微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定-行业标准-solarbe文库

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微电子技术用贵金属浆料测试方法方阻测定 Test methods of precious metals pastes used for microelectronics一 Determination of sheet resistance 2008-03-31 发布 2008-09-01实施不变的情况下，膜层电阻与膜层带的长度成正比．通过测量戍定膜层长度的电阻．计算方阻． 4 材料基片．纯度不小于95的氧化铝或有机树脂基片，表面粗桯度为O. 5 ,.m-1. 5 p.m在初量距离为 JQ mm的条件下刹君）． 5 仪器与设备 5.1 数字式电阻＼电压多用表范围为100 p.l-100 Ml, 分辨率为6位有效数字，可四线浏乱 5. 2 超忘阻绝缘电阻测量仪范围为1x10 n-1x10“ n, 稍度为士2¾。 5.3 测厚仪 5. 3. 1 光切显微利厚仪范围为0 mm-5 mm, 精度为0. 001 mm. 5.3.2 千分尺范围为O mm-·5 mm, 精度为 0. 001 mm。 5.4 丝网印刷机 5. 5 红外干燥箱最商使用温度为300 C,控制温度粘度为士5 C. 5. 6 隧道烧结炉最高使用温度为1 ooo·c, 控制温度精度为士lO C. 6 测试步骤实验环境耍求环境温度15 C-35它，相对湿度45-75¼,大气压力86 让a-106 旺a.l GB/T 17473. 3一2008 6. 1 将符刺浆料悦拌均匀后取样，用孔径为74µ01丝网印刮机将浆料印浏在基片上．烧结型浆料用向瓷基片，固化型浆料用有机树脂基片，印制6片． 6.2 印制图形如图1所示．试样长度方数为100方．膜宽为1mm,l mmXl mm为1方，电狙浆料需印烧电极． 6.3 基片水平放笠不少于10 min. 6. 4 将陶瓷基片放人干燥箱中于70 C-80它干燥，将于燥后的试样基片放人隧道炉中烧结，烧结温度根报浆料型号确定．基片取出后在测试环境下放置4h后测量． 65 将有机树指基片于浆料团化温度下固化，基片取出后在测试环境下放笠4h后消圭．｀ l一印忧屯极区； 2一一屯阻量影从｀ 3一尊槽量测点1 4误停．图1 电极膜带及和试点示意图 GB/T 17473.3一2008 00 DOZ· 附录（规范性附录）不同膜厚方阻的换算 A A. 1 根据材料电阻与电阻系数的关系可得如下关系，见式A.1 L R p 亏式中 R电阻，单位为欧姆O; oooozl_C.CLV4L\g9 ．．．．．身···························A.1.