逐渐成了界定背面Ｐ型区域和Ｎ型区域常用的方法。丝网印刷法的主要原理是通过丝网印刷设备在硅片上间隔印刷扩散阻挡层或耐腐蚀浆料，已用来阻挡扩散或腐蚀液的腐蚀，使电池背面的Ｐ型区域和Ｎ型区域间隔分布。３．２．１．１扩散前丝网印刷扩散阻挡层在扩散之前，直接在电池的背面Ｐ型区域丝网印刷上扩散阻挡层浆料，见图２所示。图２丝网印刷扩散阻挡层Ｆｉｇ．２Ｓｃｒｅｅｎｐｒｉｎｔｅｄｄｉｆｆｕｓｉｏｎｂａｒｒｉｅｒ硅片背面丝网印刷上浆料后，在红外炉里（２５０ – ３００° Ｃ）快速热退火６０秒，可以得到高质量的扩散阻挡层［１６］。该阻挡层能在磷扩散时完全可以阻挡磷的扩散而保持Ｐ型，而没有印刷浆料的区域则被磷扩散为Ｎ型。扩散结束后，再将阻挡层去除，以便以后的工序中在原阻挡层的区域做Ｐ型电极。但阻挡层不太容易去除，ＡｄｖｅｎｔＳｏｌａｒＣｏｒｐｒａｔｉｏｎ采用了在丝网印刷前开一个细槽的办法来去除阻挡层，在１ｍｍ宽的阻挡区域开一个０．３５ｍｍ宽的细槽，开槽后虽然细槽在扩散时能形成Ｎ型层，但在制作电极工序中，通过印刷Ａｌ去补偿，如图３所示［１７］。此法虽然大大简化了工序，可取得较好的效果，但整个电池工序就必须有三次丝网套印，这对丝网印刷工艺精确定位提出了更高的要求。３．２．１．２扩散后丝网印刷耐腐蚀浆料按常规硅太阳电池的制作工艺扩散以后，在图３开槽去除扩散阻挡层Ｆｉｇ．３Ｓｌｏｔｔｅｄｄｉｆｆｕｓｉｏｎｂａｒｒｉｅｒｒｅｍｏｖａｌ硅片的前面和背面的间隔的Ｎ型区域丝网印刷上耐腐蚀浆料或者是油墨，然后用ＨＦ等腐蚀液腐蚀硅片，去除没有印刷上耐腐蚀浆料或者是油墨区域的ｎ型层［１８］，这样就形成了背面Ｐ型区域和Ｎ型区域的交叉间隔分布，最后用溶剂将耐腐蚀浆料或者是油墨去除，见图４所示。这种方法界定背面Ｐ型区域和Ｎ型区域简单易行，但由于Ｐ型区域和Ｎ型区域是在交叉和间隔中直接相邻，容易造成短路而导致电池制作失败。图４扩散后丝网印刷耐腐蚀浆料制作ＥＷＴ硅太阳电池Ｆｉｇ．４Ｔｈｅｅｍｉｔｔｅｒｗｒａｐ－ｔｈｒｏｕｇｈｃｅｌｌｄｉａｇｒａｍｆａｂｒｉｃａｔｅｄｗｉｔｈａｅｔｃｈｒｅｓｉｓｔ３．２．２激光刻槽法用激光刻槽法实现ＥＷＴ太阳电池背面ＰＮ区域的界定相对比较简单、效率较高，可降低电池的成本，适合于ＥＷＴ太阳电池的大规模生产。激光刻槽的精度虽然比光刻技术低的多，但由于太阳电池对精度的要求不是很高，并且随着激光技术近些年的不断发展，现在已经可以较好解决这个问题。激光刻槽容易给硅片带来新的辐射损伤，特别是在ｐ型电极周边形成高复合区，增加了少数载流子的复合中心，降低了载流子的收集，但通过优化刻槽和化学腐蚀工艺参数可减少其对太阳电池性能的影响。由于激光刻槽的槽中的部分区域将用来制做ＥＷＴ太阳电池的电极，由于要形成良好的欧姆接触，这就要求硅片表面平整光滑而侧壁垂直陡峭［１９］。中科院电工所的研究发现，当ＮａＯＨ刻蚀溶液浓度为１２％，温度为８０℃，时间为２０３５ｍｉｎ时，可以得到较好的槽面结构，能１４第２期赵恒利，等ＥＷＴ太阳电池技术进展较好的满足欧姆接触电极的制备以及背面结构的设计要求［１３］。根据激光刻槽和扩散的先后顺序，此法又分为两类。３．２．２．１扩散前进行激光刻槽先对硅片进行干氧氧化，形成双面的ＳｉＯ２层，再进行前面的去除氧化层和制绒，接着进行激光打孔和激光刻槽，用碱溶液刻蚀损伤层，然后进行Ｐ扩散，再在前面镀上减反射膜，背面用Ａｌ蒸镀电极，最后进行ＰＮ相邻区域Ａｌ的去除，这样就实现了ＥＷＴ电池背面ＰＮ区域的界定［２０］。此法的优点是用ＳｉＯ２做了背面ＰＮ区域的相互绝缘，不容易短路，成功率很高，适合大规模化生产，缺点是由于背面ＳｉＯ２层的存在，Ｐ型电极和Ｐ型栅线之间必须用激光烧烛接触技术（ＬＦＣ）来形成良好的欧姆接触。３．２．２．２扩散后进行激光刻槽先将硅片的两面都扩散成Ｎ型，然后通过在背面丝网印刷Ａｇ／Ａｌ浆料共烧的办法补偿电池的ｎ型层，烧结后，直接用激光开槽实现电池背面ＰＮ区域的界定，见图５所示［２１］。用此种方法，还有个优点，可以选择把电池的周边结一起去除。但这种方法，又会给硅片带来新的辐射损伤，降低了载流子的收集。所以，刻槽后如何较好的除去槽区辐射损伤部分和堆积物，一直是人们研究的一个重点。图５扩散后进行激光刻槽制作ＥＷＴ硅太阳电池Ｆｉｇ．５Ｔｈｅｅｍｉｔｔｅｒｗｒａｐ－ｔｈｒｏｕｇｈｃｅｌｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄｗｉｔｈｌａｓｅｒｓｃｒｉｂｉｎｇ４ＥＷＴ硅太阳电池面临的问题和发展方向随着人们对电池成本降低的要求，硅片的厚度正变得越来越薄，虽然低寿命的薄基硅片更能体现ＥＷＴ太阳电池的优越性，但硅片厚度过薄，本身的机械强度就不高，激光打孔特别是激光刻槽更加降低了硅片的机械强度，使硅片变的很容易破碎。这就对生产工艺和封装技术提出了更高的要求。由于ＥＷＴ硅太阳电池本身的特殊结构，决定了电池的开路电压和填充因子不高，故提高电池的开路电压和填充因子是下一步ＥＷＴ太阳电池研究的重点。另外，ＥＷＴ硅太阳电池的制造工艺与常规硅太阳电池相比，技术还是比较复杂，特别是背面ＰＮ区域和正负栅线都比较容易短路，这就需要继续改良生产工艺和栅线设计，使ＥＷＴ硅太阳电池向简单化、工业化方向发展。５结论本文通过对ＥＷＴ太阳电池技术进展的研究，得到了以下结论（１）低品质的硅材料更能体现ＥＷＴ电池结构的优越性。（２）激光打孔作用后，使得硅材料本身的性质趋向于好的方向发展，对下一步太阳电池的制作提供了较好条件。（３）激光打孔和电池背面ＰＮ区域的界定是实现ＥＷＴ硅太阳电池的关键技术，但还有一些问题需要人们继续研究。参考文献［１］任丙彦，吴鑫，勾宪芳，等．背接触硅太阳电池研究进展［Ｊ］．材料导报，２００８，２２（９）１０１－１０５．［２］ＧＥＥＪＭ，ＳＣＨＵＢＥＲＴＷＫ，ＢＡＳＯＲＥＰＡ．Ｅｍｉｔｔｅｒｗｒａｐｔｈｒｏｕｇｈｓｏｌａｒｃｅｌｌ［Ａ］．Ｐｒｏｃ．２３ｔｈＩＥＥＥＰＶＳＣ［Ｃ］，Ｌｏｕｉｓｖｉｌｌｅ，１９９３，２６５［３］ＧＥＥＪＭ，ＨＡＣＫＥＰ，ＳＵＭＮＥＲＭ，ｅｔａｌ．Ｔｏｗａｒｄｓａｍａｎｕｆａｃｔｕｒａｂｌｅｂａｃｋ－ｃｏｎｔａｃｔｅｍｉｔｔｅｒ－ｗｒａｐ－ｔｈｒｏｕｇｈｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌ［Ａ］．Ｐｒｏｃ．３１ｔｈＩＥＥＥＰＶＳＣ［Ｃ］，２００５，１６６３．［４］ＳＣＨ湣ＮＥＣＫＥＲＡ，ＭＯＯＲＨＨＣ，ＢＵＲＧＥＲＳＡＲ，ｅｔａｌ．ＡｎＩｎｄｕｓｔｒｉａｌＭｕｌｔｉ－ｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＥＷＴＳｏｌａｒＣｅｌｌＷｉｔｈＳｃｒｅｅｎＰｒｉｎｔｅｄＭｅｔａｌｌｉｓａｔｉｏｎ［Ａ］．Ｐｒｏｃ．１４ｔｈＥＰＳＥＣ［Ｃ］，１９９７，７９６［５］ＳＣＨＯＮＥＣＫＥＲＡ，ＷＥＥＢＥＲＡ，ＳＩＮＫＥＷ，ｅｔａｌ．Ａｔ－ｔａｃｋｉｎｇｌｉｍｉｔｉｎｇｆａｃｔｏｒｓｉｎ１０１０ｃｍ２ｍｕｌｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｓｉｌｉｃｏｎ，ｅｍｉｔｔｅｒｗｒａｐ－ｔｈｒｏｕｇｈｓｏｌａｒｃｅｌｌｄｅｓｉｇｎａｎｄｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ［Ａ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅ２ｎｄＷＣＰＳＥＣ［Ｃ］，Ｖｉｅｎｎａ，１９９８，１６７７．［６］ＫＲＡＹＤ，ＤＩＣＫＥＲＪ，ＲＥＩＮＳ，ｅｔａｌ．ＨｉｇｈＥｆｆｉＣｉｅｎｃｙＥｍｉｔｔｅｒ－Ｗｒａｐ－ＴｈｒｏｕｇｈＣｅｌｌｓ［Ａ］．１７ｔｈＥＵ－ＰＶＳＥＣ［Ｃ］，２００１，２０６．［７］ＳＭＩＴＨＤ．Ｅｍｉｔｔｅｒ－ＷｒａｐＴｈｒｏｕｇｈＳｏｌａｒＣｅｌｌｓｗｉｔｈ２４云南师范大学学报（自然科学版）第３１卷Ｓｃｒｅｅｎ－ＰｒｉｎｔｅｄＣｏｎｔａｃｔｓ［Ａ］．ＮＣＰＶＰｒｏｇｒａｍＲｅ－ｖｉｅｗＭｅｅｔｉｎｇ２０００［Ｃ］，ＮＲＥＬＲｅｐｏｒｔＮｏ．ＢＫ－５２０－２８０６４，２０００，３０７．［８］ＫＲＥＳＳＡ．１０１０ｃｍ２ｓｃｒｅｅｎｐｒｉｎｔｅｄｂａｃｋｃｏｎｔａｃｔｃｅｌｌｗｉｔｈａｓｅｌｅｃｔｉｖｅｅｍｉｔｔｅｒ［Ａ］．２８ｔｈＩＥＥＥＰＶＳＣ，Ａｎ－ｃｈｏｒａｇｅ［Ｃ］，Ａｌａｓｋａ，２０００，２１３．［９］ＫＮＡＵＳＳＨ，ＪＯＯＳＳＷ，ＲＯＢＥＲＴＳＳ，ｅｔａｌ．ＥｍｉｔｔｅｒＷｒａｐＴｈｒｏｕｇｈＳｏｌａｒＣｅｌｌｓｕｓｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓＰｌａｔｉｎｇＭｅｔａｌｌｉｓａｔｉｏｎ［Ａ］．Ｐｒｏｃ．１７ｔｈＥＣＰＶＳＥＣ［Ｃ］，Ｍｕ－ｎｉｃｈ，２００１，３０５［１０］ＫＮＡＵＳＳＨ．Ｔｈｅａｄｖａｎｔａｇｅｐｒｏｊｅｃｔｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆｎｅｗｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎａｎｄｅｎｃａｐｓｕｌａｔｉｏｎｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓｆｏｒｂａｃｋ－ｃｏｎｔａｃｔｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ａ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅ１９ｔｈＥＰＶＳＣ［Ｃ］，Ｐａｒｉｓ，２００４，２１３９．［１１］ＦＡＩＫＡＫ，ＷＡＧＮＥＲＭ，ＦＡＴＨＰ．ｅｔａｌ．ＳＩＭＰＬＩＦＩ－ＣＡＴＩＯＮＯＦＥＷＴ（ＥＭＩＴＴＥＲＷＲＡＰ－ＴＨＲＯＵＧＨ）ＳＯＬＡＲＣＥＬＬＦＡＢＲＩＣＡＴＩＯＮＵＳＩＮＧＡＬ－Ｐ－ＣＯＤＩＦＦＵＳＩＯＮ［Ａ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅ１９ｔｈＥＰＶＳＣ［Ｃ］，Ｐａｒｉｓ，２００４．２１３９．［１２］ＧＥＥＪＭ．Ｂａｃｋ－ＣｏｎｔａｃｔＣｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ－ＳｉｌｉｃｏｎＳｏｌａｒＣｅｌｌｓａｎｄＭｏｄｕｌｅｓ［Ａ］．ＮＣＰＶＰｒｏｇｒａｍＲｅｖｉｅｗＭｅｅｔｉｎｇ［Ｃ］，Ｄｅｎｖｅｒ，１９９８，３０７．［１３］刘维，周春兰，唐煜，等．ＥＷＴ背结电池中的激光刻槽及腐蚀工艺的研究［Ｊ］．太阳能学报，２００９，３０（１）８９－９３．［１４］龙维绪．隐蔽型发射极穿孔硅太阳电池的研究［Ｄ］，昆明云南师范大学，２００９．［１５］ＨＡＣＫＥＰ，ＧＥＥＪＭ，ＨＩＬＡＬＩＭ，ｅｔａｌ．Ｃｕｒｒｅｎｔｓｔａｔｕｓｏｆｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓｆｏｒｉｎｄｕｓｔｒｉａｌｅｍｉｔｔｅｒ－ｗｒａｐ－ｔｈｒｏｕｇｈｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ａ］．Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅ２１ｓｔＥｕｒｏｐｅａｎＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ［Ｃ］，Ｄｒｅｓｄｅｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ，Ｓｅｐｔｅｍｂｅｒ２００６．７６１－７６４．［１６］ＫＲＡＹＤ，ＤＩＣＫＥＲＪ，ＲＥＩＮＳ，ｅｔａｌ．Ｈｉｇｈ－ＥｆｆｉｃｉｅｎｃｙＥｍｉｔｔｅｒ－Ｗｒａｐ－ＴｈｒｏｕｇｈＣｅｌｌｓ［Ａ］．１７ｔｈＥＵ－ＰＶＳＥＣ［Ｃ］，２００１，１２９９－１３０２．［１７］ＰＥＴＥＲＨＡＣＫＥ，ＪＡＭＥＳＭ．Ｇｅｅ，ＭｉｃｈａｅｌＷ，ｅｔａｌ．ＡｐｐｌｉｃａｔｉｏｎＯｆＡＢｏｒｏｎＳｏｕｒｃｅＤｉｆｆｕｓｉｏｎＢａｒｒｉｅｒＦｏｒＴｈｅＦａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆＢａｃｋＣｏｎｔａｃｔＳｉｌｉｃｏｎＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ［Ａ］，Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆｔｈｅ３１ｓｔＩＥＥＥＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｐｅ－ｃｉａｌｉｓｔｓＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ（ＰＶＳＣ ’ ０５）［Ｃ］，Ｏｒｌａｎｄｏ，Ｆｌａ，ＵＳＡ，Ｊａｎｕａｒｙ２００５，１１８１ – １１８４．［１８］ＳＭＩＴＨＤＤ，ＧＥＥＪＭ，ＢＯＤＥＭＤ，ｅｔａｌ．ＣｉｒｃｕｉｔＭｏｄｅｌｉｎｇｏｆｔｈｅＥｍｉｔｔｅｒ－Ｗｒａｐ－ＴｈｒｏｕｇｈＳｏｌａｒＣｅｌｌ［Ａ］，ＩＥＥＥＴｒａｎｓａｃｔｉｏｎｓｏｎＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅｓ［Ｃ］，Ｖｏｌ．４６，Ｎｏ．１０，１９９９，１９９３－１９９９．［１９］ＰＥＴＥＲＥＮＧＥＬＨＡＲＴ，ＡＮＤＲＥＡＳＴＥＰＰＥ，ＡＧＮＥＳＭＥＲＫＬＥ．ＴｈｅＲｉｓｅ－ＥＷＴｓｏｌａｒｃｅｌｌ－ａｎｅｗａｐ－ｐｒｏａｃｈｔｏｗａｒｄｓｓｉｍｐｌｅｈｉｇｈｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ［Ａ］．１５ｔｈＩｎｔｅｍａｔｉｏｎａｌＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ［Ｃ］，２００５，８０２－８０３．［２０］ＮＥＵＷ，ＫＲＥＳＳＡ，ＪＯＯＳＳＷ，ｅｔａｌ．Ｌｏｗ－ｃｏｓｔＭｕｌ－ｔｉｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＢａｃｋ－ｃｏｎｔａｃｔＳｉｌｉｃｏｎＳｏｌａｒＣｅｌｌｓｗｉｔｈＳｃｒｅｅｎＰｒｉｎｔｅｄＭｅｔａｌｌｉｚａｔｉｏｎ［Ｊ］，ＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙＭａｔｅ－ｒｉａｌｓ＆ＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ，２００２，５１３９－１４６．［２１］ＮＩＬＳ－ＰＥＴＥＲＨＡＲＤＥＲ，ＳＯＮＪＡＨＥＲＭＡＮＮ１，ＡＧ－ＮＥＳＭＥＲＫＬＥ，ｅｔａｌ．Ｌａｓｅｒ－ｐｒｏｃｅｓｓｅｄｈｉｇｈ－ｅｆｆｉ－ｃｉｅｎｃｙｓｉｌｉｃｏｎＲＩＳＥ－ＥＷＴｓｏｌａｒｃｅｌｌｓａｎｄｃｈａｒａｃｔｅｒ－ｉｚａｔｉｏｎ［Ｊ］．Ｐｈｙｓ．ＳｔａｔｕｓＳｏｌｉｄｉＣ６，２００９，３７３６－７４３．ＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙｐｒｏｇｒｅｓｓｉｎＥＷＴｓｉｌｉｃｏｎＳｏｌａｒＣｅｌｌｓＺＨＡＯＨｅｎｇ－ｌｉ，ＴＵＪｉｅ－ｌｅｉ，ＬＩＡＯＨｕａ，ＬＩＪｉｎｇ－ｔｉａｎ，ＬＩＧｕａｎｇ－ｍｉｎｇ，ＨＥＪｉｎｇ－ｈｏｎｇ，ＺｈＡＮＧＳｈｕ－ｍｉｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌａｒＥｎｅｒｇｙ，ＹｕｎｎａｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ；ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｆＲｅｎｅｗａｂｌｅＥｎｅｒｇｙＡｄｖａｎｃｅｄＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＭａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，Ｋｕｎｍｉｎｇ；６５００９２）ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｅｈｉｓｔｏｒｙａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｏｆＥＷＴｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｉｓｄｅｓｃｒｉｂｅｄ．Ｉｔｗｏｕｌｄｆｏｃｕｓｏｎｔｈｅｓｔｒｕｃｔｕｒ－ａｌｄｅｓｉｇｎａｎｄｔｈｅｐｒｏｇｒｅｓｓｏｆｔｅｃｈｎｉｃａｌ．Ａｎｄｔｈｅｎ，ｔｈｅｄｉｆｆｉｃｕｌｔｉｅｓａｎｄｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｄｉｒｅｃｔｉｏｎｉｎｐｒｅｓｅｎｔｅｄＥＷＴｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｗｉｌｌｂｅｐｏｉｎｔｅｄｏｕｔ．Ａｔｌａｓｔ，ｓｏｍｅｏｐｉｎｉｏｎｓｏｎｆｕｒｔｈｅｒｓｔｕｄｉｅｓｏｆＥＷＴｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｗｅｒｅａｌｓｏｐｒｅｓｅｎｔｅｄ．ＫｅｙｗｏｒｄｓＥＷＴｓｉｌｉｃｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓ；Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｐｒｏｇｒｅｓｓ；Ｌａｓｅｒｈｏｌｅ；Ｒｅａｒｐ－ｎｊｕｎｃｔｉｏｎｉｓｏｌａｔｉｏｎ３４第２期赵恒利，等ＥＷＴ太阳电池技术进展