N型硅材料整理-solarbe文库

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N型硅太阳能电池材料整理从理论上来讲，不管是硼掺杂的 P 型硅片或是磷掺杂的 N型硅片都可以用来制备太阳能电池，但是现在世界上大部分的晶体硅太阳能电池生产厂家都采用掺硼的 P 型硅片生产太阳能电池。因为 N型硅片制备的太阳能电池开路电压和填充因子较低，并且长期使用或存放时 N型硅片太阳能电池性能会有所退化，而在 P型硅片上形成 N发射结比在 N型硅片上形成 P发射结在工业化生产上更容易实现。目前主流工业化生产的 P 型硅太阳能电池转换效率已经可以稳定在 18以上，要想在不增加成本的情况下再提高效率已经非常困难，于是人们把眼光转向少数载流子寿命比 P 型硅高的多的 N型硅，并取得了很大进展。一、 N型硅的优点P 型硅太阳能电池具有转换效率高，技术成熟等优点，占有世界太阳能电池产量的绝大部分。但在制造过程中，扩散制结工艺需要在温度约 1000℃进行，工艺复杂，成品率低。而 N型硅太阳能电池生产工艺可在 200℃以下进行。符合低成本、高产量、高效率的要求。其次，相同电阻率的 N型硅片的少数载流子寿命比 P 型硅片高。（注少数载流子寿命反映了太阳能电池表面和基体对光生载流子的复合程度，即反映了光生载流子的利用程度，少数载流子寿命越高，太阳能电池的短路电流、开路电压也会提高。是太阳能电池设计、生产的重要参数，但其会受到高温处理过程的影响。）第三， N型硅片对金属污染的容忍度要高于 P型硅片。二、 N型硅片的缺点N 型硅片制备的太阳能电池开路电压和填充因子较低。（注填充因子是衡量电池输出特性的重要指标，代表电池在最佳负载时所能输出的最大功率，其值越大表明太阳能电池的输出特性越好。）由于 N型硅片需要硼元素形成 PN结，对于 P发射结这样的太阳能电池结构表面复合严重，并且长期使用或存放时性能会有所退化，而常规的表面钝化手段均无明显效果。但是 J． Benick 等人利用Al 2O3 作为钝化层获得了良好的钝化效果。他们采用 PERL结构，在 N 型 FZ 硅片上得到了 23.4高转换率的太阳能电池，这也是 N型硅太阳能电池的最高世界纪录。有人利用非晶硅作钝化层也取得了很好的钝化效果。虽然 N型 CZ硅片是高效太阳能电池的理想材料，但现在铸造多晶硅中含有较多的 Cr 和 Fe，这两种金属杂质对材料性能影响很大。三、 N型硅太阳能电池的种类N型硅太阳能电池有很多种类，除了可以把发射结坐在正面、背面和双面外，还可以做成 SE、 EWT、 PERL、 MWT和 HIT 等结构。目前除了美国 SUN POWER公司和日本三洋外，具有生产 N型硅太阳能电池产业化生产能力的公司并不多，目前国内有报道的有宁波的杉杉尤利卡太阳能科技发展有限公司。 N 型硅太阳能电池转换效率平均只有 16.5。1、 PCC太阳能电池美国 SUN POWER公司利用点接触（ PCC）和丝网印刷技术，于 2003年研制出新一代背面点接触太阳能电池 A-300，转换效率为 20。通过进一步的改进，该电池的效率已经达到 21.5，并实现了产业化生产。SUN POWER 公司 A-300结构示意图2、 HIT异质结高效 N型硅太阳能电池2000 年日本三洋公司研制出 10cm2采用 HIT结构异质结太阳能电池。解决了以往的缺陷。所谓 HIT结构就是在 P型氢化非晶硅和 n型氢化非晶硅与 n型硅衬底之间增加一层非掺杂本征氢化非晶硅薄膜。采取该工艺措施后。改变了 PN结的性能。因而使转换效率达到 20.7 , 开路电压达到 719mV ,并且全部工艺可以在 200℃以下实现。双面结构的 HIT电池由于能接收到来自地面的反射光，不论地面是否光滑，它都能发出比单面电池至少多 8.1的电能。三洋公司大规模工业化生产也获得 18.5的效率。三洋公司在 HIT太阳能电池的基础上，还推出了正反对称形的 HIT双功率太阳能电池组件，这种组件能够利用正反两面的光照。和单侧光照射的构造相比，年平均增加 6-10的输出。日本三洋 HIT太阳能电池结构示意图尽管三洋公司已经取得如此高的效率，并实现了 HIT的产业化，但有关于 PECVD沉积参数及详细制备过程却没有报道。世界各国实验组至今还没有一个能达到或重复三洋公司如此好的实验结果。3、发射结钝化一全背场扩散 PERTN型硅太阳能电池发射结钝化一全背场扩散太阳电池是赵建华博士在澳大利亚新南威尔士大学期间设计的一种 N型硅太阳电池。面积为 22cm2的 N型 FZ单晶硅太阳电池效率达N21． 5％， PERT电池采用电阻率为 0.9 Ω· cm的 FZ单晶硅片，正表面 KOH腐蚀倒金字塔结构，浅磷扩散形成前表面场 FSF，背面浅硼扩散形成发射结，再在两面生长高质量的 SiO2钝化层，通过光刻工艺在前电极下实现重磷扩散，背电极的点接触处实现重硼扩散。前电极采用电镀工艺镀银背电极热蒸发铝形成点接触结构，最后前面沉积 ZnS／ MgF，双层减反射薄。这种结构的电池虽然效率不错，但是比现在的 P型硅生产工艺复杂，并不适合工业化生产。 2006年赵建华等申请了带有正面钝化 N型扩散层的 N型硅太阳电池专利，并计划在中电三期工程中投入生产。4、 NNP太阳电池2006 年， J． Schmidt 、 A． G． Aberle 等人利用几乎和现代工业化生产 P型硅太阳电池完全相同的方法制备出 N NP太阳电池 ll ，实验室效率为 19％ 4cm前电极为蒸铝电极，产业化效率为 17％ 100cm2前电极为丝网印刷银电极，在 N型基片上正面扩散磷形成 N层，背面发射结由丝网印刷铝浆烧结而成。值得指出的是这种结构的电池发射结在背面，少数载流子的扩散长度至少要大于基片厚度，因此对少子寿命要求很高。5、背接触背结 BC-BJ 太阳电池2008 年德国 Fraunhofer 实验室的 F． Granek， M． Hermle等人提出背接触背结太阳电池结构，在 l Ω· cm N型 FZ硅片上得到了 21． 3％效率” 。该电池结构采用160gmN型硅片，首先正面制备金字塔结构，然后扩散磷形成 N前表面场 FSF，最后用 SiO2钝化表面再镀 SiNx减射膜，背面通过扩散阻挡层实现硼和磷的扩散，形成 P 发射结和 N背表面场。电极都在背面，采用丝网印刷然后电镀的工艺完成。6、 PERL太阳电池J ． Benick 、 B． Hoex等人采用 PERL结构，基片采用 1Ω· cmN型 FZ硅片，表面制备倒金字塔陷光结构，正面扩散硼形成 P发射结，然后在其上用 Al 3O3作为钝化层，上面沉积 SiNx减反射膜。背面采用 SiO2钝化层，再在背电极下面重扩散磷形成 N背表面场，取得了 23.4 ％的 N型硅最高转换效率。7、双面 N型硅太阳电池双面 N型硅太阳电池是 Gamma Solar 公司研发的一种新型结构。在 N型 CZ单晶硅基底上，正面扩散硼形成 P发射结，背面扩散磷形成 N背表面场。详细的工艺目前还无法知晓。该公司称在 180μ m厚、 156mm X 156mm的 N型硅片上两面效率均达到了 17％，并计划在 2009年 9月正式投产。四、国内 N型硅太阳能电池情况阿特斯公司发明公开了一种基于Ｎ型硅片的黄铜矿类半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、Ｐ型黄铜矿半导体薄膜、Ｎ型晶体硅、Ｎ↑［＋］背表面场和背金属电极，形成ＰＮＮ↑［＋］的异质结结构。本发明的太阳电池具有更好的光谱响应，尤其是在紫外和可见光波段，从而可以提升短路电流；且在正面可形成梯度带隙，类似于多结的堆叠效应，大幅度地提升开路电压和填充因子；最终得到的太阳电池的转化效率在２２％以上。中电电气（南京）光伏有限公司公开了一种Ｎ型硅太阳能电池，以Ｎ型直拉单晶硅片（ＣＺ）为基体，其特征是Ｎ型直拉单晶硅片的正面设有随机正金字塔绒面结构层，随机正金字塔绒面结构层上附设丝网印刷的金属电极；Ｎ型直拉单晶硅片的的背面设有硼扩散制备的Ｐ型发射结层，在Ｐ型发射结层上附设丝网印刷的金属电极。