多晶硅片成品标准-solarbe文库

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文件编号 Q03-SIP-01 版本号A/6 页码第 1 页共 4 页多晶硅片成品标准生效日期20 年 5 月 8 日一、目的为加强公司多晶硅片的质量管控，指导使公司生产的产品，特制订本标准。二、适用范围适用于公司生产的太阳能级多晶硅片的品质检测和判定。三、标准内容 1、检测环境要求温度 1828℃，湿度不大于 60。 2、检验项目及要求项目内容外观线痕、崩边、污片、凹坑、缺角、缺口、隐裂、穿孔、色差、微晶、雪花晶、分布晶、废片尺寸边长、对角线、垂直度、倒角、翘曲、厚度性能氧含量、碳含量少子寿命、极性、电阻率 3、判定标准（见下表）批准审核编制修改履历页码内容状态备注文件编号Q03-SIP-01 版本号A/6 页码第 2 页共 4 页多晶硅片成品标准生效日期20 年 5 月 8 日检测标准内容项目 A 级片 B1 级片 B2 级片备注线痕线痕 ≤ 15 μ m 15-25 μm 25-35 μm 线痕是双面线痕深度相加的值面积比例＜1/2 ＞1/4 ＞1/4 最大双面线痕深度（μm） ≤10 10-15 15-20密集线痕手感摸起来无手感摸起来有手感密集线痕的定义垂直线痕方向每厘米存在 5 条线痕以上崩边长 ≤ 1 mm，深 ≤0.5 mm，数量 ≤ 2 个，不得有 V 型口长 ≤1.5 mm，深 ≤0.5 mm，数量 ≤ 2 个，不得有 V 型口长 ≤1.5mm ，深 ≤0.5 mm，数量 ≤ 3 个，不得有 V 型口每 100 片崩边总片数不超过该批总量的 3，如超过 3 片拿出来作 B1 级片;不够 3 片也不可插进去。磨过的边缘片必须检测隐裂。污片无明显沾污,表面脏污≤10. 污片凹坑无凹坑无凹坑无凹坑缺角、穿孔无无无色差无有明显色差有明显色差微晶、雪花晶分布晶无无无外观隐裂无无无设备检查隐性裂纹宽度大于 0.1mm 文件编号Q03-SIP-01 版本号A/6 页码第 3 页共 4 页多晶硅片成品标准生效日期20 年 5 月 8 日检测标准内容项目 A 级片 B1 级片 B2 级片备注边长 125125±0.5mm156156±0.3mm 125125±0.5mm156156±0.5mm 125125±0.5mm156156±0.5mm 对角线 175.5±0.5mm 219.2±0.5mm 175.5±0.7mm 219.2±0.7mm 175.5±0.7mm 219.2±0.7mm 垂直度 90°±0.2° 90°±（0.20.5°） 90°±（0.20.5°）倒角 11.8mm 0.52mm 0.52mm 弯曲度翘曲度弯曲度、翘曲度≤50μm 边缘翘曲≤80μm 50μm≤弯曲度翘曲度≤75μm 边缘翘曲≤80μm 尺寸厚度 180±18 μm 200±20μm TTV≤30μ m 180±25 μm 200±25μm TTV≤30μm 180±25 μm 200±25μm TTV≤40μm 其中厚度 D 取五点法平均，五点同时满足标准，厚度测量 5 点的位置，中心点和离四角 15mm 处的点；TTV 为同一张硅片上厚度最大值减厚度最小值。其中，超厚，超薄片同一箱中各硅片的厚度 D、TTV 的变化不超过 30μm。以上条件优先级最高为不合格片，依次为 C 级片、 B 级片，即满足任意一条不合格片的标准，则为不合格片。当同类异常出现 1000 片以上时，将由品管召集技术、销售、生产等，进行处理。文件编号Q03-SIP-01 版本号A/6 页码第 4 页共 4 页多晶硅片成品标准生效日期20 年 5 月 8 日检测标准内容项目 A 级片 B1 级片 B2 级片备注氧含量 [0]≤14ppma 或 71017atom/cm3 碳含量 [C]≤16ppma 或 81017atom/cm3 少子寿命 τ≥2μs 导电类型 P 物理性能电阻率 ρ[13]Ω ． cm 1、正常电阻率超过标准,判定为电阻率异常废片. 2、特殊情况可按客户要求调整参数。