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江苏林洋新能源有限公司 文件编号 SF/03-GY-017-18 版本状态 C/2 文件名称 扩散工艺处理规范 页 码 1/3 编制 / 日期 审核 / 日期 批准 / 日期1.目的规范扩散工艺人员处理问题的标准和方法,确保工艺控制的统一管理。2.适用范围适用于扩散工艺人员。3.职责本工艺规范由电池事业部工艺人员制定修改并执行。4. 方块电阻监控4.1 单晶及多晶方块电阻 - 返工 控制范围定义单点控制上下限(规格) 单片平均值控制上下限 (规格)单晶 125/156 45± 5 45± 3 多晶 125/156 54± 6 54± 3 此控制范围仅作为产品是否返工的标准。4.2 单晶及多晶方块电阻 - 工艺 控制范围定义单点控制上下限(控制) 单片平均值控制上下限 (控制)单晶 125/156 45± 4 45± 2 多晶 125/156 54± 4 54± 2 工艺人员以此控制范围为依据,对各生产线方块电阻进行调控。5. 扩散工序各种返工处理要求5.1 扩散方块电阻偏大、偏小、片内不均匀的返工工艺人员应对方块电阻偏大、偏小、片内不均匀的炉管进行原因分析,问题处理以后 ,应第一时间通知扩散当班工序长,恢复相应炉管的使用。5.1.1 单晶方块电阻偏大、偏小、片内不均匀( 1)单晶方块电阻的单片平均值> 48Ω /sq 或者 单点> 50Ω /sq ) ,将偏大的硅片挑出,经二次清洗后,再按照返工工艺程序进行加扩。对于片内偏差> 10Ω /sq 的,工艺人员应结合制绒工序对重量的要求,考虑是否返工,返工步骤扩散后硅片经二次清洗后,在按照正常工艺从一次清洗开始。( 2)单晶方块电阻的单片平均值< 42Ω /sq 或者 单点< 40Ω /sq ) ,工艺人员确认以后,将材料放行,按照正常工艺生产。如果方块电阻明显偏小(单片平均值< 35Ω /sq ) ,工艺人员应结合制绒工序对重量的要求,考虑是否返工。返工步骤扩散后硅片经二次清洗后,在按照正常工艺从一次清洗开始。5.1.2 多晶方块电阻偏大、偏小、片内不均匀( 1)多晶方块电阻的单片平均值> 57Ω /sq 或者 单点> 60Ω /sq ) ,将偏大的硅片,再按照返工工艺程序进行加扩。倘若存在以下状况,硅片应从一次清洗开始返工 ( a)生产未按照江苏林洋新能源有限公司 文件编号 SF/03-GY-017-18 版本状态 C/2 文件名称 扩散工艺处理规范 页 码 2/3 文件操作,已经卸片( b)硅片受到其它污染( c)片内偏差> 12Ω /sq 。( 2)多晶方块电阻的单片平均值< 51Ω /sq 或者 单点< 48Ω /sq ) ,返工步骤扩散后硅片应从一次清洗开始返工。5.2 扩散返工工艺规定5.2.1 此返工工艺仅限扩散方块电阻偏大的内部返工处理。5.2.2 返工时必须使用专门的返工工艺。5.2.3 返工工艺程序返工工艺程序与正常工艺相比,只在通源步骤和驱入步骤的时间上不同,根据待返工硅片的方块电阻大小,适当调整通源步骤和驱入步骤的时间。一般通源步骤和驱入步骤的总时间在 300s 到 500s 左右。没有扩散的除外。5.3 扩散后硅片发蓝及卡点发黄硅片的处理5.3.1 对于整片发蓝的炉管,工艺人员应和设备人员一起检查氧气、氮气流量是否正常,人员操作是否存在问题,工艺运行时是否中途退出。5.3.2 卡点发黄的硅片,边缘或局部发蓝片,两者会同时产生,在此种情况下,首先通知制绒工艺人员,保证一次下料的硅片吹干。5.3.3 如果是硅片边缘一小部分发蓝, 应观察是否存在手印, 员工如果手插片, 会产生手印、发蓝及黑色烧焦的斑点状。5.4 沾有偏磷酸的硅片返工及处理5.4.1 偏磷酸滴落的硅片,返工方法 ( 1)单晶 经过二次清洗后,从制绒开始返工( 2)多晶 直接从制绒开始返工。 通常是炉口及外部接液盘腐蚀穿孔滴落到硅片上, 应及时找设备更换接液盘。5.4.2 PECVD 或二次清洗发现的,在硅片边缘处,规则的黄斑,出现此类问题,主要是黑片盒上残留有偏磷酸,沾到硅片以后形成。一方面要求生产员工保持黑片盒的洁净,另外禁止使用黑片盒来清理偏磷酸等。5.5 扩散后手印片及手插片要求5.5.1 员工操作过程中,存在手插片现象,必须加以制止。5.5.2 个别工序暂时无法进行吸笔插片的,在手插片时,必须在最外层带 PE手套。5.6 少子寿命偏低硅片返工5.6.1 多晶硅片如果少子寿命每炉 30 点平均值( 6μ S) , 恢复正常测试。江苏林洋新能源有限公司 文件编号 SF/03-GY-017-18 版本状态 C/2 文件名称 扩散工艺处理规范 页 码 3/3 5.6.3 少子寿命偏低返工工艺(此返工工艺只限单晶)5.6.3.1 如果整炉是单面扩散,返工流程为等离子刻蚀 -- 管式 PECVD丝印烧结测试;5.6.3.2 如果整炉是双面扩散, 返工流程为 RENA二次清洗 -- 管式 PECVD丝印烧结测试;6. 设备清洗炉管或维修后的工艺要求6.1 设备清洗炉管或维修以后,与设备人员一起检查管路及接口,并保证其正常。 PB值要和清洗炉管前保持一致、操作权限界面应为“操作员”等级。6.2 如果是清洗炉管,在清洗饱和工艺结束以后,进行 20 片(每舟 10 片,均匀插片)的试制,在保证没有问题的情况下,交接给生产使用。7. 四探针测试仪每天校对7.1 单晶各中心及校对时,在线上挑选一片比较完整的扩后硅片,在每台设备上测试 20 点,测试区域为硅片中心 10mm*10mm区域。7.2 多晶各中心及校对时,在线上挑选一片比较完整的扩后硅片,在每台设备上测试 20 点,测试区域为硅片中心 10mm*10mm区域。7.3 单晶或多晶的数据平均值与 280SI 测试仪对比,如果均值差异超过 3Ω /sq ,应找设备人员进行维修,直至正常。8. 方块电阻异常的排查流程1. 四探针 确认是否与测试有关2. 工艺设置 是否运行错工艺号或重复扩散,是否负压不正常3. 源 源温是否正常,源量是否偏少,进气阀门是否开启4. 管路、气路 各管路是否有松动,气路的电磁阀及流量是否正常5.PB 值 PB值是否被修改,恢复以后看是否正常6. 炉门密封 密封圈是否正常,炉门是否未安装到位7. 炉管裂 在上述排查确认没有问题的情况下,可以降温予以确认9. 针对其它工序反馈的响应9.1 针对 PECVD反馈的外观不良片(如白斑片等) ,应配合 PECVD工艺人员分析确认,如果是由于扩散偏磷酸滴落硅片造成的,须及时对扩散后硅片进行全检(要求生产线配合) ,确定产生的炉管,如果每炉都会有偏磷酸滴落硅片的现象,应与生产和设备协商,及时清洗炉管。9.2 针对丝印测试反馈烧结后串联电阻偏高问题,当班工艺人员必须及时响应,首先对扩散方块电阻情况进行检查确认。9.3 针对丝印测试同一批次片源在各中心的转换效率差异,当班工艺人员必须及时进行扩散工艺交叉实验,并将结果反馈给各工序。两个中心对比时,按照以下分组第 1 组 A 中心 XX 管扩散后硅片 600 片, 按照在石英舟上的位置,平均分成两组300 片在 A 中心全线,丝印 h 线 PECVD 后只跟踪 288片,避免与其它硅片混第 2 组 300 片在 B 中心 ,从 PECVD 开始,丝印 g 线第 3 组 B 中心 XX 管扩散后硅片 600 片, 按照在石英舟上的位置,平均分成两组300 片在 B 中心全线,丝印 g 线 淆第 4 组 300 片在 A 中心 ,从 PECVD 开始,丝印 h 线10. 工艺更改及实验10.1 工艺更改前,必须经过实验,对员工进行培训,具有确定的工艺表格。10.2 实验时,必须在扩散工序工艺参数更改表内填写相应的记录。10.3 实验数据按照以下格式整理日期片源批次方阻均值30点均匀性line Uoc Isc Rs Rsh FF NCell Irev1 Irev1档比例GH档比例实测片数保存地址实验批次均值偏差线上同批均值偏差11. 工艺菜单定期点检11.1 每月定期对炉管工艺菜单进行检查和确认,包含工艺程序内的流量设定、时间设定、温度设定、流量计量程设定、 PB 值设定、操作权限界面是否未“操作员” 、尾气报警设定等,确保员工正确操作和使用。11.2 每月定期对刻蚀工艺菜单进行检查和确认,包含流量、压强、功率、时间的设定等,确保员工正确操作和使用。12. 相关文件 SF/03-GY-017-13 扩散返工作业规程13. 记录 SF/04-GY-101 扩散工序工艺参数更改表
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