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一、 （ 1）采用 n 型硅片做衬底，载流子的寿命在 1ms以上；（ 2）前表面没有任何电极的遮挡（ 3）前后表面都采用了热氧钝化技术（ 4）在前表面的钝化层下又进行了浅磷扩散（ 5）电极和硅片是采用定点接触，减少了金属电极与硅片的接触面积， 从而使载流子在电极表面复合的几率大为减少， 进一步提高了 开路电压 。二、 与掺硼 B 的 P型晶体硅材料相比， 掺磷 P 的 N型晶体硅材料具有如下优势（ 1） N 型材料中的杂质（如一些常见的金属离子）对少子空穴的捕获能力低于 P 型材料中的杂质对少子电子的捕获能力。（ 2） 选用掺磷的 N型硅材料形成的电池则没有光致衰减效应的存在。因此， N 型晶体硅电池的效率不会随着光照时间的加长而逐渐衰减。（ 3） N 型材料的少子空穴的表面复合速率低于 P 型材料中电子的表面复合速率。因此，采用 N型晶体硅材料少子空穴的复合将远低于 P型材料中的少子电子的复合。上述三大优势是 N 型晶体硅电池获得高转化效率的前提。其次， 背结背接触也是此类电池的另一重要特征。 与传统的常规电池相比，背结背接触电池具有（ 1）受光面无电极遮挡损失。（ 2） 背电极优化使得电池的串联电阻提高。因此可进一步优化电极宽度从而达到提高串联电阻的目的。（ 3）提供更好的优化前表面陷光和实现极低反射率的潜力。三、 （ 1）弱光效应主要体现在电池片的开路电压的降低，进而导致电池片的效率降低。（ 2）并联电阻的大小直接决定弱光响应的好与差
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